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公开(公告)号：CN1313989C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200410074945.4
申请日：2004-09-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y20/00 , H01L27/3244 , H01L27/3295 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L2251/5369 , Y10S385/901
Abstract: 本发明提供一种调整形成气体阻挡层的基底层的材料流动性，并形成难以引起体积变化的基底层，对气体阻挡层缓和应力集中的是电光学装置及其制造方法，以及电子仪器。在基体(200)上具有多个第1电极(23)、具有与第1电极(23)形成位置相对应多个开口部(221a)的贮格围堰结构体(221)、在各开口部(221)中配置的电光学层(60)、和覆盖贮格围堰结构体(221)和电光学层(60)的第2电极(50)的电光学装置(1)中，还具有通过含有微粒子(211)的有机材料形成覆盖第2电极并大致形成为平坦状的上表面的缓冲层(210)、和覆盖缓冲层(210)的气体阻挡层(30)。
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公开(公告)号：CN1677613A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510055479.X
申请日：2005-03-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , G02F1/1368 , H05B33/10
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/66757 , H01L2029/7863
Abstract: 本发明提供可自我整合地形成LDD构造，可控制掺杂区的长度，同时，可抑制过饱和地氢原子的注入所伴有的特性不稳定化的半导体器件的制造方法、半导体器件、电光装置用基板、电光装置和电子设备。其解决方案的特征在于包括：在半导体层(11)的上方形成电极(13)的工序；在该电极(13)的上边形成含氮的绝缘膜(12、14)的绝缘膜形成工序；在含有水蒸气、氧或氢的气氛中施行热处理，在上述绝缘膜(12、14)中形成氮浓度分布的热处理工序。
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公开(公告)号：CN1662109A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410104662.X
申请日：2004-12-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L51/0003 , H01L51/5206
Abstract: 本发明提供可以实现降低配线电阻、达到低消耗功率化、抑制发热及亮度均匀化的有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法及电子机器。本发明的方法，是在第1电极(41a)上具备以第1隔壁(42a)及第2隔壁(45)围绕的发光功能层(47)的有机电致发光装置(1)的制造方法，其特征在于，具备：在层间绝缘膜(30)上使第1电极材料(41)和第1隔壁材料(42)顺序成膜的工序；用相同形状的掩模(PR)使上述第1电极材料(41)及上述第1隔壁材料(42)图案形成而形成上述第1电极(41a)和上述第1隔壁(42a)的工序；和在上述层间绝缘膜(30)上及上述第1隔壁材料(42)上形成上述第2隔壁(45)的工序。
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公开(公告)号：CN1591527A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074945.4
申请日：2004-09-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y20/00 , H01L27/3244 , H01L27/3295 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L2251/5369 , Y10S385/901
Abstract: 本发明提供一种调整形成气体阻挡层的基底层的材料流动性，并形成难以引起体积变化的基底层，对气体阻挡层缓和应力集中的是电光学装置及其制造方法，以及电子仪器。在基体(200)上具有多个第1电极(23)、具有与第1电极(23)形成位置相对应多个开口部(221a)的贮格围堰结构体(221)、在各开口部(221)中配置的电光学层(60)、和覆盖贮格围堰结构体(221)和电光学层(60)的第2电极(50)的电光学装置(1)中，还具有通过含有微粒子(211)的有机材料形成覆盖第2电极并大致形成为平坦状的上表面的缓冲层(210)、和覆盖缓冲层(210)的气体阻挡层(30)。
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公开(公告)号：CN109119443B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201810908904.2
申请日：2014-08-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H10K59/50 , H10K59/30 , H10K59/124 , H10K59/123
Abstract: 本发明提供一种发光装置以及电子设备。该发光装置包括：晶体管；光反射层；第一绝缘层，其具有第一层厚的部分、第二层厚的部分以及第三层厚的部分；像素电极，其设置在第一绝缘层上；第二绝缘层，其覆盖像素电极的周边部；发光功能层；对置电极；以及导电层，其设置在第一层厚的部分上。像素电极具有设置在第一层厚的部分的第一像素电极、设置在第二层厚的部分的第二像素电极、以及设置在第三层厚的部分的第三像素电极。第一像素电极、第二像素电极以及第三像素电极经由导电层与晶体管连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112086499B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202011123963.2
申请日：2015-08-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H10K59/121 , H10K59/131 , H10K59/123 , H01L27/12
Abstract: 有机电致发光装置以及电子设备。有机电致发光装置具备：有机电致发光元件，其以与被供给的电流的大小相应的亮度发光；第一晶体管，其向所述有机电致发光元件供给电流；电源线层，其与所述第一晶体管的一方的电流端连接；以及电容元件，其在层叠方向和平面方向这两个方向上构成，所述电容元件包含：第一电极，其与所述第一晶体管的栅极连接；以及第二电极，其与所述第一电极同层地形成，所述第一电极配置在与所述第二电极分离的位置，在俯视时，在所述第一电极与所述第二电极之间插入有电介质膜。
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公开(公告)号：CN108922916B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201810909782.9
申请日：2014-08-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H10K59/35 , H10K59/123 , H10K59/124 , H10K50/852 , H10K50/856
Abstract: 本发明提供一种发光装置以及电子设备。该发光装置包括：晶体管；光反射层；第一绝缘层，其具有第一层厚的部分、第二层厚的部分以及第三层厚的部分；像素电极，其设置在第一绝缘层上；第二绝缘层，其覆盖像素电极的周边部；发光功能层；对置电极；以及导电层，其设置在第一层厚的部分上。像素电极具有设置在第一层厚的部分的第一像素电极、设置在第二层厚的部分的第二像素电极、以及设置在第三层厚的部分的第三像素电极。第一像素电极、第二像素电极以及第三像素电极经由导电层与晶体管连接。
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公开(公告)号：CN105390524B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201510541752.3
申请日：2015-08-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明涉及利用了有机电致发光材料的发光材料的有机电致发光装置。该有机电致发光装置具备第一晶体管、以与经由上述第一晶体管被供给的电流的大小相应的亮度发光的有机电致发光元件、以及电容元件。电容元件具有与第一晶体管的栅极连接的第一电极、第二电极、以及设置在第一电极与第二电极之间的电介质膜。第一电极与第二电极同层而形成，并被配置在隔着电介质膜与第二电极分离的位置。
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公开(公告)号：CN111816689A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010868818.0
申请日：2015-08-31
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32 , G09G3/3225 , H01L27/12
Abstract: 有机电致发光装置以及电子设备。有机电致发光装置具备：第1晶体管，其包含第1栅电极、第1源极/漏极区域；第2晶体管，其包含第2栅电极、第2源极/漏极区域；像素电极，其与所述第1源极/漏极区域电连接；信号线，其与所述第2源极/漏极区域电连接；扫描线，其与所述第2栅电极电连接；以及电容元件，所述电容元件具有：第1电容电极，其与所述第1栅电极电连接，配置于所述第1栅电极与所述像素电极之间的层；以及第2电容电极，其被供给电源电位，配置于所述第1电容电极与所述信号线之间的层，在俯视时，所述第2电容电极与所述第1晶体管重叠。
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公开(公告)号：CN103985730B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201410043092.1
申请日：2014-01-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/124 , H01L27/3206 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L27/3297
Abstract: 本发明涉及发光装置以及电子设备。其中，发光装置具备：半导体基板；多个像素电路，其形成于上述半导体基板；第一布线，其由导电性材料形成，并被供给规定的电位；以及多个第一触点部，其由导电性材料形成，并使上述半导体基板以及上述第一布线连接，其中，上述多个第一触点部以及上述第一布线被设置于配置有上述多个像素电路的显示区域。
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