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公开(公告)号：CN117295382B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311241868.6
申请日：2023-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/80 , C22C33/04 , C22C38/12 , B22F9/04 , B22F3/105 , B22F3/14 , B22F9/08 , C23C14/30 , C23C14/26 , C23C14/18 , C23C14/58
Abstract: 一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法，涉及方钴矿热电材料元素阻隔层制备技术领域。本发明的目的是为了解决现有方钴矿与金属电极连接过程中方钴矿与金属电极之间易发生元素扩散以及焊接接头强度衰减的问题。方法：步骤1、称取：按照方钴矿元素阻隔层中钒和铁的原子百分比分别称取纯钒和纯铁；步骤2、制备方钴矿元素阻隔层：将称取的纯钒和纯铁采用电弧熔炼、粉末冶金或物理气相沉积的方式，制备得到高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层，所述的方钴矿元素阻隔层为P型方钴矿元素阻隔层或N型方钴矿元素阻隔层。本发明可获得一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法。
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公开(公告)号：CN117483930A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311772242.8
申请日：2023-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种表面电解渗氢辅助低温扩散连接锆合金的方法，涉及一种锆合金的扩散连接方法。为了解决扩散连接锆合金温度偏高和气相置氢后锆合金易变形问题。方法：将锆合金进行表面打磨抛光得到待渗氢锆合金，使用电解渗氢将待渗氢锆合金通过氧化还原的方式制备成表面渗氢锆合金，锆合金表面的渗氢层的深度至少为24μm，组成待焊件进行扩散焊。本发明制备的表面渗氢的锆合金具有优良的力学性能，在高温下不易变形，易于形成性能优良、变形较小的扩散接头。
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公开(公告)号：CN117295382A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311241868.6
申请日：2023-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/80 , C22C33/04 , C22C38/12 , B22F9/04 , B22F3/105 , B22F3/14 , B22F9/08 , C23C14/30 , C23C14/26 , C23C14/18 , C23C14/58
Abstract: 一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法，涉及方钴矿热电材料元素阻隔层制备技术领域。本发明的目的是为了解决现有方钴矿与金属电极连接过程中方钴矿与金属电极之间易发生元素扩散以及焊接接头强度衰减的问题。方法：步骤1、称取：按照方钴矿元素阻隔层中钒和铁的原子百分比分别称取纯钒和纯铁；步骤2、制备方钴矿元素阻隔层：将称取的纯钒和纯铁采用电弧熔炼、粉末冶金或物理气相沉积的方式，制备得到高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层，所述的方钴矿元素阻隔层为P型方钴矿元素阻隔层或N型方钴矿元素阻隔层。本发明可获得一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法。
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公开(公告)号：CN115476012B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202211313813.7
申请日：2022-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K103/18
Abstract: 一种高Cu原子比Cu‑Ti钎料在陶瓷与金属钎焊中的应用，涉及高Cu原子比Cu‑Ti钎料的应用技术领域。本发明的目的是为了解决采用现有的共晶成分Cu‑23Ti(wt.％)钎料进行Ti3SiC2陶瓷与Nb的钎焊连接时，接头内产生的脆性CuTi化合物导致接头抗剪切强度低的问题。方法：按照Ti3SiC2陶瓷/Ti箔/Cu箔/Nb的顺序装配，得到待焊装配件；将待焊装配件放入真空钎焊炉内，在5×10‑2Pa的真空度及950～1010℃的钎焊温度下保温5～60min，钎焊结束后冷却至室温。本发明可获得一种高Cu原子比Cu‑Ti钎料在陶瓷与金属钎焊中的应用。
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公开(公告)号：CN114029601B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111501410.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用金箔中间层低温扩散连接Ti3SiC2陶瓷的方法，涉及一种连接Ti3SiC2陶瓷的方法。为了解决现有的Ti3SiC2陶瓷扩散连接方法的连接温度高的问题。方法：Ti3SiC2陶瓷的焊前切割、打磨和清洗处理；金箔平整、打磨和清洗；装配得到装配件；真空扩散连接。本发明采用金箔中间层进行低温扩散连接，Au元素较低温度下与Ti3SiC2相陶瓷中的Si元素、Al元素发生取代使得金箔中间层与Ti3SiC2陶瓷在600～650℃发生剧烈的互扩散，从而实现Ti3SiC2陶瓷的低温扩散连接。采用金箔作为中间层扩散连接得到的接头具有良好的抗腐蚀性。本发明适用于连接Ti3SiC2陶瓷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115673452A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211437099.2
申请日：2022-11-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/00
Abstract: 一种碲化铋热电材料与电极的钎焊连接方法，涉及一种热电材料与电极的钎焊连接方法。目的是解决当前碲化铋热电材料与电极钎焊连接过程中碲化铋与电极之间元素扩散及钎焊接头强度低的问题。方法：在碲化铋热电材料的待焊面电镀Ni镀层，在Ni镀层上电镀NiMo合金镀层，将钎料片置于碲化铋热电材料的待焊面和电极的待焊面之间进行装配，进行钎焊。本发明通过在碲化铋表面电镀Ni/NiMo复合阻隔层，采用锡基钎料对碲化铋与电极进行钎焊连接，Ni/NiMo复合阻隔层与碲化铋结合致密，有效解决了现有碲化铋热电材料与电极焊接中碲化铋与电极之间易产生元素扩散及接头强度低的问题。
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公开(公告)号：CN115502538A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211138061.5
申请日：2022-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以MAX或Mxene为阻隔层的方钴矿基热电材料与金属电极的连接方法，涉及一种可用于方钴矿基热电材料与金属电极材料的连接方法。为了解决方钴矿系热电材料与金属电极在焊接以及服役过程中元素扩散问题。本发明选用三元层状化合物MAX相陶瓷或二维MXene作为方钴矿系热电材料与金属电极之间的防止元素扩散阻隔层，MAX相陶瓷与金属电极和方钴矿系热电材料在焊接过程中的没有严重界面反应，元素扩散在MAX相陶瓷晶粒或MXene内部极其微弱，而在晶界处扩散速度较快，并且不会形成连续的脆性化合物。并且MAX相陶瓷材料或MXene的导电性很高，膨胀系数接近方钴矿系热电材料。
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公开(公告)号：CN115415656A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211138051.1
申请日：2022-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以Fe‑Cr‑Mo/W为阻隔层的方钴矿热电材料与铜电极的连接方法，涉及一种热电材料与电极的连接方法。为了解决方钴矿与铜电极连接过程中元素扩散以及焊接接头强度低的问题。本发明中阻隔层原料进行熔炼后吸铸到水冷铜模模具中进行快速凝固，创新的采用非平衡凝固原理将Fe‑Cr合金中的大尺寸Mo/W元素固溶度大幅度提高，降低元素扩散，减小了接头残余应力，提高接头强度。采用扩散焊、钎焊、纳米银烧结等方法对方钴矿与铜电极进行连接，操作方便，工艺灵活，可根据实际使用需求选择合适的方法，成本较低。
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公开(公告)号：CN114346519A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210212390.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种TiAl合金钎焊用高熵钎料及其制备方法和应用，属于焊接技术领域，具体涉及一种高熵钎料及其制备方法和应用。本发明高熵钎料由Ti、Zr、Hf、Cu、Ni、Co组成，或由Ti、Zr、Hf、Cu、Ni组成，高熵钎料中各元素的原子百分比相同。制备方法：按化学成分称取原料，制备高熵钎料锭，吸铸得到细棒状高熵钎料锭；切割成箔片。应用为利用高熵钎料钎焊TiAl合金。本发明借助高熵合金的理论，采用高熵钎料钎焊TiAl合金，利用高熵效应和迟滞扩散效应对于钎焊过程中母材与钎料的互扩散以及接头中的金属间化合物具有重要的抑制作用。接头中母材的溶解现象得到抑制，脆性化合物含量减少，接头高温强度的稳定性得到提高。
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公开(公告)号：CN109851388B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201910208022.X
申请日：2019-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: 表面改性辅助钎焊SiO2‑BN与Invar合金的方法，涉及一种钎焊SiO2‑BN与Invar合金的方法。目的是解决SiO2‑BN陶瓷与Invar合金的钎焊连接时可靠性差的问题。方法：采用等离子体增强化学气相沉积法在SiO2‑BN陶瓷母材表面原位垂直生长石墨烯，采用钎料对SiO2‑BN陶瓷母材和Invar合金进行钎焊。本发明石墨烯在陶瓷基底直接原位生长出来可以保证石墨烯的完整结构，有较少的缺陷，陶瓷表面生长的石墨烯具有一定的化学活性，有助于提高接头的高温力学性能。本发明适用于钎焊SiO2‑BN与Invar合金。
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