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公开(公告)号：CN113628654B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110786681.9
申请日：2021-07-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00 , G02F3/00 , H03K19/173
Abstract: 本发明公开了一种Y分支型相变全光布尔逻辑器件及其全二元逻辑实现方法，包括一个Y分支结构的波导和覆盖于波导上方的相变功能单元；逻辑实现方法上采用功率较大的光脉冲对相变功能单元进行写入操作，使之升温并产生晶化或非晶化的相变，从而出现两种状态下光学性质上的差异；采用功率较小的光脉冲对相变功能单元的状态进行读取，同时不改变相变材料的状态。通过对输入逻辑信号分别进行定义，以及定义三个操作步骤，可以实现操作方式可重构逻辑，通过分步操作，在该简单结构中实现全16种二元布尔逻辑计算。本发明通过操作方式可重构的解决方法，实现16种二元布尔逻辑计算功能，大大提高了逻辑计算的工作效率。
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公开(公告)号：CN116723758A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310689646.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开单质M元素掺杂的高可靠相变材料、存储器及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。所述相变材料包括：母体材料和掺杂元素，所述掺杂元素为单质M元素，所述M元素为Rb、Sr或者La。本发明提出的三种单质M元素，不仅能提升相变材料非晶热稳定性，还能加速晶化过程，提升SET速度，同时减少相变材料层在相变前后的体积变化，抑制器件内的电迁移，从而实现高速、高稳定、高循环特性的综合性能。
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公开(公告)号：CN116129981A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310139066.8
申请日：2023-02-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种3D NOR FLASH芯片的故障判断方法及系统，属于信息存储领域，方法包括：S1：对待测闪存芯片进行读写擦磨损，并每隔预设次P/E采集扇区写入时长和扇区擦除时长，连续采集预设条样本；S2：若预设条样本的扇区写入时长均小于扇区写入时长阈值，则判定待测闪存芯片不存在故障，否则转至S3；S3：计算待测闪存芯片的扇区写入时长离散度是否小于扇区写入时长离散度阈值，若小于则判定待测闪存芯片正处于正常工作状态，否则，判定待测闪存芯片处于严重扰动状态，停止工作进行故障检测；本发明提供的故障判断方法不需要频繁采集大量样本，简化了判断流程，更具有实用性。
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公开(公告)号：CN113078260B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110245476.1
申请日：2021-03-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种基于二维电子气的互补型忆阻器及其制备方法，属于集成微电子器件技术领域。本发明通过对上下电极进行改进，利用异质结产生的二维电子气作为电极，由于二维电子气的局域传导特性，导致器件上下双极性忆阻器导电丝定向生长，从而可以提高互补型忆阻器的高低阻态和操作电压(Set和Reset电压)的一致性。由于该互补型忆阻器结构阻变开关层采用的是突变异质结一部分，所以器件本身电阻很大，这导致器件操作电流小，具有低功耗的特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112713242B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011566277.2
申请日：2020-12-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米电流通道的相变存储器的制备方法，包括：在衬底上生长第一电极层；在第一电极层上沉积生长绝缘层；利用光刻刻蚀工艺刻蚀绝缘层直到第一电极层，并形成底面为金属电极层的凹槽；在凹槽内制备具有金属晶粒的纳米电流通道层，且金属晶粒贯穿该层厚度；在纳米电流通道层上方沉积相变材料；在相变材料上方沉积第二电极层形成具有纳米电流通道层的相变存储器。本发明通过纳米级导电通道大大减小了相变层与电极层之间的接触面积，并极大地提高了局部接触部位的电流密度，提高了电流在相变层中的产热效率；提高了相变层的电热利用效率；且工艺简单，使得相变存储器能够轻松实现操作功耗降低。
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公开(公告)号：CN114744109A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210326791.1
申请日：2022-03-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种四面体结构化合物掺杂的Sb‑Te相变材料和相变存储器，属于微纳米电子技术领域，Sb‑Te相变材料化学式为MAx(Sb‑Te)1‑x，MA为四面体结构化合物，x代表四面体结构化合物分子数占总分子数的百分比，0
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公开(公告)号：CN114361335A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111535353.8
申请日：2021-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种Cu掺杂的Sb2Te3体系相变材料、相变存储器及制备方法装置，属于微纳米电子技术领域。其中，Sb‑Te体系相变材料通过Cu元素掺杂，在局部富Cu的情况下形成同时具备四面体以及八面体结构的Cu3Te2键合。强键合的四面体结构提高Sb‑Te体系相变材料的非晶稳定性及数据保持能力，晶体构型八面体结构提高Sb‑Te体系相变材料的结晶速度。本发明还提供了包含该相变材料的相变存储器以及相变材料的制备方法。本发明的相变材料能同时改善器件的速度和非晶稳定性，提升相变存储器的综合性能。
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公开(公告)号：CN113346012A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110484811.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微电子器件及存储技术领域，更具体地，涉及一种非熔融超晶格相变薄膜材料，其包括相变层和钉扎层，所述相变层和钉扎层交替堆叠形成周期性结构，所述相变层采用GeTe材料，所述钉扎层采用TiTe2材料；工作中，在所述相变层开始发生非熔融相变时，所述钉扎层不会发生相变，以提高所述钉扎层在相变过程中的稳定性。本发明的非熔融超晶格相变薄膜材料和现有的(Sb2Te3)(GeTe)2非熔融相变材料相比，通过钉扎层材料及超晶格结构的优化，显著提高了超晶格中非相变部分钉扎层在相变过程中的稳定性，使得这种非熔融超晶格相变薄膜材料拥有更好的稳定性和更高的循环次数。
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公开(公告)号：CN112490359A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011371102.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微电子器件及存储器技术领域，公开了一种基于AAO模板的Sb单元素纳米颗粒相变储存器及其制备方法；通过引入AAO模板，对Sb单元素相变颗粒在三维尺度上进行限制，提高Sb单元素相变层的非晶稳定性。其制备方法包括：在底电极层上沉积一层金属铝，通过二次阳极氧化方法在未经光刻胶掩模的裸露部分形成多孔氧化铝，并得到纳米尺寸的孔阵列。向纳米孔阵列内填充单元素Sb材料，用化学机械抛光方法控制垂直方向上的尺度，制备顶电极后即可得到基于Sb单元素纳米颗粒的新型相变储存器件。基于AAO模板的Sb单元素纳米颗粒相变储存器彻底消除了常规化合物相变材料多次操作之后出现的成分偏析问题，从根本上解决相变存储器的失效难题。
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