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公开(公告)号：CN110100328A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201880005320.2
申请日：2018-02-15
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01M2/16 , B32B3/10 , B32B27/20 , B32B27/32 , H01M10/058
Abstract: 本发明的目的在于以低成本提供耐热性高且具有优异的电池特性、品质稳定性优异的二次电池用隔膜。其解决手段为下述多孔性膜：在多孔质基材的至少一面具有含有无机粒子及耐热性树脂的多孔质层，该耐热性树脂是(A)熔点为200℃以上的树脂或(B)不具有熔点的树脂，所述多孔性膜在140℃时的面积热收缩率为25％以下，并且以5m间隔测得的长度方向上的波长800nm处的透光率的偏差为15％以下。
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公开(公告)号：CN104053714A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201280066627.6
申请日：2012-09-04
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01M2/1653 , H01M10/052 , H01M2220/20 , Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供一种多孔膜和使用所述多孔膜的电池用隔膜以及电池，所述多孔膜为芳香族聚酰胺多孔膜，通过三维结构分析获得的在3μm3区域中孔的分支点总数为2000～20000，在作为电池用隔膜使用时能够获得高输出，同时能够抑制循环特性和保存特性的降低、异常发热，并且具有优异的耐热性。
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公开(公告)号：CN101258432A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032834.4
申请日：2006-09-07
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335 , G02F1/13363
CPC classification number: G02B5/3083 , G02B5/3016 , G02B5/3033 , G02F1/133528 , G02F1/133634
Abstract: 本发明提供一种附有光学补偿层的偏光板、使用这样的附有光学补偿层的偏光板的液晶面板、和图像显示装置，该附有光学补偿层的偏光板有助于薄型化、耐久性较高、色偏移较小、色不均较少、可良好地防止黑显示时的漏光而使对比度提高。本发明的附有光学补偿层的偏光板依次具有偏光板、第一光学补偿层和第二光学补偿层，该偏光板在由聚乙烯醇类树脂形成的偏光件的至少一面上，具有含有丙烯酸树脂的偏光件保护膜，该丙烯酸树脂含有特定的结构单元；该第一光学补偿层具有nx＞ny＝nz的折射率分布，并表现出作为异常光与平常光的光程差的相位差值越靠近短波长侧则越小的波长分散特性，并且其面内相位差Re1为90～160nm；该第二光学补偿层具有nx＝ny＞nz的折射率分布，其面内相位差Re2为0～20nm，并且其厚度方向的相位差Rth2为30～300nm。
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公开(公告)号：CN101253431A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680032058.8
申请日：2006-08-28
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133528 , C08J7/047 , C08J2329/04 , C08J2433/00 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02F2201/50 , G02F2202/28
Abstract: 本发明提供一种偏光件保护膜，其具有高耐热性、高透明性、高光学特性、高机械强度，与偏光件的粘合性优异，能够制成薄型膜；提供一种偏光板，其使用上述偏光件保护膜和偏光件，偏光件保护膜与偏光件的粘合性高，光学特性、加热/加湿耐久性优异；提供一种高品质图像显示装置，其使用上述偏光板。本发明的偏光件保护膜含有丙烯酸树脂，该丙烯酸树脂含有特定的丙烯酸酯类结构单元和特定的环状结构单元而构成。
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公开(公告)号：CN1878653A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033366.3
申请日：2004-11-11
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: G11B5/73 , H05K1/0346 , H05K1/0393 , Y10T428/31681 , Y10T428/31725
Abstract: 本发明提供一种薄膜，其特征在于，在180℃、无张力下进行热处理30分钟时的宽度方向的热收缩率为1.0～2.5％，在将长度方向和宽度方向的热膨胀系数分别记作αMD(×10－6/℃)、αTD(×10－6/℃)、长度方向和宽度方向的湿度膨胀系数分别记作βMD(×10－6/％RH)、βTD(×10－6/％RH)时，同时满足下式(1)～(4)，还提供一种使用了该薄膜的磁记录介质。本发明的薄膜，通过将由温度、湿度导致的尺寸变化规定在特定的范围内，可以使形成磁记录介质时的尺寸变化，以及长度方向与宽度方向的尺寸变化的差变得极小。－10≤αMD≤10 (1)；αMD－10≤αTD≤αMD－3 (2)；－10≤βMD≤10 (3)；βMD－10≤βTD≤βMD－3 (4)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1756789A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200480005837.X
申请日：2004-03-02
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08G69/32 , C08G69/265 , C08G73/028 , H01M8/1027 , H01M8/103 , H01M8/1032 , H01M8/1044 , H01M8/1048 , H01M8/1051 , H01M8/1072 , H01M8/1081 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供一种芳香族高分子，其是以特定的比例含有芳香族聚酰胺结构单元和芳香族碳酰肼结构单元的芳香族高分子，该芳香族高分子在成型为膜时，杨氏模量高，断裂点伸长率大且吸湿率低。另外，可以利用选自酸和碱的药品将具有碳酰肼结构的化合物，在温和的条件下廉价的脱水环化。
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公开(公告)号：CN1197056C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01101686.8
申请日：2001-01-18
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: G11B5/7315 , G11B5/64 , G11B5/70 , G11B5/7325 , G11B5/733 , G11B5/735 , Y10T428/24355 , Y10T428/24975 , Y10T428/31725
Abstract: 磁记录介质，以芳族聚酰胺为主成分的基膜的至少一面上直接设置的磁性层表面10nm以上的突起数Na(10)(个/mm2)、50nm以上的突起数Na(50)(个/mm2)及基膜磁性层设置侧的同一面上10nm以上突起数Na(10)’(个/mm2)满足：2×104≤Na(10)≤2×107、0≤Na(50)≤5×104、-0.9≤(Na(10)-Na(10)’)/Na(10)’≤0。高刚性芳族聚酰胺膜为非磁性支持体，磁性层表面和基膜表面特性为特定、总厚薄且高记录容量、走带耐久性好、记录·读出可靠性高，可很好地适用于计算机数据记录。
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公开(公告)号：CN1136545C
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN95190579.1
申请日：1995-06-21
Applicant: 东丽株式会社
IPC: G11B5/73
CPC classification number: G11B5/733 , G11B5/73 , G11B5/738 , Y10S428/90 , Y10T428/24355 , Y10T428/24942 , Y10T428/31721 , Y10T428/31725
Abstract: 本发明是在用芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺制成的片基一面涂敷磁性层的磁性记录介质。本发明是关于以满足以下指标为特征的磁性记录介质；其片基涂敷磁性层一面的表面粗大突起个数H2、非磁性层一面的表面粗大突起个数H3满足：H2≤50；2≤H3≤100；同时，该片基在20℃下的至少一个方向杨氏拉伸模量E20和在100℃下的同方向杨氏拉伸模量E100满足：E20≥800kg/mm2；0.5≤E100/E20。本发明提供在严酷环境下(特别是高温下)具有优异的耐久性、运行特性和输出特性的磁性记录介质。
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公开(公告)号：CN1308318A
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN01101686.8
申请日：2001-01-18
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: G11B5/7315 , G11B5/64 , G11B5/70 , G11B5/7325 , G11B5/733 , G11B5/735 , Y10T428/24355 , Y10T428/24975 , Y10T428/31725
Abstract: 磁记录介质,以芳族聚酰胺为主成分的基膜的至少一面上直接设置的磁性层表面10nm以上的突起数Na(10)(个/mm2)、50nm以上的突起数Na(50)(个/mm2)及基膜磁性层设置侧的同一面上10nm以上突起数Na(10)’(个/mm2)满足:2×104≤Na(10)≤2×107、0≤Na(50)≤5×104、－0.9≤(Na(10)－Na(10)’)/Na(10)’≤0。高刚性芳族聚酰胺膜为非磁性支持体,磁性层表面和基膜表面特性为特定、总厚薄且高记录容量、走带耐久性好、记录、读出可信度高,可计算机数据记录用。
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公开(公告)号：CN1069775C
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN95118445.8
申请日：1995-09-14
Applicant: 东丽株式会社
IPC: G11B5/73
CPC classification number: G11B5/73 , Y10S428/90 , Y10T428/24355 , Y10T428/31725
Abstract: 本发明涉及磁记录介质，其中在由芳香族聚酰胺制成的基底薄膜的至少一面上设置磁性层，其特征在于该基底薄膜至少一个方向上的拉伸杨氏模量为700kg/mm2以上，二氯甲烷提取物含量在0.5%以下，该基底薄膜纵长方向上每1mm2施加1kg负荷时，在100℃下、10分钟内尺寸变化率在2%以下，提供了一种在恶劣的环境下运行性、耐用性优异的磁记录介质。
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