公开(公告)号：CN104409587A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410565126.3

申请日：2014-10-22

Applicant: 太原理工大学

Inventor： 翟光美 ,  李学敏 ,  梅伏洪 ,  张华 ,  马淑芳 ,  刘青明 ,  李小杜 ,  王皓田 ,  许并社

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0008 ,  H01L2933/0066

Abstract: 本发明提供了一种InGaN基蓝绿光发光二极管的外延生长方法及其结构，其外延结构的生长方法包括以下具体步骤：将蓝宝石衬底在氨气气氛中进行高温退火处理，将温度降低至530-580度，并调整外延生长气氛以生长低温InGaN成核层，之后升高温度并依次生长InGaN非故意掺杂层、n型InGaN层、InyGa1-yN/InxGa1-xN（y>x）多量子阱有源层、p-AlInGaN电子阻挡层、p型InGaN层和p++型InGaN接触层。本发明所提供的InGaN基蓝绿光LED外延结构由于减小了量子阱材料与基体材料的晶格失配，可有效减小有源区中的压电极化场，从而提高发光效率。

公开(公告)号：CN104201266A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410470409.X

申请日：2014-09-16

Applicant: 太原理工大学

Inventor： 梅伏洪 ,  翟光美 ,  张华 ,  许并社

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基深紫外LED的有源区结构，可增强光的提取效率。该结构由五个周期的量子阱构成，每个量子阱由充当势垒的高铝组分AlGaN层和充当势阱的AlN/GaN超晶格组成。该结构的发光波长处于深紫外范围（224～247nm)，可通过改变超晶格中AlN和GaN的厚度调节。该有源区结构用于c面深紫外LED，可改善发射光的空间分布，使从外延片表面发出的光占主导，从而提高LED的表面发光强度。与具有相同发光波长的传统深紫外LED的有源区相比，本发明提出的深紫外LED有源区结构具有更高的表面发光强度，从而提高深紫外LED的光提取效率。

公开(公告)号：CN104174849A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410365927.5

申请日：2014-07-29

Applicant: 太原理工大学

Inventor： 樊建锋 ,  张华 ,  张文磊 ,  董洪标 ,  许并社

IPC: B22F3/14 ,  C22F1/06

Abstract: 本发明涉及以一种细晶镁合金块的制备方法，是针对镁合金强度、硬度低和耐腐蚀性差的情况，采用高压低温烧结法，对大颗粒的镁合金粉进行动态结晶，获得高致密度的均匀的细晶镁合金烧结体，即细晶镁合金块，此制备工艺方法先进，不添加增强剂，迅速快捷，数据翔实精确，制备的细晶镁合金块合金晶粒尺寸≤10μm，致密度达到99.5%，显微维氏硬度达103.8HV，且均匀性好，是十分理想的制备细晶镁合金块的方法。

公开(公告)号：CN103894435A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410118656.3

申请日：2014-03-27

Applicant: 太原理工大学

Inventor： 张华 ,  樊建锋 ,  程伟丽 ,  许并社 ,  董洪标

IPC: B21C23/00 ,  B21C23/08 ,  B21C23/21

Abstract: 一种制备超细晶粒镁合金的方法，属于有色金属塑性加工技术领域,所述超细晶粒镁合金包括超细晶粒镁合金管和超细晶粒镁合金块，它包括制备超细晶粒镁合金的往复挤压装置，其特征是制备超细晶粒镁合金管的步骤包括：固定往复挤压模具——预热镁合金坯料——设备加热——置放镁合金坯料——往复挤压变形-——静置——超细晶粒镁合金出品。本发明能实现制备超细晶粒镁合金管材或超细晶粒镁合金块，生产效率更高，应用范围更广泛。