公开(公告)号：CN1226435C

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN02110785.8

申请日：2002-02-04

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  张雷 ,  田丽

IPC: C22C9/00 ,  C22C1/00

Abstract: 银纤维复相强化稀土铜基合金。材料重量百分比Ag为5.9%～6.1%、Cr为1.0%～2.2%，Ce为0.08%～0.10%，La为0.06%～0.08%，Nd为0～0.02%，其余为Cu。先将原材料Cu、Cr置于真空感应炉中，在低于0.1Pa大气压下熔化后向炉内充Ar至40～50kPa，加入Ag并熔化，经电磁搅拌后再加入Ce、La及Nd，熔化并静置2～3分钟后浇注成棒状铸坯。坯料经450℃/2小时热处理后，在冷拉拔变形程度η＝1.2～1.4、1.9～2.0及2.6～2.8时分别进行450℃/1小时、400℃/1小时及360℃/1小时退火。本发明优点是：昂贵元素Ag的含量较低；熔注坯料可直接冷变形，中间热处理由5次减少到3次；在降低贵金属消耗量及简化工艺的条件下，其强度与导电性达到含24%～25%Ag的合金水平。

公开(公告)号：CN1624196A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410073405.4

申请日：2004-12-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  刘艳辉 ,  侯玲

IPC: C23C26/00

Abstract: 本发明公开了一种电沉积氧化及热硫化合成二硫化铁薄膜的方法。采用导电玻璃基底，在pH值为3.0～5.0的FeSO4和Na2S2O3水溶液中电沉积Fe－S化合物膜，经180～220℃氧化处理得到Fe3O4预制膜，将预制膜在20～40kPa名义硫压及350～450℃硫化温度下等温处理5～20h，转变成立方晶系的二硫化铁薄膜。本发明避免了二硫化铁薄膜中存在过渡相组织，所制备的薄膜基底透明并且不存在金属或类金属单质原子向膜体中的扩散，膜层与基底的结合可靠，工艺及设备简单，效率较高。

公开(公告)号：CN1387265A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN02111221.5

申请日：2002-03-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  刘艳辉 ,  黄伟

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法。采用位向分别为(100)及(111)的两种单晶硅片为载膜衬底,通过磁控溅射沉积25～150nm厚度的纯铁膜,再将纯铁膜和在硫化温度下能产生80kPa压力所需质量的升华硫粉封装于石英管中,抽真空后密封置于加热炉中以3℃/min的升温速率加热至400～500℃进行热硫化反应10～20h,以2℃/min的速率降温至室温。本发明简化了直接溅射二硫化铁时通入硫蒸气或硫化氢的复杂过程,所合成的二硫化铁薄膜具有较标准的化学计量成分,不出现过渡相;薄膜与衬底之间具有较高的附着力,不易产生局部剥落;可以为关于衬底晶体结构和晶格参数对二硫化铁晶体生长影响规律的研究提供实验样品。

公开(公告)号：CN1063801C

公开(公告)日：2001-03-28

申请号：CN98104639.8

申请日：1998-01-14

Applicant: 浙江大学

Inventor： 涂江平 ,  孟亮 ,  刘茂森

IPC: C22C9/06

Abstract: 本发明是一种铜基合金，为良好的弹性材料，可用来制造仪器仪表、电子通信器件中的精密弹性元件。具有良好的导电性，较高的抗张强度、弹性极限和韧性，较高的软化温度，抗应力松弛能力强，加工性能好，焊接、电镀性能良好，很高的耐蚀和抗氧化性，原料来源丰富、无毒性。生产成本较铍青铜低，可以部分代替铍青铜材料。这种材料成分是：4.6～6.8%Ni、1.1～2.6%Si、0.8～2.1%Al、0.21～0.52%Fe、0.14～0.43%Cr、0.08～0.19Ce、0.04～0.12%Mg、余Cu。