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公开(公告)号：CN112466846B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202011329699.8
申请日：2020-11-24
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种TSV结构及其制备方法，所述TSV结构包括：衬底结构；通孔结构，所述通孔结构设置在所述衬底结构内部并上下贯穿所述衬底结构；嵌入层，所述嵌入层设置在所述通孔结构内壁并插入所述衬底结构内部；化合物层，所述化合物层设置在所述通孔结构内壁，所述化合物层与所述嵌入层的接触部位设置有反应生成层；金属互连结构，所述金属互连结构设置在所述通孔结构内壁；其中，所述金属互连结构顶端设置有顶部金属接触层，所述金属互连结构底端设置有底部金属接触层，本发明的TSV结构不仅能够实现芯片之间的快速互连，而且具有良好的散热效果，有效提高了TSV结构的性能。
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公开(公告)号：CN111463212B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010172782.2
申请日：2020-03-12
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11521 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种快速可擦写浮栅存储器及其制备方法。本发明的快速可擦写浮栅存储器，包括：衬底；覆盖衬底的阻挡层，其为绝缘介质；形成在阻挡层上的浮栅；平行邻接放置在所述浮栅上的第一异质结和第二异质结，由二维材料组成；覆盖第一异质结和所述第二异质结的隧穿层，其为二维材料；形成在所述隧穿层上的沟道层，其为二维材料；以及形成在沟道层表面的源极和漏极。本发明采用两个导通方向相反的二维半导体材料构成的异质结作为电荷擦写通道，能够有效改善电荷擦写速度的对称性、加快读写速度。
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公开(公告)号：CN111769078B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010562314.6
申请日：2020-06-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明属于集成电路封装技术领域，具体为一种用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法。本发明通过在硅衬底上外延一层SiGe材料；然后在SiGe材料表面外延一层Si材料，之后选择性去除SiGe材料，从而使顶层Si材料与底部硅衬底分离，获得TSV无源转接板基底。本发明简化了制造工艺，而且无需损坏硅衬底，有利于获得厚度只有几微米的TSV无源转接板基底。
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公开(公告)号：CN112038285B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010628729.9
申请日：2020-07-01
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种用于三维封装的Si/SiGe通孔有源转接板的制备方法。通过在硅衬底上外延SiGe/Si/SiGe叠层，随后选择性去除第一层SiGe材料，从而Si材料/第二层SiGe材料与底部硅衬底分离，Si材料/第二层SiGe材料作为制备有源转接板的基底，工艺简单，无需损坏硅衬底，有效降低了生产成本。并且，由于SiGe中的载流子迁移率要比Si中的载流子迁移率高，所以在SiGe表面制备有源器件可以获得具有较高工作速度的器件。
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公开(公告)号：CN114203705A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111528267.4
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器结构，包括多个呈阵列分布的晶体管单元，同一行所述晶体管单元沿第一方向依次设置，所述晶体管单元包括沿所述第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道方向、第一共栅互补场效应晶体管沟道方向、第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向和第二传输管的沟道方向均平行于所述第一方向，所述晶体管单元的第二传输管与在所述第一方向上相邻的所述晶体管单元的第一传输管堆叠设置在一起形成共栅结构，能够减少第一传输管和所述第二传输管所占的面积，提高电路集成度，并降低制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203704A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111525682.4
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一共栅互补场效应晶体管、传输单元和第二共栅互补场效应晶体管，所述传输单元包括堆叠设置的第一传输管和第二传输管，所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道方向、所述传输管单元的沟道方向和所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向均平行于所述第一方向，堆叠设置的第一传输管和第二传输管，能够极大减少单个第一传输管和单个第二传输管所占面积，极大的降低了所占用的面积，提高了电路集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。
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公开(公告)号：CN112186055B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202011055833.X
申请日：2020-09-29
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/05 , H01L31/072 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/48
Abstract: 本发明提供了一种组合式太阳能三维集成系统及其制备方法，所述集成系统包括顶部太阳能电池、底部太阳能电池、第一硅通孔结构和第二硅通孔结构，所述顶部太阳能电池设置在所述底部太阳能电池上方，且所述顶部太阳能电池和所述底部太阳能电池之间通过衬底结构作为共用电极，所述共用电极与所述第一硅通孔结构电连接，所述顶部太阳能电池的顶部电极和所述底部太阳能电池的底部电极通过第二硅通孔结构电连接，使得所述顶部太阳能电池和所述底部太阳能电池之间并联连接，本发明通过太阳能电池并联的方式提高电了池容量，同时有效减少了能量损耗，提高了系统集成度。
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公开(公告)号：CN111378960B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010346236.6
申请日：2020-04-27
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体为一种微波辅助原子层沉积方法及反应器。本发明的原子层沉积反应器包括：反应腔，其顶部设有石英窗口、内部设置有基片托盘，侧壁设有励磁线圈；微波源，设置在石英窗口上方；真空泵，对反应腔的真空度进行调节；气体管路，包括第一路反应源输气管道、第二路反应源输气管道以及惰性气体管道，分别用于输送第一反应源、第二反应源和惰性气体；其中，微波源对第一反应源进行微波辐照分解，微波源与励磁线圈联合产生微波电子回旋共振源，激发第二反应源形成高能等离子体。本发明能够有效改善薄膜的导电性和延展性，具有理想的台阶覆盖率和精确的薄膜厚度控制能力，能够满足先进CMOS集成电路工艺的需求。
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公开(公告)号：CN113161360A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110448993.9
申请日：2021-04-25
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11531
Abstract: 本发明提供了一种半浮栅存储器的制造工艺，包括：提供衬底；在衬底的上表面生成具有第一U型槽结构的半浮栅阱区，第一U型槽结构的底部与衬底接触设置；在半浮栅阱区上生成第一栅介质层；在第一栅介质层处向衬底方向开设第二U型槽结构延伸至半浮栅阱区，第二U型槽结构与第一U型槽结构间隔设置；在第一栅介质层和第二U型槽结构表面生成浮栅，浮栅覆盖第一栅介质层，且填充第一U形槽结构和第二U型槽结构，浮栅与半浮栅阱区在第二U型槽处连接构成二极管结构，本发明通过构筑U型槽结构形成半浮栅晶体管的沟道区域和二极管区域，来增大集成密度，提高电荷写入速度，同时可以大面积生产与现有制造工艺兼容。另外，本发明还提供了半浮栅存储器。
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公开(公告)号：CN113035809A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110240264.4
申请日：2021-03-04
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅通孔结构，包括：硅衬底，硅衬底设有通孔，隔离介质，设于通孔的内侧面和通孔之间，将通孔间隔分成若干安装孔；扩散阻挡层，设于安装孔内，覆盖所述隔离介质；第一籽晶层，覆盖扩散阻挡层；导电层，覆盖第一籽晶层，将安装孔填充，且隔离介质、扩散阻挡层、第一籽晶层和导电层依次层叠将通孔填充。通过在通孔内设置隔离介质形成安装孔，使硅通孔结构更加紧凑，且避免了硅通孔之间可能存在的短路情况，且每个安装孔以并联的形式均可进行电信号传输，所以当其中部分安装孔内出现短路或损坏，仍然可以进行电信号传输，从而增加了硅通孔结构的可靠性。另外，本发明还提供了封装结构及其制造方法。
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