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公开(公告)号：CN1957447A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580016035.3
申请日：2005-05-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L33/0075 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。
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公开(公告)号：CN1641900A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200510004321.X
申请日：2005-01-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。半导体发光元件(1)具备：发光区域(3)、第1AlX1Ga1－X1N半导体(0≤X1≤1)层(5)、第2AlX2Ga1－X2N半导体(0≤X2≤1)层(7)。该半导体发光元件中，发光区域由III族氮化物半导体制成，包含InAlGaN半导体层。第1AlX1Ga1－X1N半导体层例如被镁(Mg)之类的p型掺杂剂掺杂，被设于发光区域上。第2AlX2Ga1－X2N半导体层被设于发光区域和第1AlX1Ga1－X1N半导体层之间。第2AlX2Ga1－X2N半导体层具有比第1AlX1Ga1－X1N半导体层的p型掺杂剂浓度更小的p型掺杂剂浓度。
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公开(公告)号：CN1203555C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02131853.0
申请日：2002-09-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L31/02963 , H01L31/02966 , H01L31/035236 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/1832
Abstract: 本发明提供一种在蓝～紫～近紫外区有灵敏度，暗电流低，可靠性高的pin光电二极管和雪崩光电二极管，包括：n型ZnSe单晶基板；在其上直接或在ZnSe基板上形成n型ZnSe缓冲层上进行外延生长的n型ZnMgSSe层；i型ZnMgSSe层；p型ZnMgSSe层；p型超晶格结构层；p型ZnTe层和p电极；n型ZnSe单晶基板上形成的n电极。以及，雪崩光电二极管，其结构是，在n型ZnSe基板上外延生长的n型ZnSe缓冲层、n型ZnMgSSe层、p型ZnMgSSe层、p型ZnSe/ZnTe超晶格层、p型ZnTe层、在p型ZnTe层侧安上p金属电极、在n型ZnSe基板上安上n电极，把p侧细、而n型基板侧粗的侧面端面进行台面蚀刻，用绝缘体层涂覆侧面端面。
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公开(公告)号：CN1585144A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410057832.3
申请日：2004-08-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种通过高效率发光能够实现高输出发光的使用了氮化物半导体的发光元件及其制造方法，为达到该目的，所述发光元件具备GaN基板(1)，以及在该GaN基板(1)的第一主表面侧含有InAlGaN4元混晶的发光层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1487601A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03155310.9
申请日：2003-08-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L31/0256 , G01J1/02
CPC classification number: H01L31/0296 , B82Y20/00 , H01L31/02966 , H01L31/0328 , H01L31/035236 , H01L31/107
Abstract: 本发明提供一种对蓝色－紫色－近紫外光灵敏的、暗电流低的、可靠性高的ZnSe系光电二极管，由p型单晶GaAs基板；在p型单晶GaAs基板上外延生长的、通过反复叠层p型ZnSe和p型ZnTe使禁带宽度连续变化的超晶格；在超晶格上外延生长的p型Zn1－xMgxSySe1－y层；在p型Zn1－xMgxSySe1－y层上外延生长的i型Zn1－xMgxSySe1－y层；在i型Zn1－xMgxSySe1－y层上外延生长的n型Zn1－xMgxSySe1－y层；在n型Zn1－xMgxSySe1－y层上形成的n金属电极；以及在p型单晶GaAs基板底面形成的p金属电极构成。
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公开(公告)号：CN303051727S
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201430193092.0
申请日：2014-06-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：光源模块。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于激光指示器等发光装置。3．本外观设计产品的设计要点：如申请文件所示的产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
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公开(公告)号：CN303000092S
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201430193372.1
申请日：2014-06-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：激光指示器。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于发射多种颜色的激光。使用时，用户可按下与所希望激光颜色相对应的按键来发射激光。3．本外观设计产品的设计要点：如申请文件所示的产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1立体图。5．指定基本设计：设计1。
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公开(公告)号：CN303522994S
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201530217222.4
申请日：2015-06-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：光源模块。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于激光指示器等的发光装置。3．本外观设计产品的设计要点：如申请文件所示的产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。5．图中的准直透镜是透明的，波长滤波片是半透明的。
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公开(公告)号：CN303051729S
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201430193902.2
申请日：2014-06-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：光源模块。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于激光指示器等发光装置。3．本外观设计产品的设计要点：如申请文件所示的产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
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