大口径CZ单晶的生长装置及其生长方法

    公开(公告)号:CN108570706B

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN201810203214.7

    申请日:2018-03-13

    Abstract: 将温度传感器的光路设置成通过结晶生长炉的观察窗,瞄准坩埚内面与熔融液表面相内接的边界部位,在结晶生长进行的期间监视经过光电变换的来自传感器的电信号,获取该边界部位的温度变化,由此将该部位的温度抑制在一定范围,以便能进行稳定的结晶生长。对于结晶生长,过冷的推进使得始于坩埚(8)的壁的结晶生长变得不适合于大型结晶生长。对于坩埚(8)的壁与熔融液(13)的边界线(9)的温度,使温度传感器(1)通过观察窗(11)瞄准边界线(9)来监视温度,在始于坩埚(8)的壁的结晶生长开始的温度区域跟前,通过从控制部(4)对电源(5)发送信号来对炉温度进行升温,能够抑制始于坩埚(8)的壁的结晶生长,安全地生长大口径结晶。

    认证系统及认证方法
    62.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113039747A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201980074308.1

    申请日:2019-11-13

    Abstract: 认证系统(3)在便携终端(2)与通信对方(1)之间通过无线进行认证,基于认证结果许可通信对方的动作,具备:第1输入部(31)及第2输入部(32),设置于相互不同的场所,能够输入使用于认证的认证信息;第1运算部(33),根据在第1输入部(31)输入的认证信息及登记于通信对方(1)的通信对方侧认证参数进行运算;第2运算部(34),根据在第2输入部(32)输入的认证信息及登记于便携终端(2)的便携终端侧认证参数进行运算;以及认证部(40~42),在已向第1输入部(31)输入认证信息的情况下,根据第1运算部(33)的运算结果及便携终端侧认证参数进行认证,在已向第2输入部(32)输入认证信息的情况下,根据第2运算部(34)的运算结果及通信对方侧认证参数进行认证。

    标准阻气膜
    69.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108603826B

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN201780009216.6

    申请日:2017-02-01

    Abstract: 本发明提供一种水蒸汽透过率为10‑6~10‑3g/m2/day的标准阻气膜。标准阻气膜(10)用于水蒸汽透过率测定装置的校正。标准阻气膜(10)具有:基材(12),具备开口部(12a);以及阻隔层(14),以覆盖开口部(12a)的方式设于基材(12)上。阻隔层(14)含有Li型蒙脱土的纳米粒子和聚酰亚胺。开口部(12a)的最大直径与阻隔层(14)的厚度之比为50~2000。该标准阻气膜(10)的40℃、相对湿度90%下的水蒸汽透过率为10‑6~10‑3g/m2/day。基材(12)是与设有阻隔层(14)的面相反的一侧的面的算术平均粗糙度Ra为2nm以下的金属板。

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