一种金刚石SiV色心规则阵列结构的制作方法

    公开(公告)号:CN117721530A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311034762.9

    申请日:2023-08-16

    Abstract: 本发明的一种金刚石SiV色心规则阵列结构的制作方法属于量子材料技术领域,结合电子束光刻技术在金刚石衬底表面形成纳米尺度的图形化二氧化硅/铱掩膜,对二氧化硅掩模层的厚度进行调整,控制硅离子渗透的位置和深度,并通过控制二次生长的条件及生长时间调控具有空位中心的外延层厚度,从而调控探测精度。本发明通过提出的金刚石硅色心规则阵列制备方法,采用二氧化硅/铱混合掩膜结构,通过控制镀膜厚度,对掺杂深度满足设定的需求,制备了具有规则阵列的金刚石SiV色心结构。

    一种用于检测苯胺的电化学传感器电极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN113125536B

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202110345262.1

    申请日:2021-03-31

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种用于检测苯胺的电化学传感器电极材料的制备方法属于电化学传感器的技术领域,具体步骤为:以P型掺杂单晶硅片为衬底,通过手动研磨法或超声震荡法,利用微米金刚石粉对硅片表面进行处理,并利用酒精清洗,然后利用微波等离子体化学气相沉积方法沉积硼、氮共掺杂金刚石薄膜,得到用于检测苯胺的电化学传感器电极材料。本申请制备的电极材料具有良好的电化学性能,以其为工作电极对苯胺进行电化学检测,实现了极高的检测灵敏度,同时检测范围大,重复性好。

    纳米金刚石与SiOx复合电极材料及制备方法

    公开(公告)号:CN110071276A

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201910341371.9

    申请日:2019-04-26

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的纳米金刚石与SiOx复合电极材料及制备方法属于锂离子电池负极材料的技术领域。其特征在于,由纳米金刚石支撑碳层与SiOx,制备方法为:将柠檬酸、尿素溶于去离子水中,形成无色透明溶液,加入纳米金刚石和SiOx;超声处理60分钟后,将溶液置于微波炉中,并以850W的功率加热10分钟;将得到的固体复合物在惰性气体气氛下900℃干燥碳化2小时。本发明制备的样品具有较高的锂离子的存储密度与传输速率,用其制作的锂电池具有很好的比容量与保持率。

    半导体表面增强拉曼散射的金刚石基底及其制备方法

    公开(公告)号:CN109142313A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201810875520.5

    申请日:2018-08-03

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的半导体表面增强拉曼散射的金刚石基底及其制备方法,属于拉曼散射信号增强的技术领域。金刚石基底的结构在硅片或金刚石的衬底表面生长有掺杂硼、氮、硫、磷、硫氮或磷氮等的金刚石膜。采用化学气相沉积方法在衬底上沉积掺杂金刚石膜;制得的掺杂金刚石膜还可以进行表面功能化处理,获得表面氢终止或氧终止的掺杂金刚石膜,以提高增强因子。本发明首次以金刚石材料作为一种新的半导体SERS基底,具有高灵敏度、稳定性、可重复性、以及具有良好生物兼容性;增强因子可达到102‑105,并可用于多种不同的探针分子检测。

    金刚石网及其分离油水混合物和转移液滴的应用

    公开(公告)号:CN103741116B

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201410040025.4

    申请日:2014-01-27

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的金刚石网及其分离油水混合物和转移液滴的应用,属于材料表面浸润性质应用的技术领域。金刚石网由金属网衬底与金刚石涂层构成;金刚石涂层是连续的CVD金刚石膜,并经过氢终止或氧终止表面处理;金属网衬底是微米孔径尺寸的铜网、钛网或不锈钢网。本发明金刚石涂层具有优良的耐强酸强碱的化学稳定性,并且当涂层表面为氢终止时体现为超疏水性,同时具有超亲油性,当涂层表面为氧终止时体现为亲水性,氢终止或氧终止表面能够相互转换,因此可以在任何酸碱度条件下实现高效油水分离和液滴转移;油水分离或液滴转移后的金刚石网经清水清洗后,可重复多次使用,性能没有任何变化,具备了自清洁性。

    一种金刚石纳米坑阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN102560687A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201110455720.3

    申请日:2011-12-31

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种金刚石纳米坑阵列及其制备方法属于金刚石纳米结构的技术领域。金刚石纳米坑阵列,是在(100)面金刚石单晶表面刻蚀成平均密度为0.5×109~1.5×109cm-2的纳米坑,纳米坑的纵截面形状为倒梯形,坑口宽度80~150纳米;纳米坑内可以置有金纳米颗粒。制备方法是清洁金刚石单晶表面,利用离子溅射法溅镀金膜,用微波激发氧等离子体对覆有金膜的金刚石单晶进行刻蚀。本发明具有操作简单,成本低,可大面积生产,刻蚀气体安全无污染等优点;将纳米金的广泛应用与金刚石的优异特性相结合,为金纳米颗粒提供稳定的基底,能改善金纳米颗粒在应用中所存在的易聚合及加入稳定剂造成表面污染的问题。

    硼掺杂氧化锌纳米棒/p-型金刚石异质结的光催化材料及制备方法

    公开(公告)号:CN102513084A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110425663.4

    申请日:2011-12-19

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的硼掺杂氧化锌纳米棒/p-型金刚石异质结的光催化材料及制备方法属于半导体材料及其制备的技术领域。第一步在掺B金刚石膜表面溅射ZnO薄膜作为晶种层;第二步配制硼掺杂ZnO水热反应溶液;第三步:将反应溶液倒入反应斧,水热法制备硼掺杂ZnO纳米棒阵列,得到提高光催化性能的光催化材料。实验表明制得的产物能用于对活性黄15光催化降解。本发明合成方法简单,低温生长成本低,光催化性能提高,金刚石膜能够重复使用。本发明为进一步研究ZnO和金刚石在光催化领域上的应用提供了条件;对于大规模生产及应用具有很好的开发前景。

    鉴别高速生长的化学气相沉积金刚石单晶的方法

    公开(公告)号:CN101311339B

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN200810050651.6

    申请日:2008-04-25

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的鉴别高速生长的化学气相沉积金刚石单晶的方法属金刚石材料技术领域。通过以甲烷、氢气、氮气为反应气体获得的CVD金刚石单晶的生长表面及沿生长方向侧面不同位置的光致荧光光谱的测试,光谱强度规律变化的金刚石单晶是掺氮高速化学气相沉积金刚石单晶。进而根据和氮含量相关的光致荧光峰的强度的规律变化,区分CVD金刚石单晶和其他金刚石单晶。本发明的方法简单、适用、快速;不对所生长的CVD单晶金刚石造成破坏。

    一种基于硅空位色心传感器

    公开(公告)号:CN221238399U

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202322209711.7

    申请日:2023-08-16

    Abstract: 本实用新型的一种基于硅空位色心传感器属于量子材料技术领域,结构包括:电路板(1)、电极(2)、音叉器件(3)、转接梁(4)、金刚石基片(5)、金刚石纳米柱波导阵列(6)。本实用新型提供的金刚石硅色心传感器设置有金刚石纳米柱波导阵列,形成多个含有硅空位色心的探头,提高了硅空位色心传感器的效率和使用寿命。且实现了多组微小尺寸传感器的集成,提升所探测外界磁场、温场、微波场位置、距离、强度、方向等信息精度。

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