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公开(公告)号：CN107230630A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178302.7
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/41758 , H01L29/42356
Abstract: 本发明实施例提供一种氮化镓场效应晶体管的制作方法，该方法首先通过在器件的第一区域上制作晶体管的欧姆接触电极和栅极，其中，所述器件包括衬底以及依次生长在所述衬底表面上的GaN缓冲层和AlGaN势垒层；再通过在所述器件的表面上淀积第一PETEOS氧化层，并在所述器件的第二区域上对所述器件进行刻蚀，直至刻蚀掉部分所述衬底为止，形成穿通孔，其中，所述第二区域与所述第一区域的交集为空；最后通过在所述器件的表面上淀积金属层，并对所述金属层进行刻蚀，形成所述氮化镓场效应晶体管，缓解了漏极和栅极之间的电场，减小了源极的互连电阻和寄生电感，提高了氮化镓场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN107230624A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178243.3
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/20
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/2003 , H01L29/66462
Abstract: 本发明提供一种氮化镓晶体管及其制造方法，其中方法包括：在势垒层表面上方形成P型掺杂的氮化镓铝层，其中，所述P型掺杂的氮化镓铝层的宽度小于所述势垒层的宽度；在所述P型掺杂的氮化镓铝层的两侧、所述势垒层的表面上方，沉积保护层；在所述P型掺杂的氮化镓铝层两侧的保护层中，分别开设接触孔；在所述P型掺杂的氮化镓铝层两侧的所述接触孔中分别形成源极和漏极；在所述P型掺杂的氮化镓铝层上方形成栅极。本发明提供的氮化镓晶体管及其制造方法，能够实现器件常关，满足实际应用需求，并且能够降低器件的导通电阻，从而降低器件的导通损耗，提升器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN107230620A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178139.4
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓晶体管的制备方法，通过在自上而下包含氮化铝镓层、氮化镓层、硅衬底层的半导体衬底上形成第一介质层；并在第一介质层中形成源极接触孔和漏极接触孔；在源极接触孔和漏极接触孔中形成第二介质层，以使第二介质层完全覆盖源极接触孔和漏极接触孔，形成晶体管的源极和漏极；并采用感应耦合等离子体刻蚀ICP对第一介质层以及预设厚度的氮化铝镓层进行刻蚀，形成栅极接触孔；在栅极接触孔内依次形成栅介质层、第三介质层，形成晶体管的栅极。该方法优化了晶体管器件结构，减小了栅极电阻，进而减小了氮化镓晶体管的导通电阻，从而获得高性能的氮化镓晶体管，提高氮化镓半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN107104040A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201610099818.2
申请日：2016-02-23
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明实施例提供一种氮化镓肖特基二极管的阳极制作方法。该方法包括：在硅衬底的表面上依次生长氮化镓GaN介质层、氮化铝镓AlGaN介质层、氮化硅Si3N4介质层和氧化层；蚀掉氧化层和Si3N4介质层形成阴极接触孔；沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行光刻、刻蚀形成阴极；湿法腐蚀AlGaN介质层形成阳极接触孔；沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行光刻、刻蚀形成阳极。本发明实施例采用过氧化氢和氢氧化钾的混合溶液刻蚀AlGaN层形成阳极接触孔，减小了刻蚀对沟道表面造成的损伤，提高了氮化镓肖特基二极管的性能。
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公开(公告)号：CN106935640A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511029475.4
申请日：2015-12-31
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0684
Abstract: 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管和存储器芯片，其中所述高电子迁移率晶体管包括：基底；氮化镓层和氮化镓铝层，所述氮化镓层的一侧复合于所述基底的表层，所述氮化镓层的另一侧复合于所述氮化镓铝层的底部；介质层，复合于所述氮化镓铝层的顶层，所述介质层设置有至少两个贯通的接触孔；电极，所述电极包括漏极电极、栅极电极和源极电极，所述漏极电极和所述源极电极分别设置于对应的所述至少两个贯通的接触孔中对应的接触孔中，其中，所述介质层包括金属氧化层和/或无机氧化层。通过本发明的技术方案，改善了高电子迁移率晶体管的界面态，有效地降低了晶体管的反向漏电流，同时提升了晶体管的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106328719A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510329110.7
申请日：2015-06-15
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/401 , H01L29/475 , H01L29/66143
Abstract: 本发明提供了一种肖特基二极管的加工方法和肖特基二极管，其中肖特基二极管的加工方法包括：在形成有氮化镓层的基底的正面依次形成氮镓铝层和复合绝缘层，所述复合绝缘层包括层叠的第一绝缘层和第二绝缘层；去除所述氮化镓层的阴极区域上方对应的复合绝缘层，以形成暴露出所述氮化镓层的阴极区域的第一接触孔；去除所述氮化镓层的阳极区域上方对应的复合绝缘层，以形成暴露出所述氮化镓层的阳极区域的第二接触孔，其中，所述第一绝缘层对应的第二接触孔的孔径大于所述第二绝缘层对应的第二接触孔的孔径；在所述第一接触孔和所述第二接触孔形成金属电极，以完成所述肖特基二极管的制作。通过本发明的技术方案，能够减少反向漏电，优化器件结构。
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公开(公告)号：CN102683576A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210147357.3
申请日：2012-05-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种压电驱动器制作方法及压电驱动器。该方法包括：在压电陶瓷片的上下表面分别制作预设图案的内电极；通过耐高温无机聚合硅凝胶材料，将制作内电极后的多个压电陶瓷片粘结在一起，形成一体化结构的多层陶瓷；在所述一体化结构的多层陶瓷的相对的两个侧面上分别制作外电极，以将各压电陶瓷片在电路上形成并联连接；对所述一体化结构的多层陶瓷进行极化，得到所述压电驱动器。本发明压电驱动器制作简单，具有较好的耐高温性能，工作稳定可靠。
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公开(公告)号：CN101440359A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810241004.3
申请日：2008-12-24
Applicant: 北京大学
IPC: C12N7/01 , C12N15/44 , C12N15/866 , C12N15/63 , A61K48/00 , A61K39/145 , A61P31/16
Abstract: 本发明公开了一种禽流感病毒疫苗及其制备方法。该禽流感病毒疫苗是以杆状病毒为载体，在其表面展示有H5N1型禽流感病毒HA蛋白胞外区的重组杆状病毒。本发明的疫苗具有以下优点：1)安全性高；2)免疫保护效果好；3)制备方法简单，易于大规模生产。本发明在禽流感防治领域具有较高的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN107104176B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201610099816.3
申请日：2016-02-23
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓二极管的制作方法与氮化镓二极管，方法包括：在氮化镓基底上形成介质层；在所述介质层中形成阴极金属，所述阴极金属接触所述氮化镓基底；在所述介质层中形成阳极金属，并在所述阳极金属和所述阴极金属之间的介质层中形成金属场板，所述阳极金属和所述金属场板均接触所述氮化镓基底，在所述介质层上形成未与所述金属场板连接的金属互连层，且所述金属互连层分别与所述阴极金属和所述阳极金属连接。根据本发明，能够提高氮化镓二极管的耐压性。
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公开(公告)号：CN107230726A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178240.X
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336 , H01L21/306 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/30617 , H01L21/76801 , H01L29/2003 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供了一种增强型氮化镓晶体管的制造方法，该方法包括：在氮化镓外延基底的表面上依次生长氮化硅钝化层和PETEOS氧化层；制造晶体管的第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极；对晶体管进行退火处理；对第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极之间的预设区域内的氮化硅钝化层和PETEOS氧化层进行干法刻蚀处理，形成开孔；通过开孔对氮化镓铝势垒层进行湿法刻蚀形成栅极接触孔；在栅极接触孔内以及晶体管表面上沉积栅极金属层；对栅极金属层进行光刻，刻蚀，形成栅极。通过湿法刻蚀栅极接触孔，降低了刻蚀对沟道表面的损伤，便于实现更高的阈值电压和击穿电压，提高了晶体管器件的耐压性能。
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