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公开(公告)号：CN119630138A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411740630.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H10H20/812 , H10H20/815 , H10H20/01 , H10H20/825
Abstract: 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体应力弛豫网格结构及其制备方法，该结构包括：多层结构的衬底，最上层为网格状的III族氮化物半导体层；设置在衬底上表面的超晶格弛豫网格层，包括至少两个交替堆叠的网格结构的半导体层，相邻两个半导体层的晶格常数不同；含In有源层，含In有源层设置在超晶格弛豫网格层的上表面，含In有源层包括至少一层网格结构的含In III族氮化物半导体层。根据本发明提供的Ⅲ族氮化物半导体应力弛豫网格结构，由于三维的网格结构和超晶格弛豫层能够令生长晶格失配含In有源层时的应力得到有效驰豫，面内晶格常数得到扩张，从而能够减小In并入所需要的能量，实现高质量的含InⅢ族氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN119562531A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411673974.6
申请日：2024-11-21
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种带复合终端的高耐压Ga2O3垂直功率二极管及制备方法，解决了现有氧化镓功率二极管中由于电流集边效应与电场集中效应而导致反向泄漏电流过大的问题。本发明自下而上包括：阴极、衬底、外延层、离子注入区、介质层、覆盖在介质层之上的p型NiO薄膜层、覆盖在器件表面的阳极金属层。制备步骤有：清洗外延片、制作阴极、光刻形成待离子注入区域、离子注入、淀积介质层、淀积p型NiO薄膜、淀积阳极金属层。本发明在氧化镓功率二极管中引入介质层边缘终端和离子注入边缘终端，并将p型NiO薄膜淀积在介质层之上，显著降低反向漏电，大幅提高器件耐压，在大功率、军工等领域应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN119521710A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411632365.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于p型AlGaN背势垒结构的低功耗GaN HEMT及其制备方法，HEMT包括：自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、p型AlGaN背势垒层、沟道层、插入层、顶势垒层和帽层；其中，p型AlGaN背势垒层中Al组分的含量为x，x为0～1；源极，由帽层一端的上表面延伸至顶势垒层的内部；漏极，由帽层另一端的上表面延伸至顶势垒层的内部；栅极，位于源极和漏极之间，且位于帽层的上表面。本发明采用p型AlGaN材料作为背势垒结构，能够有效降低通过缓冲层的泄漏电流，进而降低器件的功耗，在提高器件可靠性的同时改善器件的击穿特性。
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公开(公告)号：CN119421487A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411308343.4
申请日：2024-09-19
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN垂直互补场效应晶体管(VCFET)及反相器，VCFET包括衬底、第一晶体管、第二晶体管和公共的栅电极，第一晶体管和第二晶体管依次垂直堆叠在衬底上；第一晶体管为n型晶体管，第二晶体管为p型晶体管，形成GaN缓冲层、n管GaN沟道层、AlGaN势垒层、p管GaN沟道层和p管GaN掺杂层的整体结构形式；通过公共的栅电极实现同时对n型沟道和p型沟道的控制。在此结构基础上，将p型晶体管的源电极接高电平，n型晶体管的源电极接低电平，将两个晶体管的漏电极连接在一起并同时作为输出端，以栅电极作为输入端，即可实现反相器。该VCFET实现了高效、低功耗的电子传输特性，在保持高性能的同时，具有更小的占地面积，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN119230603A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411335217.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种隧穿欧姆接触P沟道GaN MOSFET器件结构及其制备方法，该结构从下往上依次包括衬底、成核层、缓冲层、P型沟道层、P型重掺杂层和N型重掺杂层。N型重掺杂层上设有多个竖直孔洞，竖直孔洞贯穿N型重掺杂层；漏电极和源电极之间设置有栅凹槽，栅凹槽内设置栅电极。P型重掺杂层和N型重掺杂层形成隧穿结，使漏电极与P型沟道层、源电极与P型沟道层之间形成欧姆接触。竖直孔洞增强了P型沟道层和P型重掺杂层中的掺杂杂质的激活，提高了P型沟道层和P型重掺杂层中的空穴浓度，从而降低了漏电极与P型沟道层、源电极与P型沟道层之间的欧姆接触，提高了P沟道MOSFET器件的导通电流和其他性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119210364A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411300518.7
申请日：2024-09-18
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体涉及一种不使用级间匹配的高频高增益两级低噪声放大器。该低噪声放大器包括：隔直电容、输入匹配电路、第一级放大电路、增益平坦度调节电感和第二级放大电路。隔直电容避免了直流信号对射频输入信号的干扰，输入匹配电路实现了功率和噪声的同时匹配，第一级放大电路对射频信号进行第一次放大，第二级放大电路对信号进行第二次放大，两级之间连有增益平坦度调节电感，提高增益平坦度。本发明通过将第一级放大管的漏极(输出)和第二级放大管的栅极共用相同的偏置电压，而不是给第一级的漏极提供单独的电源电压，避免了级间匹配的复杂设计过程，同时避免了变压器的使用，降低了芯片的面积和成本。
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公开(公告)号：CN119208271A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411325859.X
申请日：2024-09-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种优化散热的氧化镓器件及制备方法，主要解决现有氧化镓器件在功率电子应用方面存在散热性能差的问题。其器件自下而上包括阴极(1)、氧化镓衬底(2)、氧化镓外延层(3)、阳极金属(4)和钝化层(5)，该氧化镓外延层周围和氧化镓外延衬底上部或氧化镓外延层周围和氧化镓衬底整个周围设有优化散热区(6)，用于结合高热导率的钝化层进一步提高器件表面的散热能力，并释放器件内部的热量。这两种优化散热区的结构可通过在氧化镓外延层表面刻蚀的深度不同得以实现，本发明提高了器件的整体散热性能，避免了器件因为自热效应而导致性能退化，提升了器件的可靠性和使用寿命，可用于大功率电子设备和大功率射频设备。
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公开(公告)号：CN119095478A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411184680.7
申请日：2024-08-27
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H10N97/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体射频芯片背通孔大容量电容结构，所述电容结构自下而上依次包括衬底层和外延层；所述衬底层和外延层中间设有多个贯穿于二者的背通孔，所述背通孔内部设置有背通孔电容结构；所述背通孔电容结构包括右侧电极、介质层、左侧电极和正面金属层；所述右侧电极和左侧电极均是多层结构，二者相互交叉，形成叉指电极；所述介质层填充在相互交叉的右侧电极和左侧电极之间，且电极之间填满介质层，所述右侧电极接位于芯片正面的正面金属层，所述左侧电极接地。本发明提供的背通孔电容结构与芯片制造的背面工艺相兼容，能够有效优化制造流程，提高生产效率，确保器件性能和一致性，同时可以节约芯片面积，提高集成度，降低成本。
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公开(公告)号：CN119050210A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411153433.0
申请日：2024-08-21
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米尺度可见光发光二极管及其制备方法，制备方法包括：在衬底上生长III族氮化物半导体外延层；在III族氮化物半导体外延层上沉积第一刻蚀掩模层；在第一刻蚀掩模层上制备具有周期性排列图案的胶层；在第一刻蚀掩模层上形成图案化的第二刻蚀掩模层；刻蚀第一刻蚀掩模层形成图案化的第一刻蚀掩模层；刻蚀III族氮化物半导体外延层形成图形化的III族氮化物半导体纳米柱阵列模板；在III族氮化物半导体纳米柱阵列模板上生长LED结构，得到纳米尺度可见光发光二极管。该方法使在纳米柱阵列模板上生长的有源区受到的强压应变得到部分弛豫，增加了含In量子限制层中In的并入，实现长波长发光；同时提高辐射复合效率，增加了发光强度。
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公开(公告)号：CN119030480A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411140102.3
申请日：2024-08-20
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 一种双频率双端口高效率F类功率放大器、信号发射机及移动通信基站，功率放大器包括晶体管，晶体管连接RC稳定电路；双频漏极直流偏置电路、f1频率谐波控制电路和f2频率谐波控制电路三者并联后与晶体管串联；RC稳定电路分别连接双频栅极直流偏置电路和双频基波输入匹配电路；信号发射机及移动通信基站包括所述功率放大器；本发明中谐波控制网络对各自频率的谐波按F类功率放大器要求进行控制，达到提升功放效率的目的；可根据测试结果选用不同容值的电容，调试灵活；每一路端口针对另一路信号进行基波抑制，提高了两个输出端口间的隔离度；能在S和C波段范围内任意选取目标频率；具有实现双端口F类功率放大器的同时进行各自目标频率信号的高效率放大输出的特点。
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