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公开(公告)号:CN115490213B
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202211049050.X
申请日:2022-08-30
Applicant: 华东师范大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Inventor: 潘丽坤 , 张亚娟 , 陆婷 , 杨文 , 李良 , 平爱军 , 白鹏飞 , 胡泉 , 易玲 , 姬忠平 , 颜培帅 , 王海宝 , 孙恒超 , 王文赫 , 王峥 , 李延 , 张谦
IPC: C01B19/04 , B82Y40/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及电池负极材料技术领域,公开了一种金属有机骨架衍生的VSe2材料及其制备方法和应用。所述方法包括:将含V元素的金属有机骨架和硒粉在惰性气氛下进行热处理,得到所述VSe2材料;其中,所述金属有机骨架材料和硒粉的质量比为1:2‑15,所述热处理温度为400‑550℃。本发明中提供的金属有机骨架衍生的VSe2材料的制备方法,工艺简单,条件温和,制备得到金属有机骨架衍生的VSe2材料具有优异的电化学性能,适合放大生产。
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公开(公告)号:CN115373610B
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202211310652.6
申请日:2022-10-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC: G06F3/06 , G06F12/0877
Abstract: 本发明公开了一种数据写入方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括:确定缓存写满时,将缓存中的数据划分为N个数据块,N为大于1的整数;将N个数据块依次写入非易失性存储器中,并且在将第i个数据块写入非易失性存储器之前,判断是否存在优先级更高的线程需要使用非易失性存储器,其中,1<i≤N;若存在优先级更高的线程需要使用非易失性存储器,则暂停将第i个数据块写入非易失性存储器,以便执行线程。该方法通过将缓存中的数据分成了N个数据块,大大缩短每次数据写入占用的时间,避免了数据写入占用的时间较长导致优先级翻转的情况发生,从而提高了操作系统的实时性。
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公开(公告)号:CN115713953A
公开(公告)日:2023-02-24
申请号:CN202211209170.1
申请日:2022-09-30
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC: G11C11/4097
Abstract: 本发明提供一种半导体器件、存算芯片、集成电路产品及操作方法,属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括:N个MTJ单元,任一MTJ单元包括至少两个MTJ;控制单元,用于对所述N个MTJ单元执行写入操作和读取操作;所述控制单元用于选通地控制所述写入操作的电流,将被运算比特序列写入至M个MTJ单元中的MTJ,M为运算比特序列的比特数;所述控制单元用于基于所述运算比特序列,选通地控制运算操作的电流,注入所述M个MTJ单元中的MTJ,以及用于控制流出所述M个MTJ单元的电流,注入或流出电流的控制持续时间为锁定值与单位时间的乘积值;所述控制单元用于基于所述M个MTJ单元的流出电流的读出值,确定运算结果。本发明可用于提供具有运算能力的磁存储器和芯片。
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公开(公告)号:CN115490213A
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202211049050.X
申请日:2022-08-30
Applicant: 华东师范大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Inventor: 潘丽坤 , 张亚娟 , 陆婷 , 杨文 , 李良 , 平爱军 , 白鹏飞 , 胡泉 , 易玲 , 姬忠平 , 颜培帅 , 王海宝 , 孙恒超 , 王文赫 , 王峥 , 李延 , 张谦
IPC: C01B19/04 , B82Y40/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及电池负极材料技术领域,公开了一种金属有机骨架衍生的VSe2材料及其制备方法和应用。所述方法包括:将含V元素的金属有机骨架和硒粉在惰性气氛下进行热处理,得到所述VSe2材料;其中,所述金属有机骨架材料和硒粉的质量比为1:2‑15,所述热处理温度为400‑550℃。本发明中提供的金属有机骨架衍生的VSe2材料的制备方法,工艺简单,条件温和,制备得到金属有机骨架衍生的VSe2材料具有优异的电化学性能,适合放大生产。
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公开(公告)号:CN115373610A
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202211310652.6
申请日:2022-10-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC: G06F3/06 , G06F12/0877
Abstract: 本发明公开了一种数据写入方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括:确定缓存写满时,将缓存中的数据划分为N个数据块,N为大于1的整数;将N个数据块依次写入非易失性存储器中,并且在将第i个数据块写入非易失性存储器之前,判断是否存在优先级更高的线程需要使用非易失性存储器,其中,1<i≤N;若存在优先级更高的线程需要使用非易失性存储器,则暂停将第i个数据块写入非易失性存储器,以便执行线程。该方法通过将缓存中的数据分成了N个数据块,大大缩短每次数据写入占用的时间,避免了数据写入占用的时间较长导致优先级翻转的情况发生,从而提高了操作系统的实时性。
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公开(公告)号:CN115186273A
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202211088144.8
申请日:2022-09-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC: G06F21/57 , G06F9/4401 , G06F21/51
Abstract: 本发明公开了一种电力终端及其安全启动方法、安全启动装置和存储介质,所述电力终端包括操作系统、应用软件和嵌入式安全模块,应用软件包括安全加固应用程序、基础应用程序和业务应用程序,所述方法包括:在电力终端上电后,控制操作系统调用嵌入式安全模块完成安全加固应用程序以及自身的正向度量;在确认正向度量成功完成后,启动安全加固应用程序;控制安全加固应用程序调用嵌入式安全模块完成操作系统的反向度量;在确定反向度量成功完成后,控制操作系统调用嵌入式安全模块完成基础应用程序和业务应用程序的正向度量。本发明的方法,基于嵌入式安全模块对电力终端内部软件进行有序验证,能够实现电力终端的安全防护,且成本较低、安全性高。
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公开(公告)号:CN114964510A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210891757.9
申请日:2022-07-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种架空线路的金具温度异常监测方法、系统及智能电力终端。其中,方法包括:获取架空线路上的金具温度信息,并确定架空线路的类型;在根据架空线路的类型确定金具温度信息满足第一预设条件时,控制红外热成像单元和图像感知单元开启,以对架空线路上的金具进行监测;获取红外热成像单元监测到的热力图数据和图像感知单元监测到的图像数据;对热力图数据和图像数据进行综合处理,以对架空线路上的金具进行异常监测,并上传异常监测结果。由此,通过在金具温度信息满足第一预设条件时,基于热力图数据和图像数据对金具进行异常监测,并将异常监测结果上传,能够减少数据的发送量以及降低误报的可能,提高金具异常监测的准确率。
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公开(公告)号:CN114879808A
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN202210369053.5
申请日:2022-04-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种温度检测芯片及其PTAT电路、温度传感器,其中,该温度检测芯片的PTAT电路包括偏置产生单元和电流镜输出单元,电流镜输出单元可以根据偏置产生单元所提供的偏置电流进行工作,以输出测温信号,并且,偏置产生单元和/或电流镜输出单元包括三个以上的镜像电流晶体管和开关控制组件,开关控制组件中的控制开关控制三个以上的镜像电流晶体管进行轮转,以得到多个不同的检测结果,然后根据多个不同的检测结果计算出一个相对精确的检测结果,从而能够降低PTAT电路的误差,以检测到更加精准的温度。
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公开(公告)号:CN114760373A
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202210661623.8
申请日:2022-06-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC: H04L69/18 , H04L67/566 , H04L47/6295 , H04B3/54
Abstract: 本发明公开了一种数据传输方法和装置、计算机可读存储介质、融合终端,所述方法包括:接收多个MQTT协议消息数据,其中,多个MQTT协议消息数据由多个业务采集应用程序发送;依次获取多个MQTT协议消息数据的数据类型,其中,数据类型包括第一数据类型和第二数据类型;将数据类型为第一数据类型的MQTT协议消息数据加入到待发送的第一消息队列中,将数据类型为第二数据类型的MQTT协议消息数据加入到待发送的第二消息队列中;按照预设规则将第一消息队列和第二消息队列中的MQTT协议消息数据发送至电力通信装置。本发明的数据传输方法,能够同时支持两种数据类型的MQTT协议消息数据,满足不同业务通信要求。
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公开(公告)号:CN114047385B
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202210034777.4
申请日:2022-01-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种RFID芯片阻抗及灵敏度的测试方法、装置及电子设备,其中方法包括:获取至少三个公版标签天线中每个公版标签天线的天线阻抗值和天线增益;依次获取多个芯片中每个芯片与至少三个公版标签天线相连后形成的至少三个标签中每个标签的标签灵敏度,其中,多个芯片包括待测芯片和至少一个与待测芯片同型号的芯片;根据标签灵敏度、天线阻抗值和天线增益获取多个芯片中每个芯片的芯片阻抗值和芯片灵敏度;根据多个芯片中每个芯片的芯片阻抗值和芯片灵敏度,获取待测芯片的芯片阻抗值和芯片灵敏度。由此,能够准确高效的测试出芯片的阻抗值和芯片灵敏度,从而有利于设计出性能更加优异的天线以及获得灵敏度更高的标签。
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