公开(公告)号：CN101919060A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200980101632.4

申请日：2009-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  川上信之 ,  富久胜文 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  C22C21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/458

Abstract: 本发明提供不会发生源电极与漏电极的干蚀刻率降低或蚀刻残留的情况下，可在半导体层与作为源电极或漏电极的布线金属之间省略屏障金属的薄膜晶体管基板及显示设备。本发明是具有半导体层(1)、源电极(2)、漏电极(3)及透明导电膜(4)的薄膜晶体管基板，其中，源电极(2)及漏电极(3)由Al合金薄膜形成，所述Al合金薄膜通过利用干蚀刻法的图案化来形成，且含有0.1～1.5原子％的Si和/或Ge、0.1～3.0原子％的Ni和/或Co以及0.1～0.5原子％的La和/或Nd。