一种Cr靶材的修复方法
    71.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108274009A

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201810125916.8

    申请日:2018-02-08

    Abstract: 本发明公开了一种Cr靶材的修复方法,其是将待修复的Cr靶材放入石墨模具中,然后加入修复所需的Cr粉,使Cr粉位于Cr靶材的待修复表面上,预压后,再放入放电等离子烧结系统中进行烧结连接,使Cr粉填充在Cr靶材待修复表面的不平整缺陷区域,即完成Cr靶材的修复。本发明采用SPS技术,通过选择合适的烧结参数,可将Cr靶材表面的缺陷修补完整,且修补后组织细小、致密度高、拉伸性能与原靶材一致,有效解决了现有Cr靶材表面产生缺陷后无法修补再利用的问题,且工艺简单、周期短、生产效率高,可大幅度降低Cr靶材的使用成本。

    一种高致密度高硬度的高纯硼靶的制造方法

    公开(公告)号:CN107557738A

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201710765712.6

    申请日:2017-08-30

    Abstract: 本发明公开了一种高致密度高硬度的高纯硼靶的制造方法,其是采用放电等离子烧结技术对纯度不低于99.9%、粒径不大于10μm的单质硼粉进行固结成形,通过梯级施加20~50MPa的轴向压力的同时以50~150℃/min加热至1480~1630℃后保温3~10min,即可获得尺寸不小于20mm、厚度不小于5mm、致密度不低于92.0%、组织细小均匀的高硬度高纯硼靶材。本发明工艺简单、周期短、成本低,所得硼靶经后续少量磨削加工即可成品而用于核物理、激光物理和功能玻璃等领域的溅射镀膜,应用前景广阔。

    一种孔隙均匀可控的多孔钨块体材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105734332A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201610291281.X

    申请日:2016-04-29

    CPC classification number: C22C1/08 B22F3/11 C22C1/045 C22C27/04

    Abstract: 本发明公开了一种孔隙均匀可控的多孔钨块体材料的制备方法,其特征在于是以钨粉为原料,经等离子体球化处理、电动振筛处理获得球形钨粉,然后再经放电等离子烧结而获得。本发明结合等离子体球化、电动振筛和放电等离子烧结技术,获得孔隙均匀的多孔钨块体材料,方法简单、易于实现,且通过调节工艺参数可实现产物孔隙的可控,如可获得孔隙率为17%~22.5%、孔隙大小为2~5μm的多孔钨块体材料,制备的多孔钨块体可显著提高材料的浸渗性能,进而大幅度提高钡钨阴极的发射稳定性和使用寿命。

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