一种电子镇流器及其工作频率选择方法

    公开(公告)号:CN1642380A

    公开(公告)日:2005-07-20

    申请号:CN200410099213.0

    申请日:2004-12-29

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: Y02B20/202

    Abstract: 本发明涉及一种用于高强度放电灯的调光型电子镇流器,及其工作频率的选择方法。该电子镇流器包括与高强度气体放电灯连接的气体放电灯主回路、和气体放电灯主回路连接的控制电路。其中气体放电灯主回路由低通滤波整流电路、功率因数校正电路、桥式逆变电路、T型滤波器谐振电路组成。通过调整桥式逆变电路的开关管工作频率,使高强度气体放电灯额定功率输出时的工作频率大于声谐振的上限频率,高强度气体放电灯调光过程中的工作频率大于高强度气体放电灯额定功率输出时的工作频率。

    纳米级铈锶复合氧化物催化剂及制备方法

    公开(公告)号:CN1600417A

    公开(公告)日:2005-03-30

    申请号:CN03151273.9

    申请日:2003-09-25

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 陈敏 郑小明

    Abstract: 本发明提供一种纳米级铈锶复合氧化物催化剂,分子式为CexSr1-xOz,其特征是铈锶摩尔比为:X∶1-X,所述X=0.1-0.9。以金属硝酸盐为原料,采用聚合物前驱体和有机物正丁醇共沸蒸馏的方法制备。本发明制备工艺简单,制得的粉体具有粒径小,比表面大,热稳定性能高等特点。

    铈锆钡复合氧化物及其制备方法

    公开(公告)号:CN1179879C

    公开(公告)日:2004-12-15

    申请号:CN02136273.4

    申请日:2002-07-25

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供了一种超细铈锆钡复合氧化物及其制备方法,分子式为CexZr1-xBayOz,铈、锆、钡的摩尔比例为Ce=X(X=0.1~1)∶Zr=1-X∶Ba=Y(Y=0.1~0.5),是以金属硝酸盐,硝酸铈、硝酸锆、硝酸钡为原料,通过聚乙二醇高分子表面修饰剂,采用正丁醇共沸蒸馏的方法制得,焙烧温度为600℃~700℃,焙烧时间为3~4小时。本发明工艺过程简单,比表面高,粉体呈纳米级,热稳定性好。

    铈锆钡复合氧化物及其制备方法

    公开(公告)号:CN1470455A

    公开(公告)日:2004-01-28

    申请号:CN02136273.4

    申请日:2002-07-25

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供了一种超细铈锆钡复合氧化物及其制备方法,分子式为CexZr1-xBayOz,铈、锆、钡的摩尔比例为Ce=X(X=0.1~1)∶Zr=1-X∶Ba=Y(Y=0.1~0.5),是以金属硝酸盐,硝酸铈、硝酸锆、硝酸钡为原料,通过聚乙二醇高分子表面修饰剂,采用正丁醇共沸蒸馏的方法制得,焙烧温度为600℃~700℃,焙烧时间为3~4小时。本发明工艺过程简单,比表面高,粉体呈纳米级,热稳定性好。

    基于耗能子模块实现交直流故障穿越的MMC换流阀及方法

    公开(公告)号:CN119315614B

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202411854511.X

    申请日:2024-12-17

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及高压直流输电领域,旨在提供一种基于耗能子模块实现交直流故障穿越的MMC换流阀及方法。本发明是以常规MMC换流阀的拓扑结构为基础,在其每个桥臂的桥臂电感和上下桥臂中点之间,各设有M个依次串联且结构相同的耗能子模块,该耗能子模块包括并联的主通流支路、耗能支路和旁路回路;在主通流支路中,半控型开关器件T1与其续流二极管D1反向并联后,再与全控型开关器件T2及其反向续流二极管D2进行反向串联;耗能支路中包括耗能电阻Rd,旁路支路中包括旁路开关K。本发明将交流故障穿越以及直流故障穿越整合至MMC换流阀的拓扑之中,提升了保护方案的集成度;能够有效平滑交流故障穿越时电压波动,提高交流故障穿越时的稳定性。

    一种低寄生电感和高散热效率的埋入式功率模块封装结构

    公开(公告)号:CN114823644B

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202210221535.6

    申请日:2022-03-09

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及功率半导体器件封装技术领域,旨在提供一种低寄生电感和高散热效率的埋入式功率模块封装结构。包括由上至下依次布置的顶部绝缘层、顶部金属图案层、焊料层、器件层、底部金属图案层和底部绝缘层;器件层包括至少两个MOSFET功率芯片和若干个金属连接块,并以绝缘填料填充于MOSFET功率芯片和金属连接块之间,使其相互隔离;功率芯片的漏极通过焊料层与顶部金属图案层相接,其源极和栅极分别与底部金属图案层电连接;金属连接块的上下表面分别与顶部金属图案层和底部金属图案层电连接。本发明通过将功率芯片嵌入于绝缘材料内,降低了功率模块的封装体积和重量,提升了模块的功率密度。无需使用键合线和电极引线,有效减小了功率模块的寄生电感。

    基于耗能阻尼与断路器的直流故障穿越方法、设备及介质

    公开(公告)号:CN119905976A

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202510397545.9

    申请日:2025-04-01

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及高压直流输电技术,旨在提供一种基于耗能阻尼与断路器的直流故障穿越方法、设备及介质。该方法包括:降低换流阀交流侧电压,将故障电流转至MMC换流阀内部的耗能阻尼模块,使电动势进入新稳态阶段;逐步降低直流故障电流,直流断路器执行分断操作,将直流故障点与高压柔性直流输电系统完全隔离;恢复MMC换流阀至正常运行时的控制策略,逐步切除耗能阻尼模块同时投运MMC子模块,使高压柔性直流输电系统平稳过渡到正常运行状态。本发明能有效降低故障电流对系统设备的冲击和损害风险,保障系统的安全稳定运行;可以采用更小容量的直流断路器,显著降低设备的采购成本;故障情况下也能保持系统稳定性,提高电力供应可靠性。

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