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公开(公告)号：CN110846719B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201911192379.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维非层状In2SnS4晶体材料及其制备方法。该制备方法具体为：将硫化铟、硫化亚锡和氯化钠混合获得前驱体，然后将前驱体置于中心温区并对其加热生成In2SnS4晶体材料，利用载气将In2SnS4晶体材料带入下游沉积区，从而在位于下游沉积区的衬底上进行沉积，以此形成二维非层状In2SnS4晶体材料。本发明将硫化铟、硫化亚锡和氯化钠混合作为前驱体，能够降低中心温区的温度，减小制备过程中的能耗，实现制备过程的可控，同时本发明将衬底设置在下游沉积区，与中心温区保持一定的距离，能够避免中心温区温度过高而破坏衬底。
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公开(公告)号：CN110284191B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910684073.X
申请日：2019-07-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种二维无机分子晶体材料及其制备方法，属于二维材料的制备领域。所述二维无机分子晶体材料为无机分子平铺形成的二维片状材料，所述二维片状材料中的无机分子通过范德华力连接。制备方法为采用气相沉积法以分子晶体粉末作为原材料，分子晶体粉末蒸发出气态前驱体，随载气输运，在钝化剂的作用下，在衬底上沉积得到二维无机分子晶体薄片。本发明获得的二维无机分子晶体是由无机分子组成的二维片状结构，分子间通过范德华力连接。该制备方法简单，成本低，普适性强。利用本发明方法，制备出了厚度均匀、形态一致的二维无机分子晶体材料，在相变器件的应用中具有广阔前景。
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公开(公告)号：CN111463295A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010291662.4
申请日：2020-04-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于光电探测相关技术领域，其公开了一种氧等离子体处理的硒氧化铋纳米片光电探测器及制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)采用化学气相沉积方法在衬底上制备硒氧化铋纳米片；(2)采用激光直写或者电子束曝光技术，结合热蒸发及电子束蒸发在所述硒氧化铋纳米片上制备一对源漏金属电极；(3)对所述硒氧化铋纳米片进行氧等离子体处理，由此得到硒氧化铋纳米片光电探测器。本发明采用等离子体处理的方法，可以使得硒氧化铋纳米片的初始暗态电流下降，可以增大器件的光响应，且制备方法工艺简单，操作容易，成本较低，有望应用于大规模改善硒氧化铋纳米片光电探测器的性能，为硒氧化铋在光电探测器的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN111403475A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010152918.3
申请日：2020-03-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/04 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于二维材料领域，并具体公开了一种二维二碲化钼垂直异质结及其制备方法和应用，其包括1T’-MoTe2和2H-MoTe2两部分，且两部分间通过层间范德华力连接；制备步骤：S1将四钼酸铵和氯化钠的混合溶液烘干后作为钼源放入反应器，并在钼源上放置生长基底，将碲粉作为碲源放入反应器并置于钼源的上游；S2将钼源和碲源处温度升高到反应温度后自然降温至室温，同时向反应器中通入载气以将碲源带至钼源处，并通入还原剂，在生长基底上生成二维二碲化钼垂直异质结。本发明制备出的金属相和半导体相垂直堆垛的MoTe2异质结构，可以有效降低金属电极和材料接触的肖特基势垒，为改善金属-半导体接触提供了重要的思路。
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公开(公告)号：CN108384547B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810380236.0
申请日：2018-04-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单掺杂‑富集核壳结构上转换发光材料及其制备方法，该材料化学表达式为：NaLnF4:A3+@NaYbF4@NaLnF4。其制备步骤如下：步骤1：合成NaLnF4:A3+核纳米材料；步骤2：在NaLnF4:A3+核纳米材料周围外延生长NaYbF4层，得到NaLnF4:A3+@NaYbF4核壳纳米材料；步骤3：在NaLnF4:A3+@NaYbF4核壳纳米材料周围外延生长NaLnF4层，得到NaLnF4:A3+@NaYbF4@NaLnF4。该NaLnF4:10％A3+@NaYbF4@NaLnF4核壳结构能够有效解决晶格内部能量传递的共掺杂浓度局限问题，有效实现上转换纳米材料的高效发光特别是在富集Yb的敏化壳层下，发现有益于三光子跃迁发射的发光现象，实现407nm波长的2个数量级增强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110284191A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910684073.X
申请日：2019-07-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种二维无机分子晶体材料及其制备方法，属于二维材料的制备领域。所述二维无机分子晶体材料为无机分子平铺形成的二维片状材料，所述二维片状材料中的无机分子通过范德华力连接。制备方法为采用气相沉积法以分子晶体粉末作为原材料，分子晶体粉末蒸发出气态前驱体，随载气输运，在钝化剂的作用下，在衬底上沉积得到二维无机分子晶体薄片。本发明获得的二维无机分子晶体是由无机分子组成的二维片状结构，分子间通过范德华力连接。该制备方法简单，成本低，普适性强。利用本发明方法，制备出了厚度均匀、形态一致的二维无机分子晶体材料，在相变器件的应用中具有广阔前景。
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公开(公告)号：CN106784619A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611222979.2
申请日：2016-12-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/36 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种钠离子电池负极活性材料、负极、电池以及制备方法，属于钠离子电池领域，负极活性材料为K‑Ti‑O三元化合物，该K‑Ti‑O三元化合物具有表面碳包覆层或/和氧空位。本发明采用一步煅烧法在合成K‑Ti‑O三元化合物的同时在其表面引入碳导电层，或者采用一步煅烧法在合成K‑Ti‑O三元化合物的同时在其表面或晶格中引入氧空位，或者采用一步煅烧法在合成K‑Ti‑O三元化合物的同时在其表面或晶格中引入氧空位并在其表面引入碳导电层。本发明的负极活性材料具有高倍率和稳定的循环性能，本发明制备方法工艺简单，成本低廉，具有大规模生产的条件。
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公开(公告)号：CN119421476A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411383349.8
申请日：2024-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体器件相关技术领域，其公开了一种边缘接触型场效应晶体管及其制备方法，其中晶体管包括衬底层以及凸设在衬底层表面的栅极层，栅极层的上方设有沟道层，沟道层跨过栅极层具有位于栅极层正上方的沟道区域、位于栅极层相对两侧的两个电极区域以及连接在电极区域与沟道区域之间的上升区域，沟道层的材质为过渡金属硫族化合物，电极区域用于通过锂嵌入法进行诱导相变，以实现金属相和半导体相的边缘接触。本发明提出利用应力限位锂嵌入，利用栅极层与衬底层形成的台阶在沟道层内额外引入局域应力，从而将锂离子的扩散行为阻挡限位于应力存在位置即上升区域处，能实现更加锐利相转变界面的制备，且具有高一致性便于大规模集成。
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公开(公告)号：CN119300411A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411366577.4
申请日：2024-09-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子器件相关技术领域，其公开了一种基于氧化物半导体的铁电垂直晶体管及其制备方法，该铁电垂直晶体管包括衬底、栅极金属电极、栅极铁电层、栅极绝缘介质层、岛状源极、氧化物半导体、源极接触电极、顶部漏极。本发明利用氧化铪基铁电材料作为栅极铁电材料，可以实现信息的写入和读取，并放大栅极电压对沟道的调控效果，降低栅极电容和沟道电容的比值，降低晶体管的工作电压，以减少铁电垂直晶体管的功耗。此外，通过在栅极铁电薄膜上再制备一层栅极绝缘介质层，以促进铁电相的形成，同时绝缘介质层的引入可以抑制电荷的注入，进而调节氧化铪基铁电材料的极化状态，提高了铁电晶体管的整体性能。
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