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公开(公告)号：CN111552014A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010416222.7
申请日：2020-05-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明为一种横向MIM格点阵等离激元吸收器，由介质基底和具有周期性的金属纳米颗粒阵列构成，每组金属纳米颗粒由两个相对的金长方体块及其中间所夹的介质层构成。入射光为磁场方向平行于介质基底平面的TM平面波，其波矢k与竖直方向有一定夹角，从而可以在金属纳米颗粒阵列中激发OLP形式的格点阵等离激元，且相邻的纳米金属单元之间会产生较强的共振耦合，在特定的结构参数和入射角下就会对入射光产生特定的吸收峰。并且相比于与其它基于阵列的等离激元吸收器具有很高的品质因数和很好的调谐性，该横向MIM格点阵等离激元吸收器在微纳光学集成器件领域具有着良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108761650B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810429510.9
申请日：2018-05-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MIM波导耦合腔结构的多透射峰等离子体滤波器，其主要包括金属膜以及开设在金属膜上的多个狭缝结构单元，这些狭缝结构单元由贯通在金属膜上下表面的多个横向矩形狭缝和多个纵向矩形狭缝组成。其中金属膜下端同一水平上的两个横向矩形狭缝结构单元为波导管的入射管和出射管；金属膜中波导管上方的三个横向矩形狭缝与四个纵向矩形狭缝结构单元构成统一整体的谐振腔。本发明的滤波器可以实现多通道滤波，每个透射峰的透射率均高达75％以上，最高透射率可达93％，其最小半峰全宽约为10nm，品质因数可以高达122.81。该多透射峰滤波器在应用中具有适用范围广、利用率高及易于集成等优势。
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公开(公告)号：CN110146470A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910398212.2
申请日：2019-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/41
Abstract: 本发明研究了一种基于D型光纤的石墨烯-金属-石墨烯生物传感器，其主要由一段侧抛光纤后形成的D型侧抛区(3)和镀膜材料层(4)组成；(1)为光纤纤芯、(2)为光纤包层；通过抛磨方法在光纤包层中抛磨出一个侧抛区(3)长度约10mm，距纤芯厚度为500nm,在抛磨平面镀上镀膜材料层(4)，其中镀膜材料层(4)由石墨烯(5)与金属纳米线(6)组成；λ1为入射光，λ2为出射光。从结构上，使用光纤纤芯作为波导载体，可以极大地缩小传感系统的体积小稳定性高，集成性好；采用金属钠米线代替传统的金属膜，可以增强了传感器的灵敏度和应用范围。本发明可广泛地应用生命科学、医疗检测、药物筛选、食品检测、环境监测、毒品检测以及法医鉴定等领域。
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公开(公告)号：CN107884874B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201711174343.X
申请日：2017-11-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种等离子激元谐振波分复用器，由金属薄膜，以及呈镂空状开设在金属薄膜上的1条入射波导、2条以上的出射波导和2条以上的谐振腔组成。出射波导和谐振腔的数量相同，1个出射波导对应1个谐振腔。通过在入射波导的两侧和/或后端设置谐振腔，并在谐振腔的另一侧设置出射波导来构成复用器，并通过在每个谐振腔内部加入一个金属膜块，使得谐振腔内可以形成一个F‑P腔，使得表面等离激元SPP与谐振腔实现共振耦合；这样利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，可以通过调节谐振腔中金属薄膜的尺寸，实现等离激元多路信号分离和各通道波长调节；同时可以通过改变耦合间距，体现特定的耦合效果。
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公开(公告)号：CN109490279A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811355120.8
申请日：2018-11-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明提供的是一种D形微柱镜旋转式SPR传感芯片，属于光学传感领域和材料工程领域，具体涉及的是药品研发、疾病控制及食品安全等领域。一种D形微柱镜旋转式SPR传感芯片，由D形微柱镜光学基片、纳米金属膜、谐振增强膜及基底组成。其调制方式为：将芯片固定于旋转平台上，沿着垂直于D形微柱镜光学基片平面的中心轴转动旋转平台，实现改变芯片入射光的入射角，实现对产生SPR现象的激发光入射角度的高分辨率调制。本发明的优势在于，该芯片具有成本低、微型化、易集成、可规模化生产及传感系统芯片易更换等优点，克服了传统SPR检测技术操作复杂、成本高等缺点，并且相较于传统的角度调制方式，该芯片的调制方式可以使SPR共振角的测量精度提高数倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108956531A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810336559.X
申请日：2018-04-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41
CPC classification number: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于光纤端面电介质‑金属圆孔阵列结构的折射率传感器，整体结构由光纤体和传感体构成，其中传感体包括介质层、金属薄膜以及开设在金属薄膜上的圆孔狭缝阵列结构，这些圆孔狭缝单元均贯通开设在金属薄膜上下表面，并在金属膜上呈周期性排布，每个圆孔狭缝单元尺寸和形状完全相同且内部均填满了外界介质。其中介质层为金属薄膜的基底，介质层尺寸与金属薄膜完全一致。所述金属薄膜、介质层以及开设在金属薄膜上圆孔狭缝构成统一整体传感结构。本发明的光纤传感器结构在近红外频段内具有较好的透射峰以及保持良好灵敏度性能，并且通过改变传感体相关结构参数可以有效调整光谱的间距和透射峰的位置。其中该传感器结构简单，易于加工，封装尺寸小，集成度高，为光电子领域提供了一种新的光学器件。
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公开(公告)号：CN106299564B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610963317.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开一种基于微腔耦合结构的等离子体弯曲波导滤波器，包括金属薄膜、以及开设在金属薄膜上的弯曲波导和谐振腔。弯曲波导由入射波导、中间波导和出射波导组成。谐振腔位于中间波导的其中一侧和/或两侧。本发明将直波导变成两个直角组成的弯曲波导，这样中间的中间波导可以形成一个F‑P腔；并且在中间的中间波导的两侧增加两个矩形谐振腔，利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，通过调节谐振腔的长度，实现等离激元滤波功能；此外，还可以通过调节谐振腔与波导的间距、谐振腔的长度以及谐振腔的个数，来实现滤波和电磁感应透明效应，并能体现一种特殊的耦合效果。
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公开(公告)号：CN106299564A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610963317.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/208
CPC classification number: H01P1/208
Abstract: 本发明公开一种基于微腔耦合结构的等离子体弯曲波导滤波器，包括金属薄膜、以及开设在金属薄膜上的弯曲波导和谐振腔。弯曲波导由入射波导、中间波导和出射波导组成。谐振腔位于中间波导的其中一侧和/或两侧。本发明将直波导变成两个直角组成的弯曲波导，这样中间的中间波导可以形成一个F-P腔；并且在中间的中间波导的两侧增加两个矩形谐振腔，利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，通过调节谐振腔的长度，实现等离激元滤波功能；此外，还可以通过调节谐振腔与波导的间距、谐振腔的长度以及谐振腔的个数，来实现滤波和电磁感应透明效应，并能体现一种特殊的耦合效果。
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公开(公告)号：CN120073336A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510416127.X
申请日：2025-04-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及太赫兹超材料多功能吸波器件技术领域，具体涉及一种太赫兹全频段主动调谐多功能超材料吸波器。单个周期结构从底部至上层依次包括金属衬底层1、第一介质层2、石墨烯层3、第二介质层4、第三介质层5、由十字型和4个大小相同正方形环二氧化钒组成二氧化钒层6，通过周期性复合阵列构成该太赫兹全频段主动调谐多功能超材料吸波器。基于石墨烯电可调(费米能级调制)和二氧化钒相变特性(温度调制)，实现0.1到10THz全频段吸收率大于92％的吸收带宽、0.1到11.9THz全覆盖主动调谐，并实现调谐后0.1到11.9THz吸收率大于90％的共11.8THz吸收带宽、0.1到11.2THz吸收率大于95％的共11.1THz吸收带宽。同时满足2％到100％吸收峰范围动态调谐，实现反射器和吸收器切换功能。此外，器件采用中心对称结构，具有偏振不敏感性和宽广角吸收。在国防安全(雷达隐身技术)、先进制造(太赫兹无损检测)和光学传感等前沿领域展现出广阔的应用前景，为太赫兹功能器件发展提供新的技术途径。
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公开(公告)号：CN119253294A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202410874207.5
申请日：2024-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种基于叉指结构石墨烯宽带可调太赫兹吸波器。该吸波器由三层结构构成，自下而上分别是金属层、聚酰亚胺电介质层及叉指结构石墨烯层。通过优化扫描选出了具有最优尺寸的叉指结构，金属电极用于对石墨烯费米能级及弛豫时间统一调控，通过调节费米能级(0.6～1eV)，弛豫时间(0.1～0.3ps)，可以实现在宽带内(2.2～5.1THz)的动态调控。除此之外，该发明还具有易于制备、可与集成电路工艺相结合等优点。因此，该发明在太赫兹领域中，如成像、隐身和开关操作设备等方面，它都具有广泛的应用前景。
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