公开(公告)号：CN201212056Y

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200820081206.1

申请日：2008-05-16

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 杨滨

IPC: C23C14/34

Abstract: 本实用新型涉及一种高真空离子束溅镀靶材利用率增强装置。本装置置于真空镀膜室侧部，除靶位外均设置于真空镀膜室外部，靶位与由步进电机驱动的双向转动组件连接，实现靶位的精确双向转动；该双向转动组件又与由另一步进电机驱动的轴向往复摆动组件连接，实现靶位的精确轴向往复移动，两组步进电机与PLC可编程控制器的电脉冲信号输出端电控连接。本装置可提高靶材利用率60％～100％，通过镶嵌型平面靶获得多组分质量优异的包覆型复合膜和合成膜产品，大幅度降低产品加工和设备维护成本，可提高真空室容积利用率，并节省能源。

公开(公告)号：CN201317807Y

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200820200000.6

申请日：2008-11-18

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 杨滨

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/24

Abstract: 本实用新型属于电子机械技术领域，涉及一种高真空多功能离子束溅射与电子束蒸发连续镀膜装置。本装置的真空镀膜室为单室结构，离子束溅射源和电子束蒸镀源的发生器设置在真空镀膜室外，二者通入镀膜室的入口对应设置有离子束溅源射挡板和电子束蒸镀源挡板；恒张力可逆卷绕单元的收/放卷轴及随动过渡轴固定于镀膜室内的连接支撑装置上，对应的传感、驱动、控制设置在镀膜室外。本实用新型结构紧凑，在单真空室内具有多种镀膜及连续镀膜功能，并可实现镀膜过程中间断或全时的离子束辅助增强沉积，能将溅射靶材特别是贵重金属靶材和难加工类靶材利用率提高 60％～100％，还可通过镶嵌型靶获得特殊功能的包覆型复合膜产品。