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公开(公告)号：CN113141708B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110474739.6
申请日：2021-04-29
Applicant: 成都天锐星通科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本申请提出一种多波束芯片集成模块及相控阵系统，其中，多波束芯片集成模块包括第一印制板、至少一组第一类芯片以及至少一组第二类芯片；至少一组第一类芯片表贴与第一印制板的第一侧；至少一组第二类芯片与第一印制板的第二侧；其中，第一印制板的第二侧为与第一印制板的第一侧相互平行的对侧。在第一类芯片和第二类芯片的数量和尺寸(规格)不发生变化的情况下，将第一类芯片和第二类芯片分别表贴至第一印制板的两侧，相对于将第一类芯片和第二类芯片表贴至第一印制板的一侧，所需第一印制板的面积更小，即尺寸更小。从而能够满足印制板的尺寸减小后的芯片布局，降低天线网络布线的复杂度，使得能够简单快捷地完成多波束相控阵网络布局。
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公开(公告)号：CN112015225B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010875812.6
申请日：2020-08-25
Applicant: 成都天锐星通科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明提供一种了相控阵芯片，包括功分器；多个射频通道，分别连接至功分器上对应的分路端口，每一射频通道包括至少一条信号通路，每一信号通路均包括放大器以及与该放大器串联的移相器和衰减器；全局基准电流模块、与每一信号通路中放大器和移相器一一对应的本地基准电流源以及电流镜，其中，每一信号通道中的放大器和移相器分别通过与其对应的电流镜和本地基准电流源依次连接至全局基准电流模块，全局基准电流模块向与其连接的每一本地基准电流源输入数值相同的基准电流，本地基准电流源和电流镜将基准电流转换为与其对应的放大器和移相器所需的直流偏置；控制模块，与多个射频通道连接。本发明所提供的相控阵芯片其射频通道的一致性优。
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公开(公告)号：CN113163628A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110476577.X
申请日：2021-04-29
Applicant: 成都天锐星通科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本申请提供一种线路板结构及其制程方法，涉及集成电路技术领域。本申请通过将多个待叠合线路板层叠设置，并在相邻的两个待叠合线路板之间采用常温低压环境下即可使用的粘接介质进行粘连，形成对应的多层线路板体，以避开高温高压环境对材料性能的影响，有效扩展线路板结构的可叠合线路板层数及可构建结构厚度。而后，本申请会在多层线路板体的板面上形成至少一个贯穿该多层线路板体的贯通孔，并针对每个贯通孔，采用粘度匹配的银浆对该贯通孔进行灌孔处理，形成与该贯通孔对应的导通孔，以通过银浆灌孔工艺解决粘接介质无法沉铜的问题，确保线路板结构所包括的多个待叠合线路板能够有效导通。
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公开(公告)号：CN113141708A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110474739.6
申请日：2021-04-29
Applicant: 成都天锐星通科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本申请提出一种多波束芯片集成模块及相控阵系统，其中，多波束芯片集成模块包括第一印制板、至少一组第一类芯片以及至少一组第二类芯片；至少一组第一类芯片表贴与第一印制板的第一侧；至少一组第二类芯片与第一印制板的第二侧；其中，第一印制板的第二侧为与第一印制板的第一侧相互平行的对侧。在第一类芯片和第二类芯片的数量和尺寸(规格)不发生变化的情况下，将第一类芯片和第二类芯片分别表贴至第一印制板的两侧，相对于将第一类芯片和第二类芯片表贴至第一印制板的一侧，所需第一印制板的面积更小，即尺寸更小。从而能够满足印制板的尺寸减小后的芯片布局，降低天线网络布线的复杂度，使得能够简单快捷地完成多波束相控阵网络布局。
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公开(公告)号：CN111934629B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202010721281.5
申请日：2020-07-24
Applicant: 成都天锐星通科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带高线性度功率放大器，包括依次连接的输入匹配网络、第一级驱动放大器100、第一级间匹配网络、第二级驱动放大器200、第二级间匹配网络、输出级功率放大器300和输出匹配网络，所述的第一级驱动放大器100、第二级驱动放大器200和输出级功率放大器300均包括左右对称设置的差分电容中和放大器和二次谐波短路电路。通过上述方式，本发明能够提升功率放大器的幅度线性度和相位线性度，抑制三阶互调量，增强了功率放大器传输高功率宽带高阶调制信号的能力，另一方面，抑制了共模干扰信号带来的影响，增强了功率放大器的可靠性，整体提升功率放大器在高频的工作能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112068635A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010812047.3
申请日：2020-08-13
Applicant: 成都天锐星通科技有限公司 , 东南大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种适用于多通道相控阵的全局偏置方案和内嵌电流镜放大电路技术，所述的内嵌电流镜放大电路结构特征采用电容中和的共源差分放大器结构，晶体管部分(218、220)由第一放大管(202)、第二放大管(204)、第一镜像管(206)和第二镜像管(208)构成。本发明内嵌电流镜放大电路结构特征中晶体管部分(218、220)在工艺特征中将镜像管区域(304)内嵌于放大管区域(302)中，降低了工艺尺寸误差的随机性，实现了晶体管与镜像管尺寸的高精度匹配。在此技术基础上提出适用于相控阵系统的全局偏置方案，有效的提高了相控阵各通道的一致性。本发明适用于多通道毫米波相控阵应用中高增益毫米波放大器设计。
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公开(公告)号：CN111897209A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010424287.6
申请日：2020-05-19
Applicant: 成都天锐星通科技有限公司 , 东南大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开了一种毫米波芯片增益高低温自适应偏置结构及方法，包括带隙基准构成的第一部分电路(100)、由复制零温度基准电流的多输出电流镜构成的第二部分电路(200)、由复制正温度基准电流的多输出电流镜构成的第三部分电路(300)、由调整零温度基准电流比例的电流型数模转化器构成的第四部分(400)、由调整正温度基准电流比例的电流型数模转化器构成的第五部分电路(500)、由多输出电流镜构成的第六部分电路(600)、由控制混合基准电流大小的电流型数模转化器构成的第七部分电路(700)、由电流-电流型放大器构成的第八部分电路(800)和由毫米波晶体管偏置模块构成的第九部分电路(900)。通过上述结构，本发明可以适用于CMOS工艺且具有毫米波芯片高低温增益自适应功能和高灵活度。
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公开(公告)号：CN110112937B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910267307.0
申请日：2019-04-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了适用于微波毫米波无线能量传输应用的开关晶体管整流器，所述整流器由一个共源极晶体管，漏极、栅极匹配电路，移相电路和输出滤波电路构成。输入射频信号经漏极匹配电路输入到晶体管漏极，同时经过移相电路和栅极匹配电路输入到晶体管栅极，输出直流信号经输出滤波电路输出到负载上。本发明利用晶体管的开关特性，晶体管栅极和漏极分别输入同频不同相的信号，实现整流功能。通过调节栅极和漏极信号间的相位差，提高了整流器的功率转换效率，同时完成片上输入匹配电路，高效利用射频信号源。用晶体管开关结构代替整流二极管，减小了对输入功率的要求，保证了高频下整流器的整流效率，提高了电路可靠性。
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公开(公告)号：CN111181505A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010148251.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 东南大学
IPC: H03F3/217
Abstract: 本发明公开了一种W波段的八路合成功率放大器，包括依次连接的输入功率分配和匹配网络，由四级多路共源晶体管放大器、连接晶体管栅极的电阻、第一级级间匹配和功率分配网络、第二级级间匹配网络、第三级级间匹配网络构成的功率放大电路和输出功率合成和匹配网络所组成的核心网络，外加两个栅极偏压与漏极供电网络。本发明中晶体管的栅极之间用大小适宜的电阻连接，在保证各路晶体管的栅极偏压基本一致的情况下可以避免奇模振荡，提高稳定性。本发明的核心网络中所用电容均为用第一层金属所构建的插指电容，此种电容的电容密度小，占据面积适中，可直接与匹配网络中线宽较宽的传输线连接，避免了使用渐变线，减小了损耗，更适合在高频电路中使用。
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公开(公告)号：CN109245726A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810987358.6
申请日：2018-08-28
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明公开了一种适用于极高频的双推式倍频器，包括一对共源极放大器，这两个放大器的源极接地，两个放大器的漏极相连，两个放大器的栅极分别经对应的输入匹配网络与差分输入信号相连，输入匹配网络工作在基频，两个放大器的漏极公共端连接两条四分之一波长开路传输线，这两条四分之一波长开路传输线的一端分别连接在两个放大器的漏极公共端，它们的另一端开路，两个放大器的漏极公共端经输出匹配网络输出信号，输出匹配网络工作在二次谐波频率。本发明能在获得一定二次谐波输出功率的同时，显著提高基波抑制程度。
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