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公开(公告)号:CN1404344A
公开(公告)日:2003-03-19
申请号:CN02141466.1
申请日:2002-08-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/044 , H01L27/3211 , H01L51/001
Abstract: 本发明提供一种电激发光元件的制造方法及蒸镀遮罩,以提高EL显示面板的蒸镀图案化精密度。本发明将蒸镀遮罩12配置于蒸发源16与塑料基板10之间,通过与形成于蒸镀遮罩12的EL元件的蒸镀层的图案对应的开口部,而选择性地使来自蒸发源16的蒸发物质通过,以于塑料基板10上形成蒸镀层。此蒸镀遮罩的材料可采用热膨胀系数与塑料基板10相同的材料、例如为±30%以内的材料、例如聚酰亚胺(PI:Polyimide)等塑料材料。此外就耐热性而言,则以例如较塑料基板10高约50℃以上的材料更为理想。将此种材料采用于蒸镀遮罩,而在蒸镀时,使塑料基板的热变形与蒸镀遮罩的热变形成为相同程度,以提高蒸镀图案化的精密度。
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公开(公告)号:CN1402598A
公开(公告)日:2003-03-12
申请号:CN02125166.5
申请日:2002-06-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/042 , C23C14/12 , H01L27/3244 , H01L51/001
Abstract: 本发明提供一种通过屏蔽形成电场发光组件时,可以将屏蔽与基板的定位予以较适合的方式的电场发光显示装置的制造方法。本发明的方法是将玻璃基板1的构成电场发光组件的形成蒸涂发光层面以垂直向下方式插入真空匣(chamber)内。且于该真空匣内配置屏蔽30。通过该屏蔽30开口部将上述发光层材料附着于玻璃基板1形成发光层。而于该玻璃基板1与屏蔽30的定位时,将玻璃基板1上面以静电吸着装置60予以支持。
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公开(公告)号:CN1395452A
公开(公告)日:2003-02-05
申请号:CN02125165.7
申请日:2002-06-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: C23C14/042 , H01L27/3244 , H01L51/001 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种透过屏蔽形成电场发光组件之际,可更适当地进行屏蔽与基板的位置对准的电场发光显示装置的制造方法。其中玻璃基板1将构成电场发光组件的发光层所蒸镀形成的面朝垂直下方而插入真空室内。该真空室内设置有屏蔽30。透过该屏蔽30的开口部而使上述发光层的材料附着形成在玻璃基板1上,即可附着形成发光层。在进行该玻璃基板1与屏蔽30的位置对准之际,玻璃基板1由销33所支持。
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公开(公告)号:CN1382007A
公开(公告)日:2002-11-27
申请号:CN02104978.5
申请日:2002-03-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H05B33/12 , H01L51/525 , H01L51/5259 , H05B33/02 , H05B33/04
Abstract: 本发明提供一种可以缓冲来自外部的冲击、寿命长的EL器件。在EL器件(100)中,发光元件形成基片(18)通过在透明玻璃基片(10)上形成第1电极(12),进而在第1电极(12)上形成发光元件层(16),并进而在发光元件层(16)上形成第2电极(14)而构成。密封构件(40)从第2电极(14)一侧以覆盖的方式遮罩发光元件形成基片(18)的上方,在第2电极(14)和密封构件(40)的间隙(30)中配置柱状或球状或片状的冲击缓冲构件(20)。在该冲击缓冲构件(20)由硬质材料形成时,最好配置在EL器件的非发光区域上。
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公开(公告)号:CN1378094A
公开(公告)日:2002-11-06
申请号:CN02108078.X
申请日:2002-03-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/042 , H01L51/001
Abstract: 本发明提供可以防止附着罩和基体上的发光区域局部接触,从而减小损伤组成发光元件层的TFT,霍尔输送层的可能性,使黑点的发生率降低的EL显示装置,其制造方法,附着罩及其制造方法。在具有阴极阳极之间形成有发光元件层的EL元件的EL显示装置中,在该装置的基体(10)的发光区域以外的部分上形成柱部(20),由该柱部(20)保持与附着罩之间的间隙,蒸镀形成霍尔输送层,发光层,电子输送层。
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公开(公告)号:CN1346153A
公开(公告)日:2002-04-24
申请号:CN01137968.5
申请日:2001-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/326 , H01L31/12 , G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/2026
Abstract: 在电源线16与有机EL元件60之间并列形成元件驱动用晶体管TFT2a、TFT2b,该TFT2a、TFT2b的有源层12在使其多晶化退火所用的激光扫描方向相互分开。由此可以减少TFT2a、TFT2b的退火条件不完全相同,而在晶体管TFT2a、TFT2b的中产生同样的不适的可能性。激光扫描方向在图中列方向移动时,单个或多个晶体管TFT2(TFT2a、TFT2b)最好配置成其沟道纵向与该扫描方向一致。
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