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公开(公告)号:CN101817690A
公开(公告)日:2010-09-01
申请号:CN201010106994.7
申请日:2010-02-09
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/81 , C04B35/447 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种经硼酸盐系晶须增强的用于制作天线罩的陶瓷透波材料,属于特种功能陶瓷材料技术领域。该陶瓷透波材料由磷酸铝粉体、硼酸铝晶须和硼酸镁晶须配制而成,原料重量百分配比为:硼酸铝晶须20~40%,硼酸镁晶须5~30%,磷酸铝30%~75%。本发明还公开了本透波材料的制备方法,步骤为:将各原料按配比与蒸馏水混合成浆料,采用球磨法均匀混合,采用冷等静压成型方法成型,在常压下高温烧结成型。本发明的材料具有优良的力学性能、介电性能和良好的成型性,能够满足透波应用要求,制备方法简单易行,便于实施。
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公开(公告)号:CN101106024A
公开(公告)日:2008-01-16
申请号:CN200710016504.2
申请日:2007-08-07
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种铜基电触头复合材料,特别涉及一种用于低压电器开关的弱电铜基电触头复合材料,以及上述复合材料的制备方法。该复合材料,是由以下重量配比的材料组成:0.5-4%铋,0.5-4%TiAl金属间化合物,0.05-0.6%稀土材料,其余为铜及其它不可避免的杂质。其制备方法为:球磨混粉;冷压成型;烧结;二次压制;二次烧结。本发明的复合材料,抗熔焊性能强,灭弧性能和耐氧化性好,导电性与银基电触头复合材料相近,耐磨性能优于原含碳化硼铜基和银基电触头复合材料,是低压开关中使用的银合金电触头的廉价替代品。
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公开(公告)号:CN1676242A
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN200510042422.6
申请日:2005-02-01
Applicant: 济南大学
IPC: B22D19/02
Abstract: 本发明涉及一种网络结构陶瓷骨架增强金属基复合材料制备方法及其装置。制备方法具体步聚如下:选取一定量的陶瓷粉料和助剂,球磨混合均匀,与50~80wt%的粘结剂混合制成浆料;取具有贯通孔的网状海绵为前驱体,浸浆;对上述浸好浆料的海绵进行烧结固化;浇注金属液。本发明制备方法的装置,由加压系统、负压系统、加热系统、浸渗系统和控制系统组成。本发明的制备方法,形成了一种具有高耐磨性和断裂强度、良好导热和导电性、良好塑韧性、尺寸较稳定的新型金属基复合材料;制备的复合材料的陶瓷含量高达10%~30%。本发明的装置,具有操作简单,适合于批量化、产业化和多品种生产。
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公开(公告)号:CN105950904B
公开(公告)日:2018-04-27
申请号:CN201610527507.1
申请日:2016-07-07
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种中低压电器开关用的铜基电接触材料,特别涉及一种镀银石墨烯增强铜基电接触复合材料的制备方法。本发明的铜基复合材料是由以下成分配比组成:0.5~4wt.%的铋,0.05~0.5wt.%的钇,0.1~0.5wt.%的石墨烯(镀银),1~5wt.%的银,其余为铜及其它不可避免的杂质。本发明通过制备铜‑钇合金粉并对其化学镀银,将其与镀银处理的石墨烯球磨混匀,最后压制烧结制成电触头材料。本发明通过对铜粉表面镀银以改善材料的抗氧化性,并对石墨烯进行镀银处理以增强其与铜基体的结合,从而提高了材料的综合性能,最终获得导电性良好,抗电弧侵蚀和抗熔焊性优良的铜基电接触材料。
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公开(公告)号:CN105734335B
公开(公告)日:2018-01-30
申请号:CN201610145387.9
申请日:2016-03-15
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种铜基纳米多孔薄膜及其制备方法,属于纳米多孔金属薄膜材料的制备技术领域。本发明的铜基纳米多孔薄膜,呈多层结构,单层厚度200‑400nm(约为250 nm),中间层多孔孔径约为10‑25nm,最外两层的多孔孔径为175‑290 nm。上述铜基纳米多孔薄膜,是以各元素原子百分含量为:镁60‑30%、铜35–45%、钕25–5%的镁‑铜‑钕非晶合金为前驱体,通过化学脱合金法脱除镁、钕而成。其完整性强、纳米孔均匀连通并且尺寸可控、具有较高的比表面积、化学性质稳定的纯净的呈多层结构且层与层之间容易剥离。本发明的制备方法:工艺简单、绿色无污染、成本低廉、生产效率高,适合批量化生产。
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公开(公告)号:CN105200292B
公开(公告)日:2017-07-14
申请号:CN201510601668.6
申请日:2015-09-21
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种高强度的Mg‑Al‑Zn合金及其制备方法。本发明高强度的Mg‑Al‑Zn合金是由以下配比的组分组成(wt%):8.3%~9.7%Al、0.35%~1.0%Zn、0.1%~0.8%Mn,0.1%~1.0%Cu,其余为镁和不可避免杂质。其中,Mn是以Al‑Mn中间合金形式加入,其各组元重量配比为:10%Mn,其余为铝;Cu是以Al‑Cu中间合金加入,各组元重量配比为:20%Cu,其余为铝。在Mg‑Al‑Zn系的AZ91镁合金的基础上,通过调整工艺参数,加入一定量的Cu、Mn元素,既保留了该AZ91镁合金塑性较高的优点,又改善了合金的强度,提高了硬度;采用T6热处理后,AZ91镁合金的强度和硬度进一步提高,使得该发明镁合金的综合力学性能得到明显的提高。
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公开(公告)号:CN104282448B
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201310346481.7
申请日:2013-08-11
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种耐电弧烧蚀铜基电接触复合材料,特别涉及一种添加适量氧化钇制备耐电弧烧蚀铜基电接触材料的方法,主要用于中低负载的电源开关,继电器,接触器,起动器等电器装置中。本发明的低压电器用铜基电接触复合材料是由以下重量配比的材料组成:0.5‑6%锌,0.5‑2.5%氧化钇,0.04‑1%富铈混合稀土,0.5‑5%碳化硼,其余为铜粉及其它不可避免的杂质。本发明材料通过配料、粉末混合、压制成型、预烧、氩气保护烧结的制备而成。本发明的新型铜基复合材料的导电导热性、抗熔焊性、抗电弧烧蚀及摩擦性能可与银基相媲美,能满足电触头等制件对材料的基本要求,并具有突出的抗电弧烧蚀性能。
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公开(公告)号:CN106399746A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201610515569.0
申请日:2016-07-04
Applicant: 济南大学
IPC: C22C9/04
CPC classification number: C22C9/04
Abstract: 本发明涉及一种高强度耐腐蚀黄铜材料及其制备方法。所述合金材料的重量百分比组成:铜(Cu)50%~72%,钐(Sm)添加量为0.03%~2.0%,其余为锌(Zn)及总量不大于0.5%的不可避免的杂质。本发明采用钐处理普通黄铜材料,使合金微观组织发生明显变化,组织得到净化,提高了合金材料的强度、硬度以及耐腐蚀性能,使其具有良好的综合性能,适合于制造有耐蚀性要求的卫生洁具、水暖器材、仪器仪表冷凝管和阀门。
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公开(公告)号:CN104152767B
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201410414552.7
申请日:2014-08-22
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种通过添加Se制备高塑性Mg‑Al‑Mn‑Se镁合金材料的技术。本发明的高塑性Mg‑Al‑Mn‑Se镁合金是由以下配比的组分组成(wt%):5.5%~6.5%Al、0.13%~0.8%Zn、0.2%~1.2%Se、0.3%~0.6%Mn,其余为镁和不可避免杂质。最佳的合金成分配比为:6.0%Al、0.53%Zn、0.8%Se、0.4%Mn,其余为镁。其中,Mn是以Al‑10%Mn中间合金的形式加入。在AM60镁合金的基础上,通过一定的工艺,加入一定量的Se,在不明显降低合金强度和硬度的条件下,使得原Mg‑Al‑Mn镁合金的塑性得到明显的提高。
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公开(公告)号:CN105950904A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201610527507.1
申请日:2016-07-07
Applicant: 济南大学
CPC classification number: C22C9/00 , B22F2998/10 , C22C1/05 , C23C18/44 , H01H1/025 , H01H1/027 , B22F1/025 , B22F1/0003 , B22F3/02 , B22F3/10
Abstract: 本发明涉及一种中低压电器开关用的铜基电接触材料,特别涉及一种镀银石墨烯增强铜基电接触复合材料的制备方法。本发明的铜基复合材料是由以下成分配比组成:0.5~4wt.%的铋,0.05~0.5wt.%的钇,0.1~0.5wt.%的石墨烯(镀银),1~5wt.%的银,其余为铜及其它不可避免的杂质。本发明通过制备铜‑钇合金粉并对其化学镀银,将其与镀银处理的石墨烯球磨混匀,最后压制烧结制成电触头材料。本发明通过对铜粉表面镀银以改善材料的抗氧化性,并对石墨烯进行镀银处理以增强其与铜基体的结合,从而提高了材料的综合性能,最终获得导电性良好,抗电弧侵蚀和抗熔焊性优良的铜基电接触材料。
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