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公开(公告)号：CN114387998B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110838075.7
申请日：2021-07-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 提供能够评价磁头的特性的磁头的评价方法及磁头的评价装置。根据实施方式，磁头的评价方法包括取得在向包括第1磁极、第2磁极、磁元件及线圈的磁头的所述线圈供给了第1交流电流且向所述磁元件供给了第2电流时从所述磁元件得到的电信号。所述磁元件设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，包括第1磁性层。所述评价方法包括基于所述电信号来检测以所述第1交流电流的极性反转的时刻为基准的所述磁元件的电阻的变化所需的时间。
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公开(公告)号：CN118173126A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202310946074.3
申请日：2023-07-31
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和控制部。磁头包括第1磁极、第2磁极、设置于第1磁极与第2磁极之间的磁元件、与第1磁极电连接的第1端子、与第2磁极电连接的第2端子、以及线圈。控制部与第1端子、第2端子及线圈电连接。磁元件的一端与第1磁极电连接。磁元件的另一端与第2磁极电连接。控制部能够进行记录动作。控制部在记录动作中，在向第1端子与第2端子之间施加第1电压以上且第2电压以下的元件电压的同时向线圈供给记录电流。
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公开(公告)号：CN116665718A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210958794.7
申请日：2022-08-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、层叠体和第1～第3端子。层叠体设置于第1磁极与第2磁极之间。层叠体包括第1～第4磁性层和第1～第5非磁性层。第1端子与第1磁极电连接。第2端子与第2磁极电连接。第3端子与第3非磁性层电连接。
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公开(公告)号：CN116596082A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210904301.1
申请日：2022-07-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G06N20/00 , G06F18/2411
Abstract: 提供一种能够提高精度的数据处理装置、数据处理系统、以及数据处理方法。数据处理装置包含处理部。处理部取得第1分类标签所对应的多个第1特征量、和第2分类标签所对应的多个第2特征量。处理部从多个第1特征量中选择多个第1特征量的至少一部分。从多个第2特征量中选择多个第2特征量的至少一部分。处理部实施第1动作。在第1动作中，所选择出的多个第1特征量的至少一部分的数量即第1数量是所选择出的多个第2特征量的至少一部分的数量即第2数量的1.1倍以上且2倍以下。处理部基于第1教师数据生成第1机器学习模型，所述第1教师数据是基于所选择出的所述多个第1特征量的至少一部分、以及所选择出的多个第2特征量的至少一部分的数据。
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公开(公告)号：CN115410603A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210078110.4
申请日：2022-01-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素。第2磁性层包含(Fe100‑xCox)100‑yEy(10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％)。第2元素E包括选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。第1磁性层不包含第2元素，或者，第1磁性层中的第2元素的浓度比第2磁性层中的第2元素的浓度低。
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公开(公告)号：CN114974316A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110859082.5
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极以及设置在第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置在第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置在第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置在第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置在第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置在第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层以及设置在第2磁极与第3磁性层之间的第4非磁性层。沿着从第1磁极朝向第2磁极的第1方向的第1磁性层的第1厚度比沿着第1方向的第2磁性层的第2厚度厚。沿着第1方向的第3磁性层的第3厚度比第2厚度厚。
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公开(公告)号：CN112466340B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010168901.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间的第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2磁性层和设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性的中间层。所述磁极与所述第1磁性层之间的沿着从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向的第1距离，为所述磁极与所述第1屏蔽件之间的沿着所述第1方向的第2距离的1％以上且10％以下。
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公开(公告)号：CN112151075B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010160041.2
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 提供能够评价振荡频率的磁头的评价方法以及磁头的评价装置。根据一个实施方式，磁头的评价方法包括：实施向包括电流路径的磁头施加了交流磁场时的所述电流路径的电特性的测定，该电流路径包括振荡器。所述评价方法包括：基于所述电特性来实施关于所述振荡器的振荡频率的频率值的导出。
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公开(公告)号：CN110875062B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910184610.4
申请日：2019-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供一种能够提高记录密度的磁头及磁记录再现装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽区域、第2屏蔽区域以及第1层叠体。从所述磁极向所述第1屏蔽区域的方向沿着第1方向。从所述磁极向所述第2屏蔽区域的方向与所述第1方向交叉。所述第1层叠体设置于所述磁极与所述第2屏蔽区域之间。所述第1层叠体包括：第1磁性层，包含选自Fe、Co以及Ni中的至少一个；第1导电层，设置于所述磁极与所述第1磁性层之间；以及第2导电层，设置于所述第1磁性层与所述第2屏蔽区域之间。所述第1方向沿着所述磁极相对的磁记录介质与所述磁极之间的相对的移动方向。
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公开(公告)号：CN103730135A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310467368.4
申请日：2013-10-09
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/738 , G11B5/7325 , G11B5/84
Abstract: 一种磁记录介质（50），是在非磁性基板（1）之上至少层叠有控制正上层的取向性的取向控制层（9）、和易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层（4）的磁记录介质（50），取向控制层（9）具备：包含Ru或Ru合金的含Ru层（3）；和设置于含Ru层（3）的垂直磁性层（4）侧，包含熔点为1500℃以上4215℃以下的、共价键合或离子键合的材料，防止含Ru层（3）的Ru原子的热扩散的防止扩散层（8），垂直磁性层（4）包含通过防止扩散层（8）继承含Ru层（3）的晶粒的晶体结构、并与晶粒一同在厚度方向连续的柱状晶体。
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