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公开(公告)号：CN106112009A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610733653.X
申请日：2016-08-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种铑铂合金纳米花的制备方法，属于纳米材料领域。本发明方法是将铑和铂的前驱体溶解后，加入到修饰剂溶液中，并于160～220℃下搅拌反应1～3h，离心得到铑铂合金纳米花；制得的铑铂合金纳米花状结构由许多根密集的花蕊组成，尺寸分布均匀、分散性好而且合金成分可控。本发明方法操作极其简单，重复性高，对反应条件不灵敏，且较容易实现，能够规模化生产，在催化、尾气处理、医药、传感等方面有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN104201335B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410407070.9
申请日：2014-08-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/136 , H01M4/1397 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米片状磷酸铁锂及其制备方法，所述纳米片状磷酸铁锂的微观形貌为厚度10～100nm，长度600～800nm，宽度200～300nm的片状结构，并且垂直于厚度的方向为[010]。所述制备方法包括以下步骤：将CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)和VC(L‑抗坏血酸)溶于水，加入磷源、亚铁源和锂源，混合均匀后进行水热反应，反应完成后将产物过滤、洗涤、干燥，制得所述的纳米片状磷酸铁锂。本发明制备的磷酸铁锂形貌规则，大小均匀，作为锂离子电池负极材料，独特的片状结构可以缩短充放电过程中锂离子的传输距离，从而改善电极材料的电化学性能；本发明采用水热法合成磷酸铁锂，具有能耗低、适用性广、步骤简单、容易控制、易于重复和放大等优点。
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公开(公告)号：CN104722775B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201510106358.7
申请日：2015-03-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种二维中空钯纳米晶的制备方法，将钯纳米种子、钯前驱体、溴离子修饰剂、还原剂和分散剂加入到溶剂中进行反应，制备得到二维中空钯纳米晶；所述钯纳米种子为钯纳米片。本发明制备方法以纳米片作为种子经过一步反应就能制备得到二维中空钯纳米晶，操作简单，反应条件温和，所用试剂较为便宜，毒性小，易实现。本发明还公开了所述制备方法制得的二维中空钯纳米晶，所述二维中空钯纳米晶上下表面为{111}晶面，二维中空钯纳米晶的厚度为2nm～4nm，所述二维中空钯纳米晶是一种超薄环状结构，提高了材料比表面积和原子利用率，有效增强了钯纳米晶的催化性能。
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公开(公告)号：CN105826528A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610165059.5
申请日：2016-03-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/364 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔硅?铜复合材料的方法，具体为：将CuO、Mg2Si两种粉体原料均匀混合，在600～700℃下进行热处理，再经酸洗及后处理得到所述的多孔硅?铜复合材料。本发明的制备工艺简单，具有很大的操作性，所采用的原料来源丰富，价格便宜，所使用的方法途径容易在工厂中进行，特别是巧妙利用了镁和氧化铜的置换反应，在制得多孔硅的同时，生成纳米级的铜颗粒均匀弥散于多孔硅的表面，更加充分的发挥了铜对整个材料体系导电性的提高作用和铜颗粒对硅在脱嵌锂离子时的体积变化的缓冲作用。是一种潜在的可大规模合成结构独特的硅?铜复合材料的方法。
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公开(公告)号：CN105826527A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610164963.4
申请日：2016-03-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/364 , H01M4/583 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种多孔硅?碳复合材料的制备方法，具体为：将硅化镁粉末置于CO2/Ar混合气氛下，在700～900℃下进行热处理，再经酸洗及后处理得到所述的多孔硅?铜复合材料；所述的CO2/Ar混合气氛中，CO2的体积分数为10～90％。本发明的工艺简单，易于重复，可实现大规模的工业化生产。制备得到的多孔硅?碳复合材料作为负极材料应用于锂离子电池中，将显著提高锂离子电池的循环稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105618784A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610013480.4
申请日：2016-01-08
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0044 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种枝状的铜钯纳米晶合金的制备方法，将钯前驱体、铜前驱体和分散剂溶解于溶剂中，继续加入还原剂，在120～160℃下反应1～2h，离心分离得到枝状的铜钯纳米晶合金；所述的钯前驱体选自乙酰丙酮钯、醋酸钯或硝酸钯；所述的铜前驱体选自乙酰丙酮铜、氯化铜、硝酸铜或硫酸铜；本发明还涉及一种枝状的铜钯纳米晶合金。该制备方法，可以制备尺寸大小可调、分散性好的枝状纳米晶，且制备方法简单，重复性高，成本低。
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公开(公告)号：CN104617484A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510033587.0
申请日：2015-01-23
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜的电抽运随机激光器，包括硅衬底，硅衬底的正面自下而上依次设有ZnO薄膜、SiO2薄膜和半透明电极，硅衬底背面设有欧姆接触电极，所述ZnO薄膜和SiO2薄膜之间设有MoO3薄膜。本发明还公开了该电抽运随机激光器的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底正面采用射频磁控溅射沉积ZnO薄膜；(2)在ZnO薄膜上采用射频磁控溅射沉积MoO3薄膜；(3)在MoO3薄膜上采用溶胶-凝胶法沉积SiO2薄膜；(4)在SiO2薄膜上溅射半透明电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。与现有技术相比，本发明基于ZnO薄膜的电抽运随机激光器的阈值电压显著降低，光输出功率明显提高。
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公开(公告)号：CN104495765A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410750725.2
申请日：2014-12-09
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明公开了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，以多孔硅为原料，在氮气气氛下，依次经高温煅烧、研磨处理，得到所述的高α相氮化硅。本发明提供了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，高效制备得到了高α相含量、粒径分布均匀的氮化硅，本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗，成本低廉，适合于大规模的工业化生产。
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公开(公告)号：CN102610724B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210094513.4
申请日：2012-04-01
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件及制备方法，该电致发光器件包括P型硅衬底，所述的P型硅衬底正面自下而上依次沉积有绝缘层、发光层和电极层，P型硅衬底背面沉积有欧姆接触电极；所述的发光层为CdZnO薄膜。本发明采用P型硅片为衬底，以CdZnO薄膜为主要发光材料，结合绝缘层、电极层等，通过合适的工艺制备获得了CdZnO/绝缘层/p+-Si结构的电致发光器件。本发明方法工艺简单，制备周期短，对设备要求不高，与现行成熟的硅器件工艺兼容；所制得的电致发光器件结构简单，开启电压低，在一定的正向偏压下能够实现在可见区的电致发光，且发光效率高。
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