一种高质量低压阳极箔的化成处理方法

    公开(公告)号:CN114540908A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210202696.0

    申请日:2022-03-03

    Inventor: 何桂丽 顾平平

    Abstract: 本发明公开了一种高质量低压阳极箔的化成处理方法,包括在赋能时,加入超声处理;将赋能后阳极箔进行化成处理;将需要化成处理的阳极箔放入到在二酸铵溶液中化成,并在化成时加入电流,得到一级化成箔;将一级化成箔在二酸铵溶液中化成,得到二级化成箔;将二级化成箔在二酸铵溶液中化成,并在化成时加入电流,得到三级化成箔;将三级化成箔在二酸铵溶液中进行化成,重复多级化成,得到六级化成箔;将得到的六级化成箔进行去极化处理;将经过去极化处理阳极箔进行后化成等处理,得到最终的化成箔产品。本发明通过六级化成,提高氧化膜的均匀性和致密性;钝化处理时,提高氧化膜的抗水合性和耐潮湿性,以及电极箔的使用寿命。

    掺杂化成盐的混合浆料制备铝电解电容器阳极箔的方法

    公开(公告)号:CN114505483A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202111392492.X

    申请日:2021-11-19

    Abstract: 本发明公开了一种掺杂化成盐的混合浆料制备铝电解电容器阳极箔的方法,包括以下步骤:(1)取去氧化后的微米级铝粉或者铝合金粉掺杂化成盐后,与粘黏剂混合,得浆料;(2)将浆料均匀的涂覆在铝箔表面;(3)将表面涂覆浆料的铝箔置于烧结炉内,在550‑650℃的温度下烧结,得烧结箔;(4)将得到的烧结箔置于化成液中进行化成,得阳极箔。本发明在浆料中加入化成盐,在阳极箔烧结过程中化成盐受热分解,无需经过腐蚀处理,即可提高烧结箔的孔隙率,使得阳极箔的比表面积大大提高,而且分解的盐成分不污染化成溶液,从而保证化成的质量。

    一种软态低压腐蚀箔的制备方法

    公开(公告)号:CN114411232A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202210086922.3

    申请日:2022-01-25

    Abstract: 本发明公开了一种软态低压腐蚀箔的制备方法。本发明的软态低压腐蚀箔的制备方法的深度腐蚀为交流电腐蚀,所述交流电波形包括镜像分布的正半周期与负半周期,所述正半周期和负半周期由两个或两个以上具有相同波形、振幅和施加时间的第一半波(1)构成,且两个第一半波(1)之间存在间隔时间,所述正半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波,穿过横坐标,位于正半周的对应半周的第二半波(2)构成,所述负半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波,穿过横坐标,位于正半周的对应半周的第三半波(3)构成。本发明所制备的软态低压腐蚀箔具备高容量、腐蚀孔层均匀、夹心层平整和优异的折弯性能。

    一种腐蚀箔的制作方法

    公开(公告)号:CN110783108B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN201910992622.X

    申请日:2019-10-18

    Abstract: 本发明公开了一种腐蚀箔的制作方法,包括对高纯铝箔进行前处理、一级发孔腐蚀、二级发孔腐蚀、扩孔腐蚀和后处理五个步骤。前处理包括:将铝光箔放入前处理液中浸泡60‑70s;之后清洗干净后放于温度为70‑85℃的一次腐蚀混合液中,施加电流密度为1800mA/cm2的直流电进行电解腐蚀65‑75s,用纯水清洗干净放入温度为60‑90℃,放入含有10%‑12%的盐酸溶液中,化学腐蚀300‑400s;最后纯水清洗干净再放入温度为100‑150℃的烘箱进行烘干;前处理工艺简单、操作方便。调整了两次发孔腐蚀的处理步骤,使得发孔效果均匀,大大降低铝电解电容器用腐蚀箔的离散率、提高了弯折性能。改进了后处理的加工步骤,使得其无需进行退火处理,可以实现腐蚀箔的连续生产。

    一种使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法

    公开(公告)号:CN112530708B

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN202011188714.1

    申请日:2020-10-30

    Abstract: 本发明属于电容器技术领域,公开一种使用非对称间歇式正负组合脉冲重复加电方式制备化成箔的方法,所述非对称间歇式正负组合脉冲的波形依次包括正向大脉冲、负向脉冲、正向小脉冲,其中,所述正向大脉冲的电压大于所述负向脉冲电压的绝对值,所述正向大脉冲的时间大于所述负向脉冲电压的时间。本发明的制备方法中,在化成过程中增加负向脉冲阶段,同时负向脉冲的电压和时间小于正向脉冲的电压和时间,减少化成箔中氧化铝和铝基体间界面产生大量析氢和氢爆等现象,避免氧化膜层局部脱落、撕裂形成缺陷。

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