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公开(公告)号:CN111834389A
公开(公告)日:2020-10-27
申请号:CN202010535556.6
申请日:2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED显示器件检测及修复方法,μLED显示器件阵列设置k个μLED像素,每个像素包含ni个芯片,以形成至少mi个发光体;μLED显示器件检测及修复包括以下步骤:S1)采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对芯片进行驱动发光;S2)通过逐点扫描或拍摄处理发光图片获得不良像素的行列地址;S3)根据不良像素的行列地址进行寻址,采用非Au-In互连方法在相应位置的芯片电极的备用区域与驱动背板对应电极的备用区域进行原位修复;S4)重复S1-S3,直至良品率达到预期良率。该方法降低了μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本,提高了μLED显示器件的良品率。
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公开(公告)号:CN111798764A
公开(公告)日:2020-10-20
申请号:CN202010535535.4
申请日:2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED像素单元结构及显示器件,μLED显示器件在驱动背板上阵列设置有k个μLED像素单元,每个μLED像素单元包含ni个μLED芯片,以形成至少mi个μLED发光体;μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧,μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域,μLED芯片电极与驱动背板电极采用Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连复合的方式互连。本发明可以有效降低μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本,并提高μLED显示器件的良品率。
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