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公开(公告)号：CN1645198A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510008062.8
申请日：1994-06-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L27/02 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/2022 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/167 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素，然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上，晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位，按以下方式形成半导体器件的有源区，即根据所期望的有源区迁移率，来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。
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公开(公告)号：CN1165988C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN01132999.8
申请日：1995-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F1/136227 , H01L29/78636
Abstract: 一对形成有源矩阵液晶显示器的衬底，它们由具有柔韧性和透明性的树脂构成。一薄膜晶体管有一半导体层，该层形成于已形成在树脂衬底上的树脂薄膜上。形成该树脂层以阻止在薄膜的形成和使树脂衬底表面平面化过程中，在树脂衬底表面上产生齐聚物。
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公开(公告)号：CN1146955C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN96123975.1
申请日：1996-12-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/2022 , H01L21/3221
Abstract: 半导体器件的制造方法，非晶硅膜中引入镍元素后，进行第1热处理使其结晶。获得结晶硅膜后用与第1热处理相同的方法进行第2热处理，所用处理气氛中加HCl等气体，除去结晶硅膜中所含Ni元素，用该方法能获得结晶度高和其中含金属元素浓度低的结晶硅膜。
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公开(公告)号：CN1485892A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN01103022.4
申请日：1995-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/2026 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/67213 , H01L21/67225 , H01L21/67236
Abstract: 一种激光处理设备提供一加热腔，一用于激光照射的腔以及一机器人臂，其中在其上形成用激光照射的硅膜的基片的温度在加热腔中被加热到450－750℃，接着用激光照射该硅膜，结果能得到具有单晶或能够被认为是单晶的硅膜。
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公开(公告)号：CN1115713C
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN95115832.5
申请日：1995-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/2026 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/67213 , H01L21/67225 , H01L21/67236
Abstract: 一种激光处理设备提供一加热腔，一用于激光照射的腔以及一机器人臂，其中在其上形成用激光照射的硅膜的基片的温度在加热腔中被加热到450-750℃，接着用激光照射该硅膜，结果能得到具有单晶或能够被认为是单晶的硅膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1385899A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN01132999.8
申请日：1995-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F1/136227 , H01L29/78636
Abstract: 一对形成有源矩阵液晶显示器的衬底,它们由具有柔韧性和透明性的树脂构成。一薄膜晶体管有一半导体层,该层形成于已形成在树脂衬底上的树脂薄膜上。形成该树脂层以阻止在薄膜的形成和使树脂衬底表面平面化过程中,在树脂衬底表面上产生齐聚物。
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公开(公告)号：CN1083617C
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN95119479.8
申请日：1995-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L29/786 , G02F1/13
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F1/136227 , H01L29/78636
Abstract: 一对形成有源矩阵液晶显示器的衬底，它们由具有柔韧性和透明性的树脂构成。一薄膜晶体管有一半导体层，该层形成于已形成在树脂衬底上的树脂薄膜上。形成该树脂层以阻止在薄膜的形成和使树脂衬底表面平面化过程中，在树脂衬底表面上产生齐聚物。
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公开(公告)号：CN1079987C
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN95118410.5
申请日：1995-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/423 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , Y10S148/016 , Y10S148/093
Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。
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公开(公告)号：CN1295348A
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：CN00133999.0
申请日：1995-08-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78645 , H01L29/78654
Abstract: 用激光照射局部形成可以被认为是单晶体的区域106,并用这些区域至少构成沟道形区域112。通过具有这种结构的薄膜晶体管,就能得到与利用单晶体构成的薄膜晶体管类似的特性。此外,通过并联连接多个这样的薄膜晶体管,就能得到实际上与沟道宽度增加的单晶体薄膜晶体管相同的特性。
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公开(公告)号：CN1052115C
公开(公告)日：2000-05-03
申请号：CN94109535.5
申请日：1994-06-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L49/00 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L27/1214 , H01L27/1277 , H01L29/66765 , H01L29/78675
Abstract: 一种绝缘栅场效应晶体管包括一硅沟道区。该硅用加热退火法晶化而适当的金属元素诸如镍之类协助晶化。该晶化在硅膜中横向从直接引入镍的部分发生。该TFT按这种方式设置，使TFT的源－漏方向与晶体生长的方向相一致或在所要求的方向与晶体生长方向相交叉。
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