一种含铝的钨酸盐超低介电常数微波介电陶瓷

    公开(公告)号:CN106986638A

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201710268603.3

    申请日:2017-04-23

    Inventor: 唐莹 段炼 苏和平

    Abstract: 本发明公开了一种含铝的钨酸盐温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li3Al3W2O12及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Al2O3和WO3的原始粉末按Li3Al3W2O12的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到8.2~8.8,其品质因数Qf值高达92000‑113000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    一种含锂的钨酸盐温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷

    公开(公告)号:CN106966726A

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:CN201710273305.3

    申请日:2017-04-24

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiGd3W2O11及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Gd2O3和WO3的原始粉末按LiGd3W2O11的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到11.7~12.5,其品质因数Qf值高达78000‑106000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2SrSnO4

    公开(公告)号:CN106278241A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610569456.9

    申请日:2016-07-19

    CPC classification number: C04B35/457 C04B2235/3203 C04B2235/3213

    Abstract: 本发明公开了一种高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2SrSnO4及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、SrCO3和SnO2的原始粉末按Li2SrSnO4的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1150℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1200~1250℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1250℃以下烧结良好,介电常数达到24.1~25.5,其品质因数Qf值高达76000-106000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    超低介电常数微波介电陶瓷Li2Ga4Si3O13

    公开(公告)号:CN106278215A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610587169.0

    申请日:2016-07-23

    CPC classification number: C04B35/16 C04B2235/3203 C04B2235/3286

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2Ga4Si3O13及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Ga2O3和SiO2的原始粉末按Li2Ga4Si3O13的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到6.1~6.8,其品质因数Qf值高达88000-112000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    LiGaGeO4作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用

    公开(公告)号:CN106167397A

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201610485098.3

    申请日:2016-06-26

    Inventor: 方亮 段炼 苏和平

    Abstract: 本发明公开了一种锗酸盐LiGaGeO4作为低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷的应用及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Ga2O3和GeO2的原始粉末按LiGaGeO4的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到6.7~7.4,其品质因数Qf值高达77000‑106000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    温度稳定型高品质因数微波介电陶瓷LaEuW2O9及其制备方法

    公开(公告)号:CN104671785B

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201510055360.6

    申请日:2015-02-03

    Abstract: 本发明公开了一种温度稳定型高品质因数微波介电陶瓷LaEuW2O9及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的La2O3、Eu2O3和WO3的原始粉末按LaEuW2O9的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷烧结良好,介电常数达到9.3~9.9,其品质因数Qf值高达174000‑192000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    温度稳定型高品质因数微波介电陶瓷Nd2La2W3O15及其制备方法

    公开(公告)号:CN104671784B

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201510055346.6

    申请日:2015-02-03

    Abstract: 本发明公开了一种温度稳定型高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷Nd2La2W3O15及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Nd2O3、La2O3和WO3的原始粉末按Nd2La2W3O15的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1080℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1130~1180℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷烧结良好,介电常数达到9.6~10.2,其品质因数Qf值高达142000‑185000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    一种超低介电常数温度稳定型微波介电陶瓷Li2Mg4Si4O13

    公开(公告)号:CN104628369B

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201510059837.8

    申请日:2015-02-05

    Inventor: 方亮 王丹 苏和平

    Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2Mg4Si4O13及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、MgO和SiO2的原始粉末按Li2Mg4Si4O13的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在900℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在950~990℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在950~990℃烧结良好,介电常数达到12.1~12.8,其品质因数Qf值高达105000‑137000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    LiGaGe2O6作为高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷的应用

    公开(公告)号:CN106145899A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201610485059.3

    申请日:2016-06-26

    Inventor: 方亮 段炼 苏和平

    Abstract: 本发明公开了一种锗酸盐LiGaGe2O6作为高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷的应用及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Ga2O3和GeO2的原始粉末按LiGaGe2O6的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到5.9~6.4,其品质因数Qf值高达87000‑109000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

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