公开(公告)号：CN115053011B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202180012533.X

申请日：2021-01-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望

IPC: C23C14/08 ,  H01B5/14

Abstract: 透明导电层3具备：露出至外部的第1主面5、及与第1主面5在厚度方向相对的第2主面6。透明导电层3为在面方向延伸的单一的层。透明导电层3具有：剖视图中2个端缘23均在第1主面5开放、且两端缘23之间的中间区域25不与第2主面6接触的第1晶界7；和被所述第1晶界7分隔、且仅面向第1面5的第1晶粒31。

公开(公告)号：CN118737528A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410371856.3

申请日：2024-03-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望

IPC: H01B5/14 ,  G06F3/042 ,  H01B1/08

Abstract: 提供透光性导电性片。透光性导电性片(1)朝向厚度方向一侧依次具备基材层(2)与透光性导电层(3)。透光性导电层(3)朝向厚度方向一侧依次具备第1区域(31)与第2区域(32)。第1区域(31)的主要区域为结晶质。第2区域(32)的主要区域为非晶质。

公开(公告)号：CN118098675A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410174303.9

申请日：2021-01-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望

IPC: H01B5/14 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明涉及透明导电层、透明导电性片、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件及图像显示装置。透明导电层3具备：露出至外部的第1主面5、及与第1主面5在厚度方向相对的第2主面6。透明导电层3为在面方向延伸的单一的层。透明导电层3在面方向不含非晶质的区域。透明导电层3具有：剖视图中2个端缘23均在第1主面5开放、且两端缘23之间的中间区域25不与第2主面6接触的第1晶界7；和被所述第1晶界7分隔、且仅面向第1面5的第1晶粒31。

公开(公告)号：CN116348293B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280006988.5

申请日：2022-08-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: B32B3/30 ,  B32B7/025 ,  B32B27/00

Abstract: 层叠体(1)具备基底层(3)、以及与基底层(3)的厚度方向的一个面(31)邻接的结晶质的透明导电层(4)。透明导电层(4)的厚度方向的一个面(41)具备高度为3nm以上的第一隆起(42)。基底层(3)的一个面(31)任选具备高度为3nm以上的第二隆起(32)。第二隆起(32)在厚度方向上投影时不与第一隆起(42)重合。透明导电层(4)含有原子序数比氩大的稀有气体。

公开(公告)号：CN115298765B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202180022925.4

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梶原大辅 ,  藤野望 ,  碓井圭太

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  H01L31/0224 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和透光性导电层×10‑4Ω·cm的电阻率。透光性导电层(20)具有2 19霍尔迁移率μ(cm/V·s)和载流子密度n×10(cm‑3)，n相对于μ的比率为4以上。(20)。透光性导电层(20)含有氪，且具有小于2.8

公开(公告)号：CN117043888A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280022825.6

申请日：2022-09-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B1/20

Abstract: 透明导电层(1)包含：含有原子序数比氩大的稀有气体的无机氧化物。对透明导电层(1)进行X射线衍射时，(440)面的峰的积分强度I440相对于(222)面的峰的积分强度I222的比(I440/I222)不足0.130。

公开(公告)号：CN116848595A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280014562.4

申请日：2022-09-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)在厚度方向(D)依次具备透明树脂基材(10)和结晶质的透明导电层(20)。透明导电层(20)含有原子序数比氩大的稀有气体原子。透明导电层(20)具有第1电阻值R1(Ω/□)，且在160℃且30分钟的加热条件下的加热处理后具有第2电阻值R2(Ω/□)。第2电阻值R2相对于第1电阻值R1的比率为0.650以上且0.990以下。

公开(公告)号：CN116246821A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310163531.1

申请日：2021-01-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望

IPC: H01B5/14 ,  H01L31/0224 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/155 ,  G02F1/1676 ,  H01Q1/38 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明提供透明导电层及具备其的构件和装置。透明导电层(3)具备在厚度方向彼此相对的第1主面(5)及第2主面(6)。透明导电层(3)为在与厚度方向正交的面方向延伸的单一的层。透明导电层(3)具有：多个晶粒(4)；将多个晶粒(4)分隔、且厚度方向一端缘(9)及另一端缘(10)各自在第1主面(5)及第2主面(6)各自中开放的多个第1晶界(7)；和从一个第1晶界(7A)的第1中间部(11)分支、并到达另一第1晶界(7B)的第2中间部(12)的第2晶界(8)。

公开(公告)号：CN115298763A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180022368.6

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 鸦田泰介 ,  藤野望 ,  鹰尾宽行

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/08 ,  H01B1/20 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/022 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  B32B7/028 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(T)依次具备透明树脂基材(10)和透明导电层(20)。透明导电性薄膜(X)在与厚度方向(T)正交的面内方向具有由165℃和60分钟的加热条件下的加热处理带来的热收缩率最大的第一方向、以及与该第一方向正交的第二方向。透明导电性薄膜(X)的由前述加热条件下的加热处理带来的第二方向的第一热收缩率T1以及透明树脂基材(10)的由前述加热条件下的加热处理带来的第二方向的第二热收缩率T2满足0％≤T1‑T2

公开(公告)号：CN115298761A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180021982.0

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  小笹顺平 ,  森地健太

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  G06F3/041

Abstract: 透明导电性薄膜1依次具备基材层2和透光性导电层3。基材层2包含树脂层。透光性导电层3包含氪原子和/或氙原子。