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公开(公告)号：CN112692287B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202110050478.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种三维连通网格状分布的有序多孔钛制备方法，属于粉末冶金法制备多孔钛技术领域。本发明利用TiH2粉末和有机网格模板，制备出一种有序多孔钛。将TiH2粉末制成浆料，均匀填充入有机网格模板中，层层堆叠，干燥，将试样放入真空炉烧结，热分解有机网格，再高温烧结，得到的多孔钛孔隙在三维空间呈网格状分布，且具有孔径大小均匀的通孔；使用TiH2粉末为原料能方便前期制备粉末浆料时不被氧化，在烧结过程析出氢气还可促进烧结和防止钛高温被氧化；本发明成本低，制备工艺简单，制备的有序多孔钛孔隙率和孔径大小可调，钛骨架强度高。
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公开(公告)号：CN112735670B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202011492977.1
申请日：2020-12-16
Applicant: 昆明理工大学 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开一种微米级包银锡导电颗粒的制备方法及应用，属于材料制备技术领域。本发明所述方法采用喷雾法制取了粒径可控的微米级锡球，随后采用一种改进的化学还原法，在室温下合成微米级包银锡球，与双酚A环氧树脂混合后三辊闸制，得到成品各项异性导电胶膜。本发明成功解决了当前对低成本硬质Sn球进行包覆时，锡球活泼性过强在包覆过程中轻微置换，导致锡球碎裂的问题；成功使用低价锡球实现了包覆，并作为导电颗粒成功制成各向异性导电胶膜(ACF)。
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公开(公告)号：CN114751489A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210510123.4
申请日：2022-05-11
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种梯度多孔钛基/二氧化铅复合电极及其制备方法，该方法采用粉末冶金方法，以TiH2为原料，NH4HCO3为造孔剂，通过控制不同梯度层的造孔剂质量分数获得梯度多孔钛基体；在梯度多孔钛基体上热沉积形成致密的锡锑氧化物中间层；在锡锑氧化物中间层上电沉积复合二氧化铅活性层。发明中所述梯度多孔钛基体可以是2~3层，孔隙度为20%~40%，所述复合二氧化铅活性层的厚度为80μm~500μm。本发明使用梯度的结构设计在不损失性能的前提下减低了密度并可以实现对基体孔隙率的进一步调控；显著降低了中间层“泥裂”现象出现的可能性，改善中间层的致密性使电解池中的氧向电极表面的扩散减少且优化电沉积效果，降低了基体表面的钝化可能从而提高了使用寿命。
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公开(公告)号：CN112735670A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011492977.1
申请日：2020-12-16
Applicant: 昆明理工大学 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开一种微米级包银锡导电颗粒的制备方法及应用，属于材料制备技术领域。本发明所述方法采用喷雾法制取了粒径可控的微米级锡球，随后采用一种改进的化学还原法，在室温下合成微米级包银锡球，与双酚A环氧树脂混合后三辊闸制，得到成品各项异性导电胶膜。本发明成功解决了当前对低成本硬质Sn球进行包覆时，锡球活泼性过强在包覆过程中轻微置换，导致锡球碎裂的问题；成功使用低价锡球实现了包覆，并作为导电颗粒成功制成各向异性导电胶膜(ACF)。
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公开(公告)号：CN112692287A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110050478.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种三维连通网格状分布的有序多孔钛制备方法，属于粉末冶金法制备多孔钛技术领域。本发明利用TiH2粉末和有机网格模板，制备出一种有序多孔钛。将TiH2粉末制成浆料，均匀填充入有机网格模板中，层层堆叠，干燥，将试样放入真空炉烧结，热分解有机网格，再高温烧结，得到的多孔钛孔隙在三维空间呈网格状分布，且具有孔径大小均匀的通孔；使用TiH2粉末为原料能方便前期制备粉末浆料时不被氧化，在烧结过程析出氢气还可促进烧结和防止钛高温被氧化；本发明成本低，制备工艺简单，制备的有序多孔钛孔隙率和孔径大小可调，钛骨架强度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107971502B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201711055570.0
申请日：2017-11-01
Applicant: 昆明理工大学
IPC: B22F9/24
Abstract: 本发明公开了一种高分散性球形银粉的制备方法，属于电子工业用金属粉末制备技术领域。本发明在温度为25~45℃条件下，将硝酸银溶液迅速加入到还原剂抗坏血酸溶液混合均匀并反应5~20s得到混合溶液，然后将复合分散剂溶液迅速加入到混合溶液中，调节pH值为5~9，并反应10~15min，固液分离，洗涤固体，干燥即得高分散性球形银粉。本发明制备的球形银粉粒度分布窄，分布均匀，粒径为2~3微米且粒径可控，具有良好的分散性。
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公开(公告)号：CN110079266A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910231594.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C09J183/04 , C09J163/00 , C09J11/04 , C09J9/02
Abstract: 本发明涉及一种纳米银修饰碳纳米管制备高导热导电胶及其制备方法，属于复合材料制备技术领域。该纳米银修饰碳纳米管制备高导热导电胶由以下原料制备组成：树脂载体20～35份，银粉65～80份，纳米银修饰碳纳米管1～5份。将树脂载体、粒径为5µm的银粉利用三辊轧机研磨机分散充分混合，加入纳米银修饰碳纳米管、分散剂和消泡剂得到混合浆料，然后采用离心机混合，制备得到高导热导电胶。本方法通过在银胶中添加纳米银修饰的碳纳米管，在微米级银颗粒之间形成导热桥连接，将碳纳米管表面纳米银与银颗粒烧结连接，建立了大量的导热通路并降低了填料间载流子传输势垒，大幅度提高了填料界面间声子、电子的传输效率。
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公开(公告)号：CN104562145B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201410803384.0
申请日：2014-12-23
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 本发明公开一种复合氧化制备生物陶瓷膜的方法，属于生物医用植入材料表面处理技术。本发明所述方法先将钛合金式样进行预处理后置于电解液中作为阳极，不锈钢电解槽为阴极，进行阳极氧化；然后经阳极氧化处理钛合金式样再次置于上述电解液中作为阳极，不锈钢电解槽为阴极，再进行微弧氧化后用去离子水清洗后烘干得到复合氧化制备生物陶瓷膜；本生物陶瓷膜与钛合金基体表面形成冶金结合，结构致密，韧性高；外部含有羟基磷灰石相及较多金红石相，具有一定的生物相容性，具有良好的力学性能，耐腐蚀性能，化学稳定性好，符合人体植入材料的要求，是骨骼植入和修复的主要材料之一。
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公开(公告)号：CN104844192B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510215565.6
申请日：2015-04-30
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C04B35/46 , C04B35/626 , H01C7/115
Abstract: 本发明涉及一种压敏陶瓷材料的制备方法及应用，属于电器元件及其材料制造技术领域。本发明所述方法首先将Ge、Nb2O5、Y2O3加入到TiO2中得到混合物料，然后将混合物料湿磨、干燥、过筛后造粒、造粒后继续过筛、再将粉料压制成小圆片；将小圆片加热排胶，再热烧结冷却到室温制备得到（Ge、Nb2O5、Y2O3）共掺杂TiO2压敏陶瓷；该压敏陶瓷表面加工、被电极、烧银后封装得到（Ge、Nb2O5、Y2O3）共掺杂TiO2压敏电阻。本发明提高了TiO2系压敏陶瓷电阻的性能。
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公开(公告)号：CN104649661B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410749277.4
申请日：2014-12-10
Applicant: 昆明理工大学
IPC: H01C7/115 , C04B35/46 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种共掺杂TiO2压敏陶瓷的方法、共掺杂TiO2压敏电阻及其制备方法，属于电器元件及其材料制造技术领域。首先将Ge、GeO2、V2O5、Y2O3加入到TiO2中得到混合物料，然后混合物料湿磨、干燥、过筛后造粒、造粒后继续过筛、再将粉料压制成小圆片；将小圆片加热排胶，再热烧结冷却到室温制备得到（Ge、GeO2、V2O5、Y2O3）共掺杂TiO2压敏陶瓷；该压敏陶瓷表面加工、被电极、烧银后封装得到（Ge、GeO2、V2O5、Y2O3）共掺杂TiO2压敏电阻。本发明提高了TiO2系压敏陶瓷电阻的性能。
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