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公开(公告)号：CN109824086A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910268600.9
申请日：2019-04-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种Na掺杂Cs2SbAgCl6双层钙钛矿纳米材料的制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。具体步骤为按照6:2:1:3的摩尔比，称取氯化铯、氯化银、氯化钠、三氯化锑，混合后加入到平铺满磨球的球磨罐中，将球磨罐安装好后放入球磨机进行3小时球磨，得到Na:Cs2SbAgCl6双层钙钛矿纳米材料。本发明具有条件温和，操作简单，反应时间短，易于工业化生产等优点，且合成的Na:Cs2SbAgCl6双层钙钛矿纳米材料具有较高的荧光量子效率。
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公开(公告)号：CN108585030A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810381879.7
申请日：2018-04-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种颜色可调的小尺寸Mn:CsPbCl3纳米晶的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。首先，称取氯化铅、油酸、油胺、十八烯置于三颈瓶中，120℃抽真空，在氮气保护下，加入三辛基膦，于150℃溶解形成混合溶液；然后，将混合溶液降至室温，注入油酸铯溶液，室温反应1h得到CsPbCl3纳米晶种子，随后，利用CsPbCl3纳米晶种子制得不同尺寸的氯铅铯钙钛矿，提纯后加入锰盐研磨，得到不同颜色的Mn:CsPbCl3纳米晶。本发明首次实现了Mn:CsPbCl3钙钛矿纳米晶的颜色在紫红至红光可调，且尺寸可控，具有较高的荧光效率。整个反应操作简单，原料易得，并且可以大量合成，产品应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN108101102A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810087180.X
申请日：2018-01-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种尺寸可控的CsPbX3钙钛矿纳米晶的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域，首先将羧酸铯溶液加入到N2保护的溴化铅溶液中进行反应，得到CsPbBr3钙钛矿纳米晶种子；然后将CsPbBr3钙钛矿纳米晶种子分散于正己烷中，并将其注入到不同温度的十八烯中，得到不同尺寸的CsPbBr3钙钛矿纳米晶，最后，将CsPbBr3钙钛矿纳米晶分散于正己烷中，并逐滴加入氯化铅溶液或碘化铅溶液进行反应，得到其他组分的CsPbX3(X＝Cl，Ir)钙钛矿纳米晶。本发明具有操作简单、产物尺寸易调、组分可控等优点。
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公开(公告)号：CN107381625A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710783608.X
申请日：2017-09-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种高稳定性的水溶性CsPbX3钙钛矿纳米晶的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。本发明首先利用溶剂交换法将水溶性聚合物粒子分散在己烷溶剂中再离心得到聚合物微球沉淀，随后将分散在甲苯和己烷混合溶剂中的CsPbX3钙钛矿纳米晶与所述的聚合物微球沉淀混合24小时，通过离心获得钙钛矿纳米晶负载的聚合物粒子。本发明制备的聚合物负载的钙钛矿纳米晶不仅可以分散在水溶液中，在不同的pH条件下具有较高的稳定性，通过制备不同钙钛矿粒子，获得荧光在可见区、高效荧光量子效率的水溶性纳米粒子，在生物成像，显示等领域具有巨大的应用价值。
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公开(公告)号：CN105802607B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610103660.1
申请日：2016-02-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种MAPbX3钙钛矿纳米簇的制备方法，属于半导体纳米材料制备的技术领域。将卤化甲胺溶液加入到N2保护的卤化铅溶液中，在0～25℃的温度下反应1分钟，即得到MAPbX3钙钛矿纳米簇。本发明制备的纳米簇有着十分尖锐对称的吸收及荧光峰，表现出很好的发光性质和荧光量子效率，整个反应操作简单，条件温和，并且可以大量合成，点在生物荧光标记、发光二极管以及太阳能电池等领域都有着巨大的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105523581B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610103657.X
申请日：2016-02-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种单尺寸CsPbX3钙钛矿纳米晶的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域，将羧酸铯溶液加入到N2保护的溴化铅溶液中进行反应，得到单尺寸的CsPbBr3钙钛矿纳米晶；将CsPbBr3钙钛矿纳米晶分散于正己烷中，并逐滴加入氯化铅溶液或碘化铅溶液进行反应，得到单尺寸的CsPbX3钙钛矿纳米晶。本发明具有操作简单，产物尺寸易调，组分可控等优点。
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公开(公告)号：CN103936069B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201410191161.3
申请日：2014-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种砷化镉量子点的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。本发明利用砷化物与无机酸反应制取AsH3气体，并同时将制备的AsH3气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中进行反应，生成Cd3As2纳米簇化合物，再以制得的Cd3As2簇为反应前体，以有机胺为配体，以十八烯为溶剂，在不同温度下以热注入的方法反应5～10分钟即可得到不同尺寸的Cd3As2量子点。本发明制备的量子点有着较好的近红外发光性质，有良好的单分散性，尺寸可调，光谱可调范围宽，整个反应操作简单，所有反应物成本相对便宜且利于保存，并且可以大量合成。
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公开(公告)号：CN103033494B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210571174.4
申请日：2012-12-25
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明的一种基于纳米磷化铟荧光探针的镉离子检测方法属于毒性元素检测的技术领域。利用InP荧光探针遇镉离子激发绿色荧光的原理，将InP荧光探针有机溶液直接加入到待测样品中，根据InP荧光探针有机溶液有无绿色荧光即可判断样品中是否含镉离子。本发明提供了一种操作方便、应用广泛、检测灵敏度高、选择性强的镉离子检测方法，能够检测到水相、有机相液体或滤液中的镉离子，检测出的最低镉离子浓度为1nmol/L。
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公开(公告)号：CN103952137A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410177804.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明的一种白光量子点材料及制备方法属于半导体照明技术领域。以Cu掺杂的InP量子点为核，在核的基础上包覆ZnSe+ZnS隔离层，以隔绝内外电子空穴波函数的扩散，然后再包覆InP量子壁层和ZnSe+ZnS宽带隙钝化保护层以提高量子点的化学稳定性和增强荧光量子效率，最终量子点为Cu：InP/ZnSeZnS/InP/ZnSeZnS结构。本发明的量子点材料具有连续宽谱白光，具有较高的荧光量子效率和较高的显色指数，光色在空间分布均匀。本发明的量子点材料可以通过调控不同的InP内核尺寸和InP量子壁的厚度来调节不同的色度坐标和色温，同时具有优异的光热稳定性，且绿色环保，具有巨大的应用价值。
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公开(公告)号：CN103952136A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410177779.4
申请日：2014-04-29
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明的Cu掺杂Type-II型核壳结构白光量子点材料及制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。量子点结构中核为Cu掺杂的CdS量子点，在核的基础上包覆ZnSe量子壁以形成II型核壳结构，再包覆宽带隙ZnS钝化保护层，最终量子点为Cu：CdS/ZnSe/ZnS结构。本发明的量子点材料具有连续宽谱白光，具有较大的斯托克斯位移，自吸收较小，具有较高的荧光量子效率和较高的显色指数，光色在空间分布均匀，通过调节内核CdS的尺寸，外壁ZnSe的厚度以及Cu掺杂浓度可调节不同的色度坐标和色温，本发明制备的量子点材料在一定温度范围内无光色畸变现象，同时经长时间蓝光激发后，量子点仍然具有较好的光稳定性。
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