公开(公告)号：CN113763993A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110210042.8

申请日：2021-02-25

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 成田直幸 ,  高岸雅幸 ,  岩崎仁志 ,  前田知幸

IPC: G11B5/127

Abstract: 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第4非磁性层。第1磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第2磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第3磁性层包括第1元素和第2元素，第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。

公开(公告)号：CN113129932A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010950143.4

申请日：2020-09-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 首藤浩文 ,  成田直幸 ,  永泽鹤美 ,  高岸雅幸 ,  岩崎仁志

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/48

Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括记录部。所述记录部包括磁极、屏蔽件以及设置在所述磁极与所述屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间，与所述磁极相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；以及第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种。

公开(公告)号：CN110890105B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201910175781.0

申请日：2019-03-08

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 首藤浩文 ,  成田直幸 ,  永泽鹤美 ,  高岸雅幸 ,  前田知幸

IPC: G11B5/31

Abstract: 提供一种能够提高记录密度的磁头和磁记录再现装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、磁性层、第1导电层以及第2导电层。所述磁性层设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间。所述第1导电层设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间且包括选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一个。从所述第1导电层向所述磁性层的方向与从所述磁极向所述第1屏蔽件的第1方向交叉。所述第2导电层设置于所述第1导电层与第1屏蔽件之间的第1位置、和所述磁极与所述第1导电层之间的第2位置中的任一个。所述第2导电层包括选自Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd中的至少一个。