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公开(公告)号：CN119602731A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411574833.9
申请日：2024-11-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种采用栅源耦合带宽扩展技术的分布式放大器，用以解决如何在不损失增益的基础上进一步拓展带宽这一大难题。本发明基于NMOS单管作为增益单元、集总元件电感作为传输线的分布式放大器结构，通过在增益单元的源极嵌入接地电感Ls，并将其与栅极传输线电感进行反相耦合，通过反相互感对输入阻抗进行抵消，进一步改善输入匹配，最终实现同样增益下的更高带宽的分布式放大器。
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公开(公告)号：CN116979954A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310758723.7
申请日：2023-06-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于数模混合电路领域，涉及一种除法链结构，更具体地涉及一种面向W波段应用的分频链。通过调整2/3分频器内部逻辑门的位置，使第一级2/3分频器的结构得到简化。此外，本发明采用了有比逻辑(Ratio Logic)的嵌入逻辑门的高速D触发器结构，进一步提高了第一级2/3分频器的工作速度。通过以上的技术方案，本发明实现了面向W波段应用的高速分频链，该分频链具有简化的结构和较高的工作速度，能够满足W波段应用中对时钟信号频率的要求。
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公开(公告)号：CN113437967B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202110747568.X
申请日：2021-07-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于数模混合电路领域，涉及一种锁相环频率综合器结构，具体提供一种基于时间误差放大器的低噪声毫米波锁相环频率综合器，用以克服传统电荷泵锁相环结构中电荷泵恶化锁相环带内噪声的问题。本发明在传统电荷泵锁相环频率综合器结构的基础上，通过在鉴频鉴相器(PFD)与电荷泵(CP)之间插入一级时间误差放大器(TA)，时间误差放大器将鉴频鉴相器输出的相位误差信号线性放大K倍产生信号输入至电荷泵，有效将电荷泵贡献到锁相环频率综合器输出端的噪声降低K倍，即克服传统电荷泵锁相环结构中电荷泵恶化锁相环带内噪声的问题；同时，本发明在反馈回路中保留分频器，以此与DSM技术相兼容，完成小数分频功能。
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公开(公告)号：CN110868160B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201911181195.3
申请日：2019-11-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种互补型功率合成的功率放大器结构，用以解决现有采用电容补偿技术的功率放大器功耗大、效率低的问题。本发明结构有效利用N型功率放大器和P型功率放大器的互补特性，通过P型功率放大器进行电容补偿，有效保证功率放大器结构线性度；同时，采用变压器将P型功率放大器的输出信号和N型功率放大器的输出信号进行功率合成，保证P型功率放大器的能量没有被浪费掉，使得整个功率放大器的输出功率得到提升，效率也得到提高；另外，提出失配调节网络，解决N型功率放大器与P型功率放大器输出匹配阻抗不同的问题；综上，本发明结构能够在保证功率放大器线性度的同时，提高输出功率及效率。
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公开(公告)号：CN115955107A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211688171.9
申请日：2022-12-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，涉及无线通信系统中的锁相频率源，具体提供一种改善动态电流失配的电荷泵电路，用以改善电荷泵电路的动态电流失配问题，从而实现锁相频率源的低杂散性能。本发明包括：电荷泵主体电路与控制信号生成电路，在放电开关开启时，为放电中间级电流镜支路提供短时间的放电通路，缩短了放电的开启时间，改善了放电和充电启动时间的失配；在充电开关和放电开关关闭时，为输出端相连的NMOS管和PMOS管的栅端提供短时间的低阻抗通路来放电或充电，加快充电和放电的关闭速度；综上，本发明通过快速充放电通路改善了动态电流失配问题，提高了电荷泵电路的线性度并实现了锁相环低杂散的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114824720B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210385523.7
申请日：2022-04-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种嵌入阻抗变换功能的紧凑型变压器威尔金森巴伦；本发明采用变压器结构，在两个并联变压器之间引入RLC网络，将阻抗匹配、差分转单端/单端转差分功能嵌入到威尔金森功率合成器中，使得威尔金森巴伦能够实现在完成功率合成或分配的同时，将两个差分复数阻抗与单端50Ω阻抗匹配在一起，并且两个差分端口之间具有电隔离。综上，本发明提供一种嵌入阻抗变换功能的紧凑型变压器威尔金森巴伦，在目标频段可以实现功率合成/分配、阻抗匹配、单转差分/差分转单、差分端口电隔离功能，在不影响隔离度与插入损耗的前提下显著减小了功率合成器的面积。
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公开(公告)号：CN115765669A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211335150.9
申请日：2022-10-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种120～160GHz宽带紧凑型6比特无源矢量调制型移相器。本发明采用矢量调制结构，提出耦合系数为0.74的亚高K正交信号发生器，使其具有更小的面积的同时，能够进一步降低幅度误差，拓展工作带宽；同时，提出基于模拟电压控制的改进型X型衰减器，匹配其中晶体管的源、漏两端引入的负电压技术，提高模拟电压控制X型衰减器增益的能力，并通过电容C1与C2实现阻抗匹配，使X型衰减器在太赫兹频段也能得以应用；最终，本发明实现在120～160GHz频率范围内5.625°步进的全360°移相效果；并且，显著降低移相器的面积，拓展移相器的工作带宽，提高移相器的移相精度，降低移相器的RMS移相误差。
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公开(公告)号：CN115587923A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210675405.X
申请日：2022-06-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于小波变换反演叶面积指数的方法，先通过鱼眼摄像头拍摄植被冠层图像并进行预处理，再确定出植被冠层图像的有效成像区域的几何中心和圆形有效成像区域的半径；测定当前植被环境满足置信度95％的所需图像采集次数并采集对应次数的待测点植被冠层图像，通过基于小波变换的迭代寻优法分割植被冠层图像，再根据投影方程提取出多个角度的冠层孔隙度，进而反演出叶面积指数。
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公开(公告)号：CN113824466B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202111002829.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04B1/401 , H04B1/44 , H03K17/687
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，涉及收发开关，具体提供一种采用钳位电阻的超宽带射频收发开关，用以解决现有技术中钳位电阻数量多、阻值大、导致射频收发开关版图面积过大等问题。本发明通过在发射通路的串联堆叠晶体管与并联堆叠晶体管之间、接收通路的串联堆叠晶体管与并联堆叠晶体管之间分别引入一个钳位电阻，有效抑制收发开关的直流电压漂移现象，同时不影响收发开关的隔离度和插入损耗；相比于传统钳位方式，本发明在各个通路中仅需要一个钳位电阻，大大减少钳位电阻的使用数量，且电路结构简单、显著减小收发开关版图面积。
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公开(公告)号：CN113764121B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111112702.5
申请日：2021-09-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种锑掺杂二氧化锡导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：S1取一基底经多种溶剂依次超声处理后，得到洁净基底；S2将二氯化锡与三氯化锑混合均匀后置于坩埚中；S3将经S1步骤后得到的洁净基底置于S2步骤的坩埚中，将坩埚转移到加热装置中，保持恒定速度升温至指定温度保温一定时间后将加热装置降至室温；S4将S3步骤处理后的洁净基底置于稀盐酸溶液中超声处理后洗涤、干燥得到锑掺杂二氧化锡导电薄膜。本发明的锑掺杂二氧化锡导电薄膜的制备方法简单、易行、可控且成本低，利于大规模生产。本发明主要通过调控前驱体二氯化锡与三氯化锑的质量比，获得不同电导率的锑掺杂二氧化锡导电薄膜。
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