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公开(公告)号：CN102779865A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210282587.0
申请日：2012-08-09
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0687
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池，涉及一种太阳能电池。设有Si底电池、Ge隧穿结、GaAs中间电池、AlGaAs/InGaP隧穿结、InGaP顶电池和接触层，所述Si底电池构建在P型Si衬底上，Ge隧穿结连接Si底电池与GaAs中间电池，AlGaAs/InGaP隧穿结连接GaAs中间电池与InGaP顶电池，接触层设于InGaP顶电池上。Ge隧穿结将Si与GaAs之间形成失配位错和反相畴的区域有效分割，解决了Si底电池与Ⅲ-Ⅴ族子电池间的串联、晶格匹配以及反相畴问题，有利于提高电池外延的晶体质量和电池转换效率。
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公开(公告)号：CN101118850A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710009396.6
申请日：2007-08-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法，涉及一种利用金属过渡层键合硅和氮化镓，结合激光剥离技术将蓝宝石衬底上的GaN转移到Si衬底上的方法。提供一种利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法。在硅衬底上依次溅射Ti和Au，得溅射有Ti和Au的硅片；在带蓝宝石衬底的GaN上依次溅射Ni和Au，得溅射有Ni和Au的氮化镓片；将硅片与氮化镓片面对面贴合，再放入键合机，温度为100～200℃，预键合后将键合机温度升高为200～600℃，退火，形成GaN/metal/Si键合片，再粘在玻璃片上，并固定在电动平台上，激光扫描，激光波长大于365nm，从蓝宝石一侧对键合片进行辐照即可。
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公开(公告)号：CN118688901A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410763678.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种硅基悬空弛豫GeSn结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将外延的硅基GeSn薄膜进行标准光刻步骤；步骤2：采用氧化酸性垂直刻蚀溶液刻蚀GeSn薄膜和部分Ge缓冲层；步骤3：采用F基等离子体进行横向刻蚀Ge缓冲层；步骤4：丙酮溶液浸泡去胶，完成结构制备。本发明的GeSn悬空结构可以弛豫GeSn合金的应变，实现直接带隙；制备悬空结构的工艺简单，所制备的GeSn悬空结构相比其他工艺具有样品表面平整、粗糙度低、GeSn损耗小的特点；为硅基GeSn发光器件制备提供了一种新型工艺方法，有望在硅基光电子领域发挥巨大的作用。
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公开(公告)号：CN110660655B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201910944976.7
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种无气泡无穿透位错Ge/Si低温键合方法，所述方法包括Si和Ge基底材料的处理、Ge薄膜的晶化、抛光、Ge/Si键合。本发明利用多晶Ge的疏松结构和存在晶界的特点对Ge/Si键合界面的气泡进行吸收和转移，实现零气泡的Ge/Si键合界面。其次利用多晶Ge晶向混乱的性质将Ge和Si单晶体隔离开来，使得Ge和Si之间的晶格失配得到缓解，因此能有效的限制穿透位错的成核，实现穿透位错密度的进一步降低。
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公开(公告)号：CN110690174B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201910938320.4
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/78 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法，首先利用多晶Ge薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离，再将SOI基Ge薄膜放置在N2氛围内进行高温热退火，实现Ge薄膜中不均匀应变的释放、点缺陷的修复和无气泡坑Ge表面的获得，是一种简单、低成本且极其有效的高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110668425B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910966292.7
申请日：2019-10-12
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B32/15 , C01B32/186 , C01B33/021 , B82Y30/00 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 一种柔性锂离子电池硅碳复合负极材料及其制备方法，涉及新能源材料设计制备。选用N型单晶硅片置于1号溶液中浸泡沉积银纳米颗粒，移入2号溶液浸泡刻蚀硅纳米线，然后浸泡在3号溶液中在硅纳米线阵列表面均匀地沉积铜纳米颗粒；所得样品上铜催化乙醇裂解原位生长碳纳米纤维；放入CVD生长设备中进行生长，使碳纳米管贯穿生长在硅纳米线阵列表面和内部，将整个复合结构缠绕编织在一起；最后置入4号溶液中水浴加热，表层薄膜与片体分离后即得柔性锂离子电池硅碳复合负极材料。通过将硅材料刻蚀成硅纳米线阵列，与碳纳米管、碳纳米纤维和石墨烯复合，实现了高容量，高稳定性；制备方法简便易行。
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公开(公告)号：CN112669728A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011630164.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 厦门大学
IPC: G09F13/20
Abstract: 一种基于激光激发荧光粉的透射式显示实现办法，属于显示装置领域。设置显示实现装置壳体底部及侧面不透光壳；在壳体底部不透光壳中心位置设置入射窗口，以使入射激光光束能进入显示实现装置的壳体内部；在入射窗口布置入射激光光源；在壳体内底层填充一层不规则颗粒填充物作为漫反射层；在不规则颗粒填充物层上设置一层基板，在基板上下表面镀膜，基板上层设有显示面薄层；在壳体顶部设置显示面，在显示面上定制印刷相应的显示内容荧光粉涂层；开启入射激光光源，入射激光光束通过与氧化铝不规则颗粒填充物发生接触进行漫反射，从下至上通过漫反射层，散射后的激光照射到显示面的荧光粉图形，发光实现显示。显示色彩丰富、显示效果好，更耐用。
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公开(公告)号：CN110690174A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910938320.4
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/78 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法，首先利用多晶Ge薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离，再将SOI基Ge薄膜放置在N2氛围内进行高温热退火，实现Ge薄膜中不均匀应变的释放、点缺陷的修复和无气泡坑Ge表面的获得，是一种简单、低成本且极其有效的高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN110668425A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910966292.7
申请日：2019-10-12
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B32/15 , C01B32/186 , C01B33/021 , B82Y30/00 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 一种柔性锂离子电池硅碳复合负极材料及其制备方法，涉及新能源材料设计制备。选用N型单晶硅片置于1号溶液中浸泡沉积银纳米颗粒，移入2号溶液浸泡刻蚀硅纳米线，然后浸泡在3号溶液中在硅纳米线阵列表面均匀地沉积铜纳米颗粒；所得样品上铜催化乙醇裂解原位生长碳纳米纤维；放入CVD生长设备中进行生长，使碳纳米管贯穿生长在硅纳米线阵列表面和内部，将整个复合结构缠绕编织在一起；最后置入4号溶液中水浴加热，表层薄膜与片体分离后即得柔性锂离子电池硅碳复合负极材料。通过将硅材料刻蚀成硅纳米线阵列，与碳纳米管、碳纳米纤维和石墨烯复合，实现了高容量，高稳定性；制备方法简便易行。
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公开(公告)号：CN105118804B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510631195.4
申请日：2015-09-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/762
Abstract: 超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法，涉及一种GeOI的制备方法。1)将Ge片清洗，在Ge片上生长超薄硅钝化层，即得Si/Ge晶片；2)将Si片清洗，采用干氧氧化，在Si片上生长SiO2层，即得SiO2/Si晶片；3)将步骤1)得到的Si/Ge晶片和步骤2)得到的SiO2/Si晶片清洗后，进行氧等离子体处理，超薄硅钝化层被氧化、活化，得到SiO2/Ge，同时得到活化的SiO2/Si晶片；4)将步骤3)处理后的SiO2/Ge和SiO2/Si晶片用氨水浸泡，吹干后贴合，再升温加压处理，得键合片；5)将步骤4)得到的键合片进行湿法腐蚀，将Ge层减薄后抛光，得到表面平整的绝缘体上锗。
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