公开(公告)号：CN209344084U

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201920059466.7

申请日：2019-01-15

Applicant: 常熟理工学院 ,  苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 况亚伟 ,  刘玉申 ,  王书昶 ,  倪志春 ,  魏青竹 ,  徐大唐 ,  马玉龙 ,  冯金福

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型公开了一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，包括基片本体，其特征在于，所述基片本体设有由表面向内部加工的非均匀盲孔，所述非均匀盲孔包括由所述基片本体的表面向内连续设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段直径大于第二孔段直径。本实用新型通过设置的非均匀盲孔阵列可以合理调节特定波长段光子的吸收率,适用于太阳能光伏电池及光电探测器领域。具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208368521U

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201820489392.6

申请日：2018-04-09

Applicant: 常熟理工学院 ,  苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 况亚伟 ,  顾涵 ,  马玉龙 ,  张静 ,  倪志春 ,  魏青竹 ,  潘启勇 ,  杨希峰 ,  刘玉申 ,  冯金福

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型公开了一种具有微腔结构的石墨烯太阳能电池，包括n型单晶硅，所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置第一石墨烯薄膜层，在位于所述二氧化硅层通孔的区域的第一石墨烯薄膜层表面设置氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜表面设置第二石墨烯薄膜层，在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的第一石墨烯薄膜层表面设置前电极，所述n型单晶硅的另一面设置金属薄膜背电极。本实用新型利用石墨烯/氮化硅/石墨烯微腔的调控光子吸收效率，实现石墨烯硅基太阳能电池转换效率电池的提高，具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206441744U

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201621282972.5

申请日：2016-11-28

Applicant: 常熟理工学院 ,  苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 况亚伟 ,  马玉龙 ,  倪志春 ,  魏青竹 ,  杨希峰 ,  朱丹凤 ,  刘玉申 ,  冯金福

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本实用新型公开了一种具有环形绝缘层结构的石墨烯硅基太阳能电池，包括背电极，背电极上设置单晶硅片，单晶硅片上设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，二氧化硅层陷入单晶硅片的厚度为0.2～2μm，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面设置石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜表面设置前电极。具有环形绝缘层结构的石墨烯硅基太阳能电池的效率与传统结构相比有显著提高。