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公开(公告)号：CN113838985B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202010586440.5
申请日：2020-06-24
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于发光器件技术领域，尤其涉及一种氧化锌纳米材料的制备方法，包括步骤：获取氧化锌纳米颗粒；获取碱液，将所述氧化锌纳米颗粒与所述碱液混合处理，得到氧化锌纳米材料。本发明氧化锌纳米材料的制备方法，通过碱液刻蚀使氧化锌纳米颗粒部分结晶相转变为非晶相，不但使氧化锌纳米颗粒晶体结构扭曲，产生多余的孤对电子，从而提高氧化锌纳米材料的导电性，而且氧化锌纳米颗粒中非晶相部分具有一定的氧空位和锌空位，从而调节氧化锌纳米材料的能带，提高电子注入效率，当应用于发光器件时提高发光器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN114695826A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011640967.8
申请日：2020-12-31
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及功能材料技术领域，提供了一种调控氧化锌的电子迁移率的方法。所述调控氧化锌的电子迁移率的方法，包括以下步骤：制备氧化锌，且在制备所述氧化锌的过程中，通过控制所述氧化锌的表面羟基量，来调控氧化锌的电子迁移率。本申请提供的调控氧化锌的电子迁移率的方法，只需要通过调控氧化表面羟基量即可实现量子点发光二极管器件的载流子注入平衡或提高电子迁移率，无需改变器件结构(插入电子阻挡层)，也无需通过掺杂等手段对氧化锌薄膜进行改性，整个过程操作简单，成本低廉，具有良好的可重复性。
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公开(公告)号：CN114695824A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011640040.4
申请日：2020-12-31
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管的制备方法。本申请提供的量子点发光二极管包括电子传输层，其中，电子传输层包括第一电子传输层，且表面羟基量大于或等于0.6的氧化锌薄膜的制备方法，包括：将锌盐溶液与第一碱液混合反应，向反应结束后的混合溶液中加入沉淀剂，收集沉淀物；将所述沉淀物清洗处理后进行溶解，得到氧化锌胶体溶液；向所述氧化锌胶体溶液加入第二碱液，调节所述氧化锌胶体溶液的pH大于或等于8，得到氧化锌溶液；在预制器件基板上形成氧化锌溶液，去除溶剂，制得表面羟基量大于或等于0.6的氧化锌薄膜。本申请提供的量子点发光二极管的制备方法，有效提升了量子点发光二极管器件的外量子效率。
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公开(公告)号：CN114695748A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011642134.5
申请日：2020-12-31
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管的制备方法。本申请提供的量子点发光二极管包括相对设置的阳极和阴极，设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，设置在量子点发光层和阴极之间的电子传输层，其中，电子传输层包括含有氧化锌的第一电子传输层，且至少第一电子传输层的一侧表面含有碳原子数为3‑8的胺基配体和/或羧基配体，第一电子传输层的制备方法，包括：在待制备第一电子传输层的预制器件基板上制备氧化锌预制薄膜；在氧化锌预制薄膜的表面沉积碳原子数为3‑8的胺基配体和/或羧基配体溶液后进行干燥处理，得到氧化锌薄膜。本申请提供的量子点发光二极管的制备方法，有效提升了量子点发光二极管器件的寿命。
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公开(公告)号：CN113130789B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911420671.2
申请日：2019-12-31
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和所述阴极之间的叠层，其中，所述叠层包括量子点发光层、电子传输层和设置在所述量子点发层与所述电子传输层之间的脂肪胺修饰层，所述量子点发光层设置在靠近所述阳极一侧，所述电子传输层设置在靠近所述阴极一侧，所述电子传输层的材料包括ZnO纳米线。本发明通过将脂肪胺修饰层设置在电子传输层(含有ZnO纳米线的电子传输薄膜)与量子点发光层之间，增强了电子传输层的电子传输，减少能耗；改善了电子传输层与量子点发光层的界面接触质量，降低功函数，减小电子注入势垒；两者协同提高了电子传输层的传输效率及稳定性，进而改善了QLED的发光效率和使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118119238A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211506797.3
申请日：2022-11-29
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种发光器件及其制备方法及显示装置，制备方法包括以下步骤：提供第一电极；在所述第一电极上形成功能层，所述功能层包括发光层和载流子功能层，所述载流子功能层含有脒基化合物；在所述功能层上设置第二电极。本申请旨在解决现有发光器件发光性能低的问题。
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公开(公告)号：CN116828949A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210280523.0
申请日：2022-03-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种改性氧化锌及改性氧化锌溶液的制备方法、光电器件。改性氧化锌包括氧化锌颗粒和结合在所述氧化锌颗粒表面的硅烷胺配体。硅烷胺配体能增加氧化锌颗粒之间的间隔，对氧化锌颗粒的表面钝化，减少氧空位的产生。同时，硅烷胺中有氮原子，能有效配体到氧化锌颗粒表面，以避免氧化锌颗粒发生团聚，有效避免了发光层淬灭、光电器件电压上升、光电器件漏电流增多等现象。
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公开(公告)号：CN116615044A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202210101237.3
申请日：2022-01-27
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/82 , H10K71/00 , C08L79/02 , C08K5/3415
Abstract: 本申请公开了一种掺杂材料及其制备方法、发光二极管和显示装置。掺杂材料包括芳香二酰亚胺化合物和掺杂入芳香二酰亚胺化合物的共轭胺类聚合物。在发光二极管的阴极和电子传输层之间增加电极修饰层，电极修饰层的材料选自掺杂材料。通过引入弱n型掺杂的电极修饰层，提升铝电极的电子传输性能，同时减少电子传输层对阴极的侵蚀。
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公开(公告)号：CN116437769A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111653185.2
申请日：2021-12-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K71/00 , H10K50/16 , H10K50/115 , H10K99/00 , H10K59/10
Abstract: 本申请公开了一种发光器件的制备方法，包括：提供阳极，在所述阳极上形成量子点发光层；将金属氧化物纳米颗粒分散在质子型离子液体中，得到金属氧化物纳米颗粒分散液；将所述金属氧化物纳米颗粒分散液设置在所述量子点发光层上，退火，得到电子传输层；在所述电子传输层上形成阴极，得到发光器件。所述质子型离子液体可以与金属氧化物纳米颗粒形成静电作用及化学键作用，在金属氧化物纳米颗粒的表面形成质子型离子液体薄膜，控制晶体生长并抑制晶体团聚，从而得到平整度好、致密且结晶性良好的电子传输层薄膜，进而得到具有高发光效率的发光器件。另，本申请还公开了一种发光器件及显示装置。
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公开(公告)号：CN113809247B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010544099.7
申请日：2020-06-15
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/16 , H10K50/115 , H10K99/00 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，提供了一种氧化锌薄膜，包括氧化锌基膜，以及与所述氧化锌基膜中的氧化锌结合的Lewis碱。本申请提供的氧化锌薄膜，在氧化锌基膜表面引入Lewis碱后，氧化锌表面缺陷与未饱和的Zn2+作为Lewis酸性中心，捕获Lewis碱的电子，可减少氧化锌颗粒晶界与薄膜表面缺陷，降低缺陷对电子的俘获，从而提高电子传输性能。
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