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公开(公告)号:CN116656354B
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202310645508.6
申请日:2023-06-01
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种铁离子激活锡镓酸盐宽带近红外长余辉发光材料及其制备方法和应用,属于发光材料的制备技术领域。本发明以人体必需微量元素铁离子(Fe3+)为激活离子、具有石榴石结构的Ca3Ga2Sn3O12为基质材料。本发明的铁离子激活锡镓酸盐宽带近红外长余辉发光材料具有原料取材广泛、价格低廉、制备方法简单和易于推广等优点;另外本发明铁离子激活锡镓酸盐宽带近红外长余辉发光材料在紫外光或X射线激发下,近红外发射光谱范围为650~1000nm,发射峰位于754nm处,且在紫外光或X射线激发后具有优异的近红外长余辉发光性能,余辉亮度高,余辉时间大于1h。
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公开(公告)号:CN113861091B
公开(公告)日:2024-01-23
申请号:CN202111233225.8
申请日:2021-10-22
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: C07D207/333 , C07D307/46 , C07D333/22 , C08F2/48 , C08F120/20
Abstract: 本发明涉及一种基于高级脂肪酸的夺氢型光引发剂的制备方法及其产品,属于光引发剂制备技术领域。本发明的夺氢型光引发剂的制备方法是在乙烯酮夺氢型光引发剂的结构基础上引入高级脂肪酸长烃基链,在乙烯酮光引发剂结构中引入高级脂肪酸长烃基链既能够增大光引发剂的极性,提高光引发剂与预聚物的相容性;也能够增大光引发剂的分子量,防止光固化反应结束后,残留光引发剂从固化膜中迁出,造成毒性和气味。由于长烃基链不参与光引发剂共轭,光引发剂的最大吸收波长位于350~450nm,可与紫
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公开(公告)号:CN112645293B
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202011518051.5
申请日:2020-12-21
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: C01B21/082 , C03C17/34 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种窄带隙氮化碳材料的制备方法及其产品和应用,属于太阳能光电转换及存储技术领域。本发明公开了一种窄带隙氮化碳材料的制备方法,通过采用柠檬酸和尿素作为反应物,在制备过程中先将反应物在150~250℃的温度下进行水热反应获得前驱物、再将前驱物在4~100℃的温度下充分熟化、最后进行冷冻干燥即可获得窄带隙氮化碳材料,具有显著光电转换性能和光诱导赝电容特性,在制备光充电电极方面具有良好的应用效果。
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公开(公告)号:CN114380338A
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202210087495.0
申请日:2022-01-25
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: C01G51/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B01J23/75 , B01J35/08 , C02F1/30 , C02F1/32 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明涉及一种磁性氧化钴介孔纳米球的制备方法及其产品和应用,属于磁性氧化钴纳米球制备技术领域。首先通过在惰性气体(氮气或氩气)氛下将钴盐加入聚烯醇和无水碳酸钠混合溶液中进行油浴反应,然后在180~200℃下的不锈钢高压反应釜中反应36~72h,洗涤干燥即可得到磁性氧化钴介孔纳米球,本发明磁性氧化钴介孔纳米球的制备方法简单,操作容易,适于工业化的磁性氧化钴介孔纳米球制备;本发明还公开了一种磁性氧化钴介孔纳米球,该磁性氧化钴介孔纳米球的直径为400~800nm、具有分布在2~10nm之间的孔径,在催化降解藻类、绿色回收循环和吸附污染等方面具有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN114231282A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111497606.7
申请日:2021-12-09
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及钙钛矿材料制备技术领域,属于一种可用于高灵敏度光学测温的锰掺杂钙钛矿量子点的制备方法及其产品和应用技术领域。本发明采用简单的热注入合成法制备钙钛矿量子点,成功将Mn2+掺杂到CsPbCl3量子点中,部分取代Pb2+,本发明的制备方法具有制备过程简单、制备可重复性强、设备简易﹑原料低廉等特点,适用于工业化中锰掺杂钙钛矿量子点的制备,本发明制备的可用于高灵敏度光学测温的锰掺杂钙钛矿量子点,具有颗粒尺寸大小均一、分散性好、结晶好的特点,具有高的热稳定性和光稳定性,且具有相对较高的光学测温灵敏度,还能够通过调节Mn2+掺杂的浓度来调节锰掺杂钙钛矿量子点的灵敏度以及改善LED的性能指标。
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公开(公告)号:CN113861091A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111233225.8
申请日:2021-10-22
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: C07D207/333 , C07D307/46 , C07D333/22 , C08F2/48 , C08F120/20
Abstract: 本发明涉及一种基于高级脂肪酸的夺氢型光引发剂的制备方法及其产品,属于光引发剂制备技术领域。本发明的夺氢型光引发剂的制备方法是在乙烯酮夺氢型光引发剂的结构基础上引入高级脂肪酸长烃基链,在乙烯酮光引发剂结构中引入高级脂肪酸长烃基链既能够增大光引发剂的极性,提高光引发剂与预聚物的相容性;也能够增大光引发剂的分子量,防止光固化反应结束后,残留光引发剂从固化膜中迁出,造成毒性和气味。由于长烃基链不参与光引发剂共轭,光引发剂的最大吸收波长位于350~450nm,可与紫外蓝光LED相匹配,这种具有与光固化体系相容性好,低迁移效果的夺氢型光引发剂符合光固化领域中的需求。
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公开(公告)号:CN113845159A
公开(公告)日:2021-12-28
申请号:CN202111335153.8
申请日:2021-11-11
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及RuS2中空介孔纳米球的制备方法及其产品和应用,属于无机介孔纳米球的制备技术领域。本发明公开了一种RuS2中空介孔纳米球的制备方法,该方法首先通过在氩气气氛下将钌盐加入有机胺、硫粉和基苯乙烯内核(PS/AA)的混合溶液中进行油浴反应,然后加入水(H2O)、乙醇(EtOH)和盐酸(HCl)组成的混合溶液再进行油浴反应,离心、四氢呋喃(THF)洗涤和真空干燥即可制备得到RuS2中空介孔纳米球。该制备方法简单,容易操作。本发明公开了一种RuS2中空介孔纳米球,用扫描和透射电镜观察微球形貌和粒径,用氩吸附比表面仪测定微球孔径,其中孔径分布在2~12nm之间,具有充放电性能,能够在太阳能电池中具有广泛的应用。
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公开(公告)号:CN113816366A
公开(公告)日:2021-12-21
申请号:CN202111333500.3
申请日:2021-11-11
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: C01B32/194 , C01G45/02 , C09D5/08 , C09D163/00
Abstract: 本发明涉及一种二氧化锰/石墨烯复合介孔纳米球的制备方法及产品,属于复合介孔纳米材料技术领域。本发明主要将惰性纳米氧化物封装的石墨烯(rGO)和四水合四氯化锰在碱性的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与氢氧化钠的混合水溶液中进行水热反应,再加入还原剂乙二醇进行氧化还原反应,制备得到二氧化锰/石墨烯(rGO@MnO2)复合介孔纳米球,本发明的制备方法简单,容易操作,制备得到的二氧化锰/石墨烯(rGO@MnO2)复合介孔纳米球中MnO2纳米颗粒均匀分散在rGO上,介孔纳米球的平均粒径约为500~800nm,作为流行的防腐材料,在rGO环氧涂层的基础上,rGO@MnO2环氧涂层的防腐性能更好。
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公开(公告)号:CN111947804B
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN202010757838.0
申请日:2020-07-31
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01K11/20
Abstract: 本发明请求保护一种基于电荷迁移带边缘反常热猝灭的荧光强度比测温方法,本发明涉及一种基于电荷迁移带反常热猝灭的荧光强度比测温方法。本发明的目的是为了解决传统的基于稀土离子热耦合能级荧光强度比测温灵敏度较低的问题,方法:(1)以Eu3+:NaLaCaWO6为感温材料;(2)在298K至528K温度区间内,荧光强度比I308/I354随温度的升高逐渐增大,且与温度T存在单调的函数关系,该强度比和温度之间的函数关系即为测温曲线,则可以通过监测荧光强度比值来实现测温的目的。本发明的测温方法所得测温灵敏度在298K处可达2.23%K‑1。与传统测温方法相比,在298K处灵敏度提高了4.37倍。本发明的测温方法具有较高灵敏度。本发明应用于稀土荧光测温领域。
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公开(公告)号:CN112645293A
公开(公告)日:2021-04-13
申请号:CN202011518051.5
申请日:2020-12-21
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: C01B21/082 , C03C17/34 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种窄带隙氮化碳材料的制备方法及其产品和应用,属于太阳能光电转换及存储技术领域。本发明公开了一种窄带隙氮化碳材料的制备方法,通过采用柠檬酸和尿素作为反应物,在制备过程中先将反应物在150~250℃的温度下进行水热反应获得前驱物、再将前驱物在4~100℃的温度下充分熟化、最后进行冷冻干燥即可获得窄带隙氮化碳材料,具有显著光电转换性能和光诱导赝电容特性,在制备光充电电极方面具有良好的应用效果。
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