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公开(公告)号：CN1714288A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200380103827.5
申请日：2003-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/645 , G01N2021/6421 , G01N2021/6471
Abstract: 光源(1)发射的光激发测量物质(2)，该物质(2)产生的荧光按顺序照射到透射型带通滤光片(4，6，8)，特定波长的光穿过带通滤光片(4，6，8)，由光接收部件(5，7，9)探测。测量由各个光接收部件(5，7，9)所探测到的信号光强之间的差异或相对比率，以测定荧光光谱的峰值波长，从而鉴别物质(2)。使用这种配置，能够获得尺寸小巧、价格低廉、探测迅速的荧光计。
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公开(公告)号：CN1518788A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN02812469.3
申请日：2002-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/0687 , G02F1/37
CPC classification number: H01S5/0687 , G02F1/37 , H01S5/005 , H01S5/0092 , H01S5/06256 , H01S5/0683
Abstract: 本发明提供一种在周围温度变化及输出功率变动的情况下也能够实现稳定的高次谐波输出的光源装置。它包括：半导体激光器光源(4)；从半导体激光器光源(4)的出射光产生第二高次谐波的光波导型QPM－SHG器件(5)；控制半导体激光器光源(4)的出射光波长的波长控制部件(7)；使半导体激光器光源(4)的出射光波长变化的波长微量变动部件(8)；以及检测半导体激光器光源4的出射光波长变化了时的光波导型QPM－SHG器件(5)的输出光功率变化的部件。根据半导体激光器光源(4)的出射光波长变化了时的光导波路型QPM－SHG器件(5)的输出光功率的变化，控制半导体激光器光源(4)的出射光波长，使光波导型QPM－SHG器件(5)具有最佳波长。
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公开(公告)号：CN1154878C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN96195433.7
申请日：1996-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2203/60 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S3/23 , H01S5/0092 , H01S5/02 , H01S5/40 , H01S5/4087
Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后，形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火，便形成一个稳定质子交换层8，其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少，由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样，相位匹配波长变得恒定，谐波输出的变化被消除。结果，对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言，提供了高度可靠的元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1482437A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN02131599.X
申请日：2002-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种简单而高速地评价波长可变半导体激光器的波长可变特性的方法。所用检测装置是由对具有有源区、相位调整区和DBR区的波长可变DBR半导体激光器1供给电流的电源；检测从波长可变DBR半导体激光器1射出的激光的输出强度的光接收元件3；以及可插入从波长可变DBR半导体激光器1至光接收元件3的光路上的透射型波长选择元件6构成的检测装置。在从波长可变DBR半导体激光器1至光接收元件3的光路上插入了透射型波长选择元件6的状态下，对于向有源区供给的规定的有源电流，改变对相位调整区供给的相位电流和对DBR区供给的DBR电流的至少一方，用光接收元件3检测透过透射型波长选择元件6后的激光的输出强度。
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公开(公告)号：CN1476657A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN02803070.2
申请日：2002-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: G02B6/4201 , G02B6/4207 , G02B6/4257 , G02B6/4262 , G02F1/37 , H01S5/0092 , H01S5/02252 , H01S5/02296 , H01S5/06256
Abstract: 一种高精度地控制射出角和发光位置的相干光源，将波长可变的DBR半导体激光器(1)和光波导型QPM－SHG器件(2)安装在Si底座(7)上，并将Si底座(7)固定在管壳(11)内来作为相干光源。管壳(11)的底座固定面上形成了作为固定Si底座(7)时的基准标记的基准线(A)、(B)。
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公开(公告)号：CN1114203C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN98100254.4
申请日：1998-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/12
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/126 , G11B7/127 , G11B7/1381 , G11B7/24085 , H01S5/0211 , H01S5/0213 , H01S5/028 , H01S5/1064 , H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S5/347
Abstract: 由波长锁定的GaN半导体激光器发射的激光通过平行校正透镜校准成平行光，导经偏振分束器及1/4波长片，并由聚焦透镜聚光，以致照射到形成在光盘介质中的凹坑上。来自光盘介质的信号光波聚焦透镜校准为平行光，并且它的偏振方向相对于从光盘介质返回前它的偏振方向被1/4波长片转过90°。其结果是，信号光从偏振分束器反射出来，以致被聚焦透镜会聚到光检测器上。
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公开(公告)号：CN1400503A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02127576.9
申请日：2002-08-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02B6/125 , G02B6/42 , G02B6/4207 , G02B2006/12119 , G02F1/3775 , G11B7/125 , H01S5/026
Abstract: 本发明简化光波导器件的批量生产工艺，谋求降低成本的同时，谋求降低噪声，使光波导15的入射端面15a与出射端面15b大致平行，通过采用把大面积的光学材料基板14进行光学研磨后切断，批量生产SHG元件13的批量生产方法，由此，能够进行具有均匀元件长度的光波导器件的批量生产，另外，使光波导15的光轴方向与光波导15的出射端面15b之间具有不是90°的角度，降低来自光波导15的出射端面15b的回光。
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公开(公告)号：CN1190237A
公开(公告)日：1998-08-12
申请号：CN98100254.4
申请日：1998-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/12
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/126 , G11B7/127 , G11B7/1381 , G11B7/24085 , H01S5/0211 , H01S5/0213 , H01S5/028 , H01S5/1064 , H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S5/347
Abstract: 由波长锁定的GaN半导体激光器发射的激光通过平行校正透镜校准成平行光,导经偏振分束器及1/4波长片,并由聚焦透镜聚光,以致照射到形成在光盘介质中的凹坑上。来自光盘介质的信号光波聚焦透镜校准为平行光,并且它的偏振方向相对于从光盘介质返回前它的偏振方向被1/4波长片转过90°。其结果是,信号光从偏振分束器反射出来,以致被聚焦透镜会聚到光检测器上。
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