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公开(公告)号：CN204067306U
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201420153162.4
申请日：2014-03-31
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 中西宏和 , 岩崎康范 , 高垣达朗 , 宫泽杉夫 , 井出晃启
IPC: H01L21/02
Abstract: 本实用新型提供一种处理基板和半导体用复合晶片。半导体用复合晶片的处理基板由多结晶透光性氧化铝形成。该处理基板中Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ和Ｚｎ的表面金属污染量分别在1.0×1011ａｔｏｍ／ｃｍ2以下，处理基板的接合面的表面粗糙度Ｒａ为6ｎｍ以下。
