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公开(公告)号：CN114513169A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210030460.3
申请日：2022-01-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种采用退化电感技术的150‑170GHz宽带低相位误差可变增益放大器，用以用以有效降低不同增益档位之间的相位误差、同时有效扩展带宽。本发明由依次级联的四个可变增益放大器单元电路构成，每个可变增益放大器单元电路在电流舵型cascode结构的基础上、于共基管与共射管的中间节点引入相位补偿电感MTL，通过设计相位补偿电感MTL的电感值(MTLN或MTLP)，使得前两级单元电路与后两级单元电路实现不同的增益‑相位特性(反向变换或同步变换)；最终通过四级单元电路级联实现相位抵消，即有效减小相位误差，实现宽带低相位误差可变增益放大器。
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公开(公告)号：CN113078431B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110324624.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P3/16
Abstract: 本发明属于太赫兹芯片领域，具体提供一种宽带高平坦度太赫兹片间互连结构，包括介质波导于关于介质波导呈轴对称设置的两个片上耦合结构，采用基于共面波导的片上耦合结构设计，将介质波导覆盖连接于基于共面波导的片上耦合结构上，使得芯片信号能够通过片上耦合结构由片上耦合到介质波导中，经过介质波导传输后再通过片上耦合结构传输到另一芯片，实现片间互连。基于共面波导的片上耦合结构基于传输线平缓过渡，且没有巴伦、模式转换器等额外结构的原理特点，使得本发明片间互连结构实现了宽带、高平坦度、低损耗的太赫兹信号传输，并且结构简洁、占用面积小，易于加工、成本低，有效解决了传统太赫兹互连损耗较高、带内波动大的问题。
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公开(公告)号：CN113824466A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111002829.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04B1/401 , H04B1/44 , H03K17/687
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，涉及收发开关，具体提供一种采用新型钳位电阻的超宽带射频收发开关，用以解决现有技术中钳位电阻数量多、阻值大、导致射频收发开关版图面积过大等问题。本发明通过在发射通路的串联堆叠晶体管与并联堆叠晶体管之间、接收通路的串联堆叠晶体管与并联堆叠晶体管之间分别引入一个钳位电阻，有效抑制收发开关的直流电压漂移现象，同时不影响收发开关的隔离度和插入损耗；相比于传统钳位方式，本发明在各个通路中仅需要一个钳位电阻，大大减少钳位电阻的使用数量，且电路结构简单、显著减小收发开关版图面积。
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公开(公告)号：CN108389896B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201810058240.5
申请日：2018-01-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/739
Abstract: 一种有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的双栅隧穿场效应晶体管中，第一沟道区氧化层覆盖沟道区上表面部分区域，第二沟道区氧化层覆盖沟道区下表面部分区域，第一漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第一沟道区氧化层覆盖的沟道区上表面和部分漏区上表面，第二漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第二沟道区氧化层覆盖的沟道区下表面和部分漏区下表面，且第一漏区氧化层的厚度大于第一沟道区氧化层，第二漏区氧化层的厚度大于第二沟道区氧化层。该双栅隧穿场效应晶体管在不影响器件的开态电流的前提下，有效地抑制了器件的双极性电流，保证器件具有较好的开关特性，可应用于大规模集成电路中。
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公开(公告)号：CN111158418A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010020223.X
申请日：2020-01-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体为一种全MOSFET亚阈值带隙基准电压源，用以克服现有的基于亚阈值技术的低电压带隙基准电压源需要用到BJT或二极管、导致占用芯片面积较大的问题。本发明在全MOSFET条件下，PTAT电压产生电路与CTAT电压产生电路均采用由栅极、衬底及源极相接的PMOS管与二极管接法的PMOS管串联的结构；巧妙的通过调节PTAT电压产生电路与CTAT电压产生电路中作为亚阈值电流源的PMOS的沟道长度，从而调节PTAT电压产生电路与CTAT电压产生电路中栅漏电流的大小，使得PTAT电压产生电路产生PTAT电压，CTAT电压产生与PTAT电压温漂系数互补的CTAT电压，进而得到了全MOSFET的低电压、低功耗亚阈值带隙基准电压源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110635667A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910828212.1
申请日：2019-09-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于移动通信领域，具体为一种用于提高功率放大器效率的高效率宽带电源调制器，用于解决传统混合型电源调制器难以满足更高信号带宽下实现高效率、低输出纹波的需求、以及滞回控制环路工作在很高频率范围(VHF,30-300MHz)的电流检测问题。本发明电源调制器包括：线性放大器、电容型电流积分检测电路、滞回控制器、驱动级及三电平开关变换器，采用电容型电流积分检测方式，三电平降压型变换器与宽带线性放大器并联工作，滞回控制混合型电源调制器结构。本发明电源调制器在更高信号带宽下实现高效率、低输出纹波，能够满足第四代(4G)、第五代(5G)移动通信系统对射频前端的需求。
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公开(公告)号：CN109981100A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910175775.5
申请日：2019-03-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于数模混合电路领域，具体提供一种嵌入混频器的低相位噪声锁相环结构，通过在压控振荡器与除法器之间嵌入混频器的方式，将压控振荡器的输出频率下变频后再输出到除法器。相较于传统的锁相环结构，本发明提供的一种嵌入混频器的低相位噪声锁相环结构大大减小了除法器的分频比，以此降低锁相环的带内相位噪声，最终获得了更优的积分相位噪声。
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公开(公告)号：CN109755306A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910023720.2
申请日：2019-01-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供一种无结型双栅线隧穿场效应晶体管，用以提升无结型隧穿场效应晶体管开态电流；本发明隧穿场效应晶体管通过源区金属与漏区金属的功函数与沟道区半导体电子亲和势的差值，在未掺杂或轻掺杂的沟道中通过电学掺杂形成P型掺杂特性源区与N型掺杂特性漏区；改变了传统无结型双栅隧穿晶体管上下对称的双栅结构，使顶层金属栅与底层金属栅具备长度差、即非对称双栅结构，在无结型双栅隧穿场效应晶体管的中引入载流子线隧穿，并以线隧穿为主；同时，可通过增加顶层金属栅的延伸长度，缩短底层金属栅长度来增加顶层金属栅与底层金属栅长度差值，增大晶体管的线隧穿面积，提升载流子隧穿几率，有效提升了器件的开态电流。
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公开(公告)号：CN109257043A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811250057.1
申请日：2018-10-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明属于数字电路领域，具体提供一种应用于锁相环频率综合器的高速宽带除法链，用以克服现有除法链中由于2/3分频器的结构决定了其工作速度上限不会很高的问题。本发明通过对第一级2/3分频器(RLEHS 2/3分频器)与后级2/3分频器(RLEHS 2/3分频器)的创新性设计，使第一级2/3分频器与与后级2/3分频器的结构得到简化、工作速度得到提升，同时，第一级2/3分频器中的3输入与门与2输入与门均采用有比逻辑设计，进一步提高了所述第一级2/3分频器的工作速度；从而大大提高除法链工作速度上限，满足基于毫米波的5G通信芯片的时钟频率要求。
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公开(公告)号：CN103135533A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310036021.4
申请日：2013-01-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明涉及一种用于远程终端控制系统的主控装置，用于油气井数据采集和传输，系统包括主站、从站、上位机，从站与主站，主站与上位机之间用以太网通信，所述主站和从站配置有主控装置，主控装置的结构以ARM9主控处理器为中心，外围连接数字量输入模块、数字量输出模块、模拟量输入模块、RS485模块、RS232模块、Zigbee模块、以太网模块、存储器模块和EEPROM与测温模块，实现采集数字量、控制数字量输出、采集模拟量、RS485通信、RS232通信、无线通信、以太网通信、存储采集数据和存储配置信息与温度测量；在ARM9主控处理器的系统软件增加配置程序，用于选择主站/从站工作模式，实现其工作模式灵活选择。
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