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公开(公告)号：CN114656967A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011547543.7
申请日：2020-12-24
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及量子点技术领域，提供了一种量子点及其制备方法、量子点发光二极管。本申请提供的量子点，包括量子点本体以及结合在所述量子点本体上的表面配体，所述表面配体包括化学通式为R1SnR2(R3)(R4)的第一配体，其中，R1、R2、R3、R4各自独立地选自H、饱和或不饱和的碳链，R1、R2、R3、R4中的至少两个选自碳原子数为4～8的碳链，且R1、R2、R3、R4中的至少一个为与所述量子点本体结合的配位基团。本申请提供的量子点，同时兼具优良的分散性和电荷传输性能。
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公开(公告)号：CN113130789B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911420671.2
申请日：2019-12-31
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和所述阴极之间的叠层，其中，所述叠层包括量子点发光层、电子传输层和设置在所述量子点发层与所述电子传输层之间的脂肪胺修饰层，所述量子点发光层设置在靠近所述阳极一侧，所述电子传输层设置在靠近所述阴极一侧，所述电子传输层的材料包括ZnO纳米线。本发明通过将脂肪胺修饰层设置在电子传输层(含有ZnO纳米线的电子传输薄膜)与量子点发光层之间，增强了电子传输层的电子传输，减少能耗；改善了电子传输层与量子点发光层的界面接触质量，降低功函数，减小电子注入势垒；两者协同提高了电子传输层的传输效率及稳定性，进而改善了QLED的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN113054117B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911383557.7
申请日：2019-12-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明提供的发光二极管包括：相对设置的阳极和阴极，设置在阳极和阴极之间的发光层，设置在阴极和发光层之间的电子传输层，电子传输层包括：二氧化铈层和富勒烯衍生物层，富勒烯衍生物层设置于二氧化铈层背离发光层的表面；其中，富勒烯衍生物层的材料为[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸异甲酯和/或[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸，提高了发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN112397673B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201910763363.3
申请日：2019-08-19
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，在所述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层，以及在所述阴极和所述量子点发光层之间设置的电子传输叠层，所述电子传输叠层包括邻近所述阴极设置的In2S3纳米材料层，以及设置在所述In2S3纳米材料层和所述量子点发光层之间的PVP层。所述电子传输叠层有效的阻挡空穴(PVP禁带宽，可以阻挡空穴)和降低激子在电子传输层的复合，从而提高量子点发光二极管器件的发光效率，提高QLEDs性能。
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公开(公告)号：CN114497398A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011164506.8
申请日：2020-10-27
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , C07F7/02 , C01B33/02 , C01B32/194
Abstract: 本申请属于光电器件技术领域，尤其涉及一种空穴传输材料及其制备方法，以及一种光电器件。其中，空穴传输材料包括结合有亲核基团和/或亲电基团的二维烯半导体材料，所述二维烯半导体材料的HOMO能级为‑5eV～‑4.5eV。本申请空穴传输材料，不但具有强的自旋‑轨道耦合和一定的带隙，表现出优越的半导体特性，载流子迁移性能高；而且材料的HOMO能级与量子点发光层的空穴注入匹配，进一步提升了空穴的传输效率，化了空穴功能层与发光层之间的势垒，更有利于空穴注入到发光层中，提高发光层中电子与空穴的复合效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113130772B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201911394125.6
申请日：2019-12-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米复合材料及其制备方法、溶液组合物和发光二极管。本发明提供的纳米复合材料的制备方法包括：在惰性气体气氛下，将金属氧化物纳米颗粒和含三氟甲基的前驱体于溶液中在酸性条件下进行反应，制备表面修饰有至少一个三氟甲基的金属氧化物纳米颗粒。方法简单，操作简便，且制得的纳米复合材料的表面修饰有三氟甲基，改善了金属氧化物纳米颗粒表面的电子云状态，填补了金属氧化物纳米颗粒表面的缺陷，当将其应用于制备发光器件中的电子传输层时，可提高电子在传输膜层的传输效率，减少膜层的缺陷发光，并可优化膜层与发光层的接触界面，从而提升发光器件的发光性能。
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公开(公告)号：CN113045211B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201911383923.9
申请日：2019-12-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: C03C17/00 , C01G23/053 , C01F17/235 , C01F17/10 , H01L51/50 , H01L51/56 , C09K11/78 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法。所述复合材料包括二氧化铈纳米颗粒和包覆在所述二氧化铈纳米颗粒表面的二氧化钛层。该复合材料以宽带隙半导体二氧化钛包覆带隙相对较窄的半导体二氧化铈，不仅提高了核壳结构纳米晶的稳定性，而且有利于电子的传输，而二氧化钛层可以填补二氧化铈纳米颗粒的表面氧空位，降低表面氧缺陷的形成，使得电子空穴对的辐射组合减少，从而进一步提高了电子传输性能。
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公开(公告)号：CN114276551A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202011039039.6
申请日：2020-09-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种复合纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管，其中，所述复合纳米材料包括金属化合物纳米颗粒以及通过化学键与所述金属化合物纳米颗粒结合的苯胺‑吡啶聚合物，所述苯胺‑吡啶聚合物的化学结构式为本发明通过将金属化合物与苯胺‑吡啶聚合物结合在一起形成复合纳米材料可作为电子传输层或空穴传输层，由于苯胺‑吡啶聚合物的带隙较小，使得复合纳米材料的电子或空穴更加容易由价带被激发到导带，使得载流子浓度增高，有利于电子或空穴的传输，并且苯胺‑吡啶聚合物的修饰可使得金属化合物的表面缺陷减少，抑制了金属化合物表面缺陷对载流子的俘获，从而提高其的电子或空穴的传输性能，进而提高了QLED发光效率和性能。
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公开(公告)号：CN113707777A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010434605.7
申请日：2020-05-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，尤其涉及一种复合材料的制备方法，包括步骤：获取石墨炔和第一金属盐的混合溶液，将还原剂与所述混合溶液混合后进行水热反应，得到金属化石墨炔；获取金属化合物溶液和金属化石墨炔的有机溶液，将所述金属化石墨炔的有机溶液与所述金属化合物溶液混合处理，得到金属化石墨炔掺杂金属化合物的复合材料。本发明提供的复合材料的制备方法，操作简单，适用于工业化大规模生产和应用功能，金属化石墨炔掺杂金属化合物的复合材料，提高了电子传输层的电子传输能力，促进电子‑空穴在发光层中有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，从而提高发光器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN113429810A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010207464.5
申请日：2020-03-23
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米复合材料及其制备方法、薄膜和发光二极管。本发明提供的制备方法包括：在惰性气体气氛下，将金属氧化物纳米颗粒和氟代立方烷类化合物分散在有机溶剂中，进行混合处理，获得包含有纳米复合材料的混合溶液；将混合溶液进行固液分离，获得纳米复合材料。由此制得的纳米复合材料包括：金属氧化物纳米颗粒和氟代立方烷类化合物，所述氟代立方烷类化合物连接所述金属氧化物纳米颗粒。采用氟代立方烷类化合物表面修饰金属氧化物纳米颗粒，有利于提升金属氧化物纳米颗粒表面的空穴迁移率，以平衡复合纳米材料的空穴‑电子传输速率；促进空穴传输层的空穴传输到发光层与电子复合发光，提高QLED器件的发光性能。
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