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公开(公告)号:CN114292201A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202111615533.7
申请日:2021-12-27
Applicant: 北京未名元上分子技术有限公司 , 南开大学
IPC: C07C225/24 , C07C211/50 , C07C211/31 , C07C211/25 , C07D213/38 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 本申请提供了一种具有量子干涉效应的化合物及包含其的单分子场效应晶体管,由于量子干涉效应,所述单分子场效应晶体管的开关比与普通分子构建的场效应晶体管相比有数量级的提升。本申请的单分子场效应晶体管中,具有量子干涉效应的化合物能够通过酰胺共价键稳定连接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成分子异质结,并采用具有原子级平整且原子层厚度可控的新型二维材料,通过不同二维材料的范德华堆叠组装,形成范德华异质结构,能够实现单分子场效应晶体管器件的精准控制制备,使单分子场效应晶体管具有较强的栅电场调控能力,具有较好的稳定性和集成性。
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公开(公告)号:CN114213258A
公开(公告)日:2022-03-22
申请号:CN202111521169.8
申请日:2021-12-13
Applicant: 北京未名元上分子技术有限公司 , 南开大学
IPC: C07C211/50 , C07C211/31 , C07D487/22 , C07D471/06 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 本申请提供了一种平面共轭分子化合物及包含其的单分子场效应晶体管,所述平面共轭分子化合物,共轭性好,平面性好,能够实现面对面堆积,有利于载流子的传输;所述单分子场效应晶体管中,所述平面共轭分子化合物能够通过酰胺共价键稳定连接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成分子异质结,并采用具有原子级平整且原子层厚度可控的新型二维材料,通过不同二维材料的范德华堆叠组装,形成范德华异质结构,能够实现单分子场效应晶体管器件制备的精准控制和测量的稳定性,使单分子场效应晶体管具有较强的栅电场调控能力、较好的稳定性和集成性。
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公开(公告)号:CN112898165A
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN202110065792.0
申请日:2021-01-19
IPC: C07C211/50 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 一种薁类化合物及其制备的单分子场效应晶体管,涉及场效应晶体管领域。单分子场效应晶体管通过以下步骤得到:1)构筑石墨烯器件,所述石墨烯器件包括源极、漏极和导电沟道,所述导电沟道为石墨烯;2)在石墨烯上用电子束光刻胶进行曝光,然后用氧等离子刻蚀,在源漏极之间得到纳米间隙,并与源漏电极垂直;3)在2)中纳米间隙间通过酰胺键引入薁类化合物制备单分子器件;4)通过不同栅压对其开关电学性质进行评估。本发明通过酰胺共价键把石墨烯纳米电极与功能材料分子直接键合在一起,可以构建单分子晶体管开关器件,与现有的光学可控的开关相比,电学可控单分子FET为真正的集成和应用奠定了基础。
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