钨钒掺杂铌氧化物的制备方法、钨钒掺杂铌基材料及应用

    公开(公告)号:CN116621222B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202310905384.0

    申请日:2023-07-24

    Abstract: 本申请涉及一种钨钒掺杂铌氧化物的制备方法、钨钒掺杂铌基材料及应用。该制备方法包括以下步骤:制备包括铌离子、钨离子和钒离子的前驱体溶液;其中,前驱体溶液的pH值为≥10;前驱体溶液中,钨元素的摩尔量相对于钒元素的摩尔量之比值为0.8~1.2,钨元素和钒元素的摩尔量之和相对于铌元素的摩尔量之比值为0.005~0.1;于150℃~200℃将前驱体溶液进行水热反应;进行固液分离收集固体沉淀物,水洗,醇洗,于50℃~100℃干燥;于400℃~500℃对水热反应产物进行煅烧,制得钨钒掺杂铌氧化物。该钨钒掺杂铌氧化物具有较好的气体敏感性,可以实现对乙炔气体的高敏感性和高稳定性响应,可用作气敏材料。

    一种局放传感器采集系统及采集方法

    公开(公告)号:CN117148063A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311122316.3

    申请日:2023-08-31

    Abstract: 本发明公开了一种局放传感器采集系统及采集方法,包括局放传感器,局放传感器包括采集板卡,采集板卡由多路独立A/D采集通道组成;A/D采集通道包括:前端信号调理模块、信号采集模块、逻辑控制模块、数据储存模块和数据传输模块。本发明可增大对局部放电信号数据的采集量,同时对采集的放电信号数据进行数字信号数据的转换和分析处理,剔除干扰信号,提升局放传感器对于局部放电信号数据采集的容量和采集质量,从而减少数据采集设备的使用量,降低硬件施工难度和施工成本,提升工作质量。

    模数转换装置及信号转换设备

    公开(公告)号:CN116318154B

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310553121.8

    申请日:2023-05-17

    Abstract: 本申请涉及一种模数转换装置及信号转换设备,包括依次连接的第一ADC、多路电平投切装置和第二ADC,第一ADC和第二ADC均接收输入电平,第一ADC用于根据输入电平输出第一数字信号至多路电平投切装置,多路电平投切装置用于根据第一数字信号输出参比信号至第二ADC,第二ADC用于根据输入电平和参比信号产生第二数字信号,第一数字信号和第二数字信号作为模数转换装置的数字量输出。输入电平首先通过转换速率较快的第一ADC划分出信号区间,再获得参比信号,将输入电平与参比信号输入后端精度较高的第二ADC,即可实现高速、高精度的模数转换,提高模数转换装置的工作性能。

    异质结薄膜、HF气敏半导体组件、制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116626115A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310913938.1

    申请日:2023-07-25

    Abstract: 本申请涉及一种异质结薄膜、HF气敏半导体组件、制备方法和应用。该异质结薄膜包括InSbO3和SnS2构成的纳米棒状异质结结构,其中,在纳米棒状异质结结构中,InSbO3相对于SnS2的摩尔比为1:(0.5~2)。该异质结薄膜制备方法包括以下步骤:制备包含铟盐、锑盐和第一有机溶剂的前驱体A溶液,进行第一次水热反应,洗涤固体产物I,进行干燥和第一次烧结,生成InSbO3半导体物质;将InSbO3半导体物质与包含锡盐和含硫添加剂的前驱体B溶液进行第二次水热反应,洗涤固体产物Ⅱ并干燥,形成InSbO3和SnS2构成的纳米棒状异质结结构。该异质结薄膜具有较好的气敏特性且制备方法简单。

    钨钒掺杂铌氧化物的制备方法、钨钒掺杂铌基材料及应用

    公开(公告)号:CN116621222A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310905384.0

    申请日:2023-07-24

    Abstract: 本申请涉及一种钨钒掺杂铌氧化物的制备方法、钨钒掺杂铌基材料及应用。该制备方法包括以下步骤:制备包括铌离子、钨离子和钒离子的前驱体溶液;其中,前驱体溶液的pH值为≥10;前驱体溶液中,钨元素的摩尔量相对于钒元素的摩尔量之比值为0.8~1.2,钨元素和钒元素的摩尔量之和相对于铌元素的摩尔量之比值为0.005~0.1;于150℃~200℃将前驱体溶液进行水热反应;进行固液分离收集固体沉淀物,水洗,醇洗,于50℃~100℃干燥;于400℃~500℃对水热反应产物进行煅烧,制得钨钒掺杂铌氧化物。该钨钒掺杂铌氧化物具有较好的气体敏感性,可以实现对乙炔气体的高敏感性和高稳定性响应,可用作气敏材料。

    半导体氧化物材料、O3传感器、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116395736A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310674670.0

    申请日:2023-06-08

    Abstract: 本申请涉及一种半导体氧化物材料、O3传感器、制备方法及应用。该制备方法包括以下步骤:制备包括铟离子和水的前驱体A溶液;其中,前驱体A溶液还包括螯合剂和pH调节剂;将掺杂离子溶液与前驱体A溶液混合,制备得到前驱体混合溶液;其中,掺杂离子溶液含有掺杂离子和水,掺杂离子包括三价铁离子、四价锡离子和五价锑离子中的一种或多种;将前驱体混合溶液于120℃~150℃进行水热反应,进行包括固液分离、水洗和醇洗的步骤,干燥,制备得到中间体固态物;将中间体固态物于380℃~420℃进行煅烧处理,制备得到半导体氧化物材料。该制备方法操作简单、成本低廉,且过程仅使用去离子水和无水乙醇作为溶剂,环保无污染。

    模数转换装置及信号转换设备

    公开(公告)号:CN116318154A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310553121.8

    申请日:2023-05-17

    Abstract: 本申请涉及一种模数转换装置及信号转换设备,包括依次连接的第一ADC、多路电平投切装置和第二ADC,第一ADC和第二ADC均接收输入电平,第一ADC用于根据输入电平输出第一数字信号至多路电平投切装置,多路电平投切装置用于根据第一数字信号输出参比信号至第二ADC,第二ADC用于根据输入电平和参比信号产生第二数字信号,第一数字信号和第二数字信号作为模数转换装置的数字量输出。输入电平首先通过转换速率较快的第一ADC划分出信号区间,再获得参比信号,将输入电平与参比信号输入后端精度较高的第二ADC,即可实现高速、高精度的模数转换,提高模数转换装置的工作性能。

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