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公开(公告)号:CN101087127B
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200710108911.6
申请日:2007-06-04
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/0222 , H03H9/02834 , H03H9/02929
Abstract: 本发明提供声界面波器件、谐振器和滤波器。该声界面波器件包括:具有压电性的第一介质;多个电极,其设置在所述第一介质上,并激发声波;第二介质,其由不同于所述第一介质的材料制成,并按覆盖所述多个电极的方式设置在所述第一介质上;以及第三介质,其导热率高于所述第二介质的导热率,并被设置为接触所述第二介质的上表面以及所述第二介质的侧面的至少一部分。
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公开(公告)号:CN1921304B
公开(公告)日:2010-05-12
申请号:CN200610126551.8
申请日:2006-08-25
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/706 , H03H9/0042 , H03H9/02157 , H03H9/0576 , H03H9/14517 , H03H9/14526 , H03H9/14547 , H03H9/14552 , H03H9/14594 , H03H9/174 , H03H9/6483 , H03H9/72 , H03H9/725 , H03H2003/0428 , H03H2003/0435
Abstract: 本发明提供了一种滤波器以及天线分波器。本发明的课题是提供可小型化并且可以提高设计自由度的滤波器以及天线分波器。作为解决手段,本发明的滤波器、天线分波器和分波器的特征在于,具有:第1谐振子;第2谐振子(S31),其与第1谐振子相比减低了激励效率;以及电感器(L31),其与第2谐振子(S31)并联连接。根据本发明,可以减小为了改善衰减特性而在谐振子上附加的电感器,可削减安装面积。并且,可任意地设定2个反谐振点。
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公开(公告)号:CN101588162A
公开(公告)日:2009-11-25
申请号:CN200910150389.7
申请日:2006-08-25
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/706 , H03H9/0042 , H03H9/02157 , H03H9/0576 , H03H9/14517 , H03H9/14526 , H03H9/14547 , H03H9/14552 , H03H9/14594 , H03H9/174 , H03H9/6483 , H03H9/72 , H03H9/725 , H03H2003/0428 , H03H2003/0435
Abstract: 本发明提供了一种滤波器以及天线分波器。本发明的课题是提供可小型化并且可以提高设计自由度的滤波器以及天线分波器。作为解决手段,本发明的滤波器、天线分波器和分波器的特征在于,具有:第1谐振子;第2谐振子(S31),其与第1谐振子相比减低了激励效率;以及电感器(L31),其与第2谐振子(S31)并联连接。根据本发明,可以减小为了改善衰减特性而在谐振子上附加的电感器,可削减安装面积。并且,可任意地设定2个反谐振点。
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公开(公告)号:CN100527613C
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200710085821.X
申请日:2007-02-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/0222 , H03H9/02559 , H03H9/14541 , H03H9/6483
Abstract: 本发明公开了一种弹性边界波器件、谐振器以及滤波器。所述弹性边界波器件包括:LiNbO3基板;设置在所述基板上并激励弹性波的电极;以及设置在所述基板上以覆盖所述电极的二氧化硅膜,并且所述弹性边界波器件的参数具有范围中的任意一个,其中,“θ”为所述基板的旋转Y切割角,“a”为铜密度与用作所述电极的材料的密度之比,“λ”为由所述电极激励的弹性波的波长,“h”为所述电极的膜厚度,“H”为所述二氧化硅膜的厚度。
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公开(公告)号:CN100511996C
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200510051298.X
申请日:2005-03-03
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/02559 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 接合基板、表面声波芯片以及表面声波器件。接合基板包括钽酸锂基板及与钽酸锂基板相接合的蓝宝石基板,钽酸锂基板和蓝宝石基板的接合界面包括厚度为0.3nm到2.5nm、处于非晶态的接合区域。处于非晶态的接合区域是通过利用惰性气体或氧的中性化原子束、离子束或者等离子体在接合界面中激活钽酸锂基板和蓝宝石基板中的至少一方来形成的。可以无需高温热处理而将压电基板与具有不同晶格常数的支撑基板相接合,并且可以实现具有优良接合强度和更小翘曲的接合基板。
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公开(公告)号:CN100505536C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200610082658.7
申请日:2006-05-24
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/568 , H03H9/6483 , H03H9/6493 , H03H9/706 , H03H9/725
Abstract: 本发明提供了一种声波滤波器和声波双工器。该声波滤波器包括:梯型滤波器,具有按串联支路和并联支路连接的声波谐振器;电感器,设置在地与所述梯型滤波器的并联支路谐振器中的至少一个之间;以及谐振电路,与电感器并联设置,并且位于地与梯型滤波器中的并联支路谐振器之间。在该声波滤波器中,谐振电路的谐振频率表示为:2f0-150MHz<fr<2f0+150MHz或3f0-150MHz<fr<3f0+150MHz,其中,fr表示谐振频率,而f0表示梯型滤波器的通带频率。由此构成的声波滤波器能够限制通带附近的衰减的减小,并且可以增大高频下的衰减。
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公开(公告)号:CN100505531C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200510117007.2
申请日:2005-10-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02149 , H03H9/02118 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H2003/0428
Abstract: 压电薄膜谐振器及使用该压电薄膜谐振器的滤波器。一种压电薄膜谐振器,其包括:基板;形成在该基板上的下电极;形成在该下电极和基板上的压电薄膜;以及形成在该压电薄膜上的上电极,该压电薄膜部分地插入在彼此相对的下电极和上电极之间。在这种压电薄膜谐振器中,插入在该上电极和下电极之间的压电薄膜的外部周边的至少一部分与由彼此相对的上电极和下电极形成的区域的外部周边相交叠。
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公开(公告)号:CN101150302A
公开(公告)日:2008-03-26
申请号:CN200710153441.5
申请日:2007-09-19
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02559 , H03H9/0057 , H03H9/02574 , H03H9/02929 , H03H9/14538 , H03H9/6469
Abstract: 本发明涉及声波器件和滤波器。所述声波器件包括压电基板,在所述压电基板上形成的第一介电膜,以及在所述第一介电膜上设置的并且激发声波的多个电极,所述电极包括多个电极指。在所述电极指中的相邻电极指之间,所述第一介电膜的至少一部分被切除。
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公开(公告)号:CN101145767A
公开(公告)日:2008-03-19
申请号:CN200710149287.4
申请日:2007-09-11
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02559 , H03H9/0038 , H03H9/0222 , H03H9/02574 , H03H9/6469
Abstract: 本发明公开了声波器件和滤波器。该声波器件包括压电基板、设置在所述压电基板上的第一介电膜、设置在所述第一介电膜上并激发声波的电极,以及设置成覆盖所述电极并且比所述电极更厚的第二介电膜。
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公开(公告)号:CN101083460A
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200710105462.X
申请日:2007-05-31
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H03H9/54
CPC classification number: H03H9/605 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/02141 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供具有多个压电薄膜谐振器的滤波器。所述多个压电薄膜谐振器各自具有:基板、形成在所述基板上的下电极、形成在所述下电极上的压电膜、以及隔着所述压电膜与所述下电极彼此相对地设置在所述压电膜上的上电极。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第一谐振器:所述第一谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分比所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部更靠外。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第二谐振器:所述第二谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分与所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部基本一致,或者比所述区域的外侧曲部更靠内。
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