公开(公告)号：CN111739926A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010822808.3

申请日：2020-08-17

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

Inventor： 先建波 ,  许晨 ,  李盼 ,  乔勇 ,  吴新银

IPC: H01L27/32 ,  G06F3/041

Abstract: 本公开提供了显示面板及显示装置，其中，显示面板，包括：衬底基板，晶体管阵列层，像素限定层，触控电极，其中，第一颜色子像素的开口区域的面积小于第三颜色子像素的开口区域的面积，且第二颜色子像素的开口区域的面积小于第三颜色子像素的开口区域的面积；第一颜色子像素中的第二电容在衬底基板的正投影与触控电极在衬底基板的正投影具有第一辅助交叠面积；第二颜色子像素中的第二电容在衬底基板的正投影与触控电极在衬底基板的正投影具有第二辅助交叠面积；第三颜色子像素中的第二电容在衬底基板的正投影与触控电极在衬底基板的正投影具有第三辅助交叠面积；第一辅助交叠面积和第二辅助交叠面积中的至少一个大于第三辅助交叠面积。

公开(公告)号：CN111710712A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010822603.5

申请日：2020-08-17

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 李春延 ,  许晨 ,  王景泉

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

Abstract: 一种显示面板，该显示面板具有显示区和周边区，周边区包括第一周边区、弯折区和第二周边区；显示面板包括衬底基板、驱动电路层、有机结构和封装层，有机结构包括在周边区间隔设置的第一有机结构和第二有机结构，第一有机结构位于第一周边区，第二有机结构包括连续的位于第一周边区的第一部分和位于弯折区的第二部分；封装层覆盖显示区和至少部分第一周边区，封装层与第二有机结构在垂直于衬底基板的方向上部分重叠，封装层的与第二有机结构重叠的部分包括第一封装部和第二封装部，第一封装部位于第二封装部的靠近显示区的一侧；第一封装部的平均厚度大于第二封装部的平均厚度。该显示面板具有较高的信赖性。

公开(公告)号：CN111430371A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010242660.6

申请日：2020-03-31

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 徐攀 ,  李永谦 ,  林奕呈 ,  王玲 ,  王国英 ,  张星 ,  韩影 ,  张大成 ,  刘烺 ,  许晨

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L21/77

Abstract: 本公开提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法，以改善现有技术的阵列基板线路较多，打孔所需区域较大，不利于高像素分辨率实现的问题。所述阵列基板，包括：层间介质层，所述层间介质层位于所述有源层的背离所述缓冲层的一侧，所述层间介质层具有过孔，所述过孔包括第一分部和第二分部，所述第一分部在所述衬底基板的正投影与所述第二分部在所述衬底基板的正投影接触，所述过孔的第一分部贯穿所述层间介质层、所述缓冲层，并暴露部分所述遮光层，所述第二分部贯穿所述层间介质层，并暴露至少部分所述有源层；源漏极层，所述源漏极层位于所述层间介质层的背离所述有源层的一侧。

公开(公告)号：CN111341826A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN202010435328.1

申请日：2020-05-21

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

Inventor： 许晨 ,  乔勇 ,  吴新银 ,  马永达

IPC: H01L27/32

Abstract: 提供一种显示面板和显示装置。显示面板包括：衬底基板以及导电构件，导电构件位于所述衬底基板上，所述导电构件包括依次层叠的第一导电子层、第二导电子层和第三导电子层，所述第一导电子层比所述第三导电子层更靠近所述衬底基板，所述第一导电子层的电导率小于所述第二导电子层的电导率，所述第三导电子层的熔点大于所述第二导电子层的熔点，所述第二导电子层包括靠近所述第一导电子层的第一表面和靠近所述第三导电子层的第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置，所述第三导电子层沿所述导电构件的宽度方向凸出于所述第二表面，所述宽度方向与所述导电构件的延伸方向相交。包含该显示面板的显示装置可降低静电击穿的风险。

公开(公告)号：CN110972508A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201980000226.2

申请日：2019-03-04

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王治 ,  袁广才 ,  关峰 ,  许晨 ,  王学勇 ,  杜建华 ,  李超 ,  陈蕾

IPC: H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。所述薄膜晶体管包括：衬底；在所述衬底上依次层叠的第一半导体层、栅极介质层和栅极电极，其中，所述第一半导体层具有位于所述薄膜晶体管的沟道区域中的第一部分和位于所述薄膜晶体管的源/漏极区域中且位于所述第一部分两侧第二部分，并且其中，所述第二部分和所述第一部分的与所述第二部分邻接的第一子部分包括非晶半导体材料，所述第一部分的位于所述第一子部分之间的第二子部分包括多晶半导体材料；位于所述源/漏极区域的且与所述第二部分接触的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的导电性高于所述非晶半导体材料的导电性。

公开(公告)号：CN110137261A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201811267077.X

申请日：2018-10-29

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

Inventor： 程鸿飞 ,  许晨

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。所述薄膜晶体管形成在衬底基板上，包括：源极；漏极；半导体有源层，该半导体有源层包括非晶硅部和多个多晶硅部，其中，多个多晶硅部中的至少一部分位于所述源极和所述漏极之间，并且每一个多晶硅部沿薄膜晶体管的沟道的长度方向的长度大于该多晶硅部沿所述薄膜晶体管的沟道的宽度方向的宽度。

公开(公告)号：CN109817723A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910067217.7

申请日：2019-01-24

Applicant: 北京京东方技术开发有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 程鸿飞 ,  许晨

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，用于降低驱动TFT的漏电流，从而提高显示面板的电学性能。该薄膜晶体管包括依次层叠的有源层和源极及漏极，其中：所述有源层分为沟道区和接触区，位于所述沟道区的有源层为多晶硅材料，位于所述接触区的有源层为非晶硅材料；所述源极和所述漏极位于所述接触区上，且所述源极沿厚度方向的截面与所述沟道区之间具有第一设定距离，所述漏极沿厚度方向的截面与所述沟道区之间具有第二设定距离，所述第一设定距离与所述第二设定距离相同或不同。

公开(公告)号：CN109473399A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811318407.3

申请日：2018-11-07

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 关峰 ,  许晨 ,  王治 ,  刘立伟 ,  陈蕾 ,  王学勇 ,  陈艳

IPC: H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种显示基板制备方法，属于激光退火技术领域，其可至少部分解决现有区域激光退火工艺复杂、耗时长、效率低的问题。本发明实施例的显示基板制备方法包括：在基底上形成非晶硅层；用激光经掩膜版照射显示区的至少部分区域，以使显示区的被照射区域中的非晶硅层对应晶体管有源层沟道区的位置经激光退火转变为多晶硅；以及，用激光照射边缘区的至少部分区域，以使边缘区的被照射区域中的全部非晶硅层转变为多晶硅；沟道区为晶体管导通时用于使电流在源极和漏极间流动的区域；通过构图工艺用已部分转变为多晶硅的非晶硅层形成晶体管的有源层。

公开(公告)号：CN104900676B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201510212292.X

申请日：2015-04-29

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 陈立强 ,  高涛 ,  高静 ,  许晨

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/3281 ,  H01L27/3225 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3267 ,  H01L27/3276 ,  H01L27/3286 ,  H01L27/3288 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外的栅电极驱动GOA电路区域，所述GOA电路区域形成有无源矩阵有机发光二极管PMOLED显示阵列。本发明的技术方案能够实现显示装置的窄边框甚至无边框。

公开(公告)号：CN105690971B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201610081260.5

申请日：2016-02-04

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 陈立强 ,  许晨 ,  王本莲

IPC: B32B37/10

CPC classification number: B32B37/10 ,  B32B3/266 ,  B32B38/0004 ,  H05K5/0017

Abstract: 本发明公开了一种背膜的贴合方法，在对柔性母板的背面进行背膜贴附之前，对背膜进行了图案化处理，增加了释放应力的空间，之后，采用两次贴合的方式，保证贴膜后柔性母板尺寸的均一性。具体地，第一次贴合时采用的第一压力小于第二次贴合时采用的第二压力。在第一次贴合时采用较小压力将背膜贴附到柔性母板的背面，可以使背膜形变较小，保证具有较好的均一性；在第二次贴合时增加压力使背膜充分受力，增加了贴附的牢固性，同时由于背膜的图案可使背膜内的应力得到释放，从而保证了贴膜后柔性母板尺寸的均一性。