半导体制造装置的气体分流供给装置

    公开(公告)号:CN104081304B

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201280068410.9

    申请日:2012-10-17

    CPC classification number: G05D7/0641 G05D7/0664 Y10T137/2544

    Abstract: 一种半导体制造装置的气体分流供给装置,具备:操纵阀(3),其形成压力式流量控制部(1a);气体供给主管(8),其连通于操纵阀(3)的下游侧;节流孔(6),其设于操纵阀(3)下游侧的气体供给主管(8);多个分支管路(9a、9n),其并列状地连接于气体供给主管(8)的下游侧;分支管路开闭阀(10a、10n),其间置于各分支管路(9a、9n);压力传感器(5);分流气体出口(11a、11n),其设于各分支管路(9a、9n)的出口侧;以及运算控制部(7),其中,对阀驱动部(3a)输出使所述操纵阀(3)朝运算流量值与设定流量值之差减少的方向开闭动作的控制信号Pd,并且对分支管路开闭阀(10a、10n)输出使各分支管路开闭阀(10a、10n)各自依次打开一定时间之后使其封闭的开闭控制信号(Oda、Odn),利用压力式流量控制部(1a)进行流通过节流孔(6)的过程气体的流量控制,并且通过分支管路开闭阀(10a、10n)的开闭来分流供给过程气体。

    压力式流量控制装置
    63.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106537275A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201580020604.5

    申请日:2015-07-09

    CPC classification number: G05D7/0635 Y10T137/776

    Abstract: 本发明提供了一种压力式流量控制装置,其能够在流体流量控制中,实现缩短切换流量时的降落响应时间,提高降落响应特性。压力式流量控制装置具有:主体(4),其设置有连通流体入口制用控制阀(5),其以水平姿势固定于主体(4)并对流体通路(3)进行开关;开关阀(6),其以垂直姿势固定于主体(4)并对压力控制用控制阀(5)的下游侧的流体通路(3)进行开关;流孔(7),其设置于开关阀(6)的上游侧的流体通路(3);以及压力传感器(8),其固定于主体(4)并检测压力控制用控制阀(5)和流孔(7)之间的流体通路(3)的内压,所述流体通路(3)具有:与压力控制用控制阀(5)连接的水平姿势的第一通路部(3a)、连接第一通路部(3a)和流孔(7)的垂直姿势的第二通路部(3b)、以及连接第二通路部(3b)和压力传感器(8)的水平姿势的第三通路部(3c)。(1)和流体出口(2)之间的流体通路(3);压力控

    流路密封构造
    64.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105814410A

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201480054854.6

    申请日:2014-12-22

    CPC classification number: F16L15/008 F16L55/027 G01F1/42 G01F15/005 G05D7/0635

    Abstract: 本发明涉及流路密封构造,能够省略将孔板或者过滤板对作为母材的孔座或者过滤器座进行焊接或者敛缝的工序,并且能够实现进一步的小型化。其具备:主体块体(1),形成有主体流路(1a,1b);凹部(12,13),形成于主体块体(1)的侧面,且在内周面形成有雌螺纹;薄板(6,8),抵接于所述凹部的深处,且形成有通孔;垫圈(16,17),抵接于薄板(6,8);按压配管(20,21),具有能够与主体流路(1a,1b)连通的内部流路和扩径部,且抵接于所述垫圈;紧固螺丝(22),外插于所述按压配管,并且螺旋拧入所述雌螺纹,抵接于所述扩径部而对所述按压配管进行按压。

    原料气化供给装置
    66.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103718275B

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201280038133.7

    申请日:2012-06-11

    CPC classification number: C23C16/4485

    Abstract: 本发明通过能够将加热固体原料或液体原料而生成的原料蒸汽一边使用压力式流量控制装置进行流量控制一边向处理腔室稳定地供给,实现原料的气化供给装置的小型化和半导体产品的品质提高,并且能够容易地进行原料的剩余量管理。本发明的原料气化供给装置由以下部分构成:原料箱,储存原料;原料蒸汽供给路,从原料箱的内部空间部将原料蒸汽向处理腔室供给;压力式流量控制装置,夹设在该供给路中,控制向处理腔室供给的原料蒸汽流量;和恒温加热部,将上述原料箱、供给路和压力式流量控制装置加热到设定温度;将在原料箱的内部空间部中生成的原料蒸汽一边通过压力式流量控制装置进行流量控制一边向处理腔室供给。

    半导体制造装置的原料气体供给装置

    公开(公告)号:CN103649367B

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201280033804.0

    申请日:2012-04-25

    Abstract: 本发明包括:液体原料气体供给源;源储罐,其储存所述液体原料气体;气体流通路,其从所述源储罐的内部上方空间部向处理腔供给为液体原料气体蒸汽的原料气体;自动压力调整器,其间置于该气体流通路的上游侧,且将向处理腔供给的原料气体的供给压力保持为设定值;供给气体切换阀,其间置于所述气体流通路的下游侧,且对向处理腔供给的原料气体的通路进行开闭;节流孔,其设于该供给气体切换阀的入口侧和出口侧中的至少一方,且调整向处理腔供给的原料气体的流量;以及恒温加热装置,其将所述源储罐、所述气体流通路和供给气体切换阀以及节流孔加热至设定温度,在本发明中,将自动压力调整器下游侧的原料气体的供给压力控制为所期望的压力,并且向处理腔供给设定流量的原料气体。

    半导体制造装置的原料气体供给装置

    公开(公告)号:CN103649367A

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201280033804.0

    申请日:2012-04-25

    Abstract: 本发明包括:液体原料气体供给源;源储罐,其储存所述液体原料气体;气体流通路,其从所述源储罐的内部上方空间部向处理腔供给为液体原料气体蒸汽的原料气体;自动压力调整器,其间置于该气体流通路的上游侧,且将向处理腔供给的原料气体的供给压力保持为设定值;供给气体切换阀,其间置于所述气体流通路的下游侧,且对向处理腔供给的原料气体的通路进行开闭;节流孔,其设于该供给气体切换阀的入口侧和出口侧中的至少一方,且调整向处理腔供给的原料气体的流量;以及恒温加热装置,其将所述源储罐、所述气体流通路和供给气体切换阀以及节流孔加热至设定温度,在本发明中,将自动压力调整器下游侧的原料气体的供给压力控制为所期望的压力,并且向处理腔供给设定流量的原料气体。

Patent Agency Ranking