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公开(公告)号：CN118479489A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410657160.7
申请日：2024-05-25
Abstract: 本发明提供了一种二维MBenes材料及其制备方法，属于二维材料技术领域。本发明首先将MAB相前驱体材料和氯化亚铁粉末顺次进行研磨、熔盐刻蚀、水洗，得到熔盐刻蚀产物；再将熔盐刻蚀产物和盐酸溶液顺次进行混合、静置、水洗抽滤、干燥，得到二维MBenes材料。本发明采用氯化亚铁熔盐作为MAB相前驱体材料的刻蚀剂，避免了强路易斯酸盐对M位进行刻蚀，能够有针对性的刻蚀A层，得到二维MBenes材料。
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公开(公告)号：CN118239764A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410236618.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种十元超高熵尖晶石结构氧化物材料及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。所述氧化物材料的名义化学式为(Mg0.1Al0.1Ni0.1Co0.1Cu0.1Zn0.1Fe0.1Mn0.1Cr0.1Ti0.1)3O4，通过各个元素的协同作用，具有良好耐热腐蚀性能；所述制备方法以十种金属氧化物为原料，先利用行星球磨机湿法混料，再在空气中煅烧，按照配比发生反应生成尖晶石结构高熵氧化物，成功实现十种元素的固溶扩散，得到的高熵氧化物粉体具有晶体形貌清晰、元素比例可控、元素分布均匀的特点。所述氧化物材料制备成为粉体，可作为耐热腐蚀涂层材料，制备成为块体可作为耐热腐蚀陶瓷块体。
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公开(公告)号：CN118083999A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410226172.4
申请日：2024-02-29
Applicant: 郑州大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明属于二维材料技术领域，本发明提供了一种二维MoAl1‑xB材料及其制备方法。将钼粉、铝粉和硼粉混合后在真空气氛下进行烧结，用NaOH溶液浸泡后干燥，得到纯相MoAlB粉体；将纯相MoAlB粉体、氯化铜、氯化钠和氯化钾在真空气氛下进行熔盐刻蚀后水洗，水洗产物和过硫酸铵溶液混合后顺次进行水洗、干燥即可。本发明采用真空条件下的熔盐法，有效避免了酸碱刻蚀制备的危险性和普通熔盐刻蚀的低效能，不仅能够降低刻蚀的温度，还能够加速刻蚀的速率，在一定程度上降低了制备的能耗和时间，通过刻蚀Al层，得到了形貌完整和层状明显的二维MoAl1‑xB材料。
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公开(公告)号：CN115784747B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202211518539.7
申请日：2022-11-29
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本申请涉及聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法，包括：以聚碳硅烷为前驱体，经交联固化，高温裂解生成无机陶瓷，通常有残余的自由碳存在，高温裂解使自由碳石墨化程度提高；经球磨将高温裂解产物与微米级碳化硅粉体混合；结合放电等离子体烧结技术得到碳化硅陶瓷靶材。本申请实施例中得到的碳化硅陶瓷靶材致密度高，纯度高，电导率可调，在功率器件和微波射频器件领域具有广泛应用，此外方法操作简单，能耗低，适用范围广。
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公开(公告)号：CN117187936A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311338126.5
申请日：2023-10-16
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种微波烧结制备碳化钽晶须的方法及其应用，涉及碳化钽材料制备技术领域。具体制备步骤如下：将五氧化二钽与活性炭、氯化钠和镍粉混合得混合物；将混合物研磨后置于氧化铝坩埚中，然后铺上活性炭粉防止烧结过程中产物氧化，之后盖上坩埚配套的盖子；最后将坩埚置于保温装置中进行微波烧结，得到碳化钽晶须。本发明的微波烧结制备碳化钽晶须的方法可以降低烧结反应温度，显著缩短烧结的保温时间，提高烧结效率，同时不需要额外的氩气气氛保护，减少资源浪费，克服了传统工艺能耗高、周期长、效率低的难题，本发明所得碳化钽晶须中无杂质出现，可以作为碳化钽陶瓷基材料和C/C复合材料的增韧材料，提高其强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113636833B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111039756.3
申请日：2021-09-06
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/12 , C04B35/622 , C04B35/64 , F27B17/00 , F27D1/00
Abstract: 本发明属于陶瓷技术领域，本发明公开了一种氧化铬陶瓷材料及其制备方法以及一种氧化铬陶瓷材料烧结用保温装置，该制备方案包括以下步骤：取原料粉体混合后制成生坯，将所得生坯置于保温装置中，然后进行微波加热，烧结，保温，再冷却至室温，即得氧化铬陶瓷材料。该方法所用的保温装置利于氧化铬陶瓷制品的热聚集和快速升温，提高氧化铬陶瓷制品的成品率。另外，该方法所制备的氧化铬陶瓷致密无开裂，气孔率为7％～13％，耐压强度为200MPa～280MPa，烧结周期仅为120～280min，烧结时间短，烧结温度低，烧结气氛为空气气氛。整个技术方案工艺简单，操作方便，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116738316A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310719853.X
申请日：2023-06-17
Applicant: 郑州大学
IPC: G06F18/241 , G06F18/2131 , G06N3/0464 , G06F123/02
Abstract: 本发明公开了一种单侧肢体运动想象任务脑电分类方法，依次包括以下步骤：A：构建单侧肢体运动想象数据集并进行预处理，得到运动想象脑电信号；B：对运动想象脑电信号利用深度神经网络模型进行特征提取及分类，得到脑电信号的概率分布矩阵；C：对运动想象脑电信号利用CSP方法处理得到时频图数据集，再利用深度神经网络模型对时频图数据集进行特征提取及分类，得到时频图信号的概率分布矩阵；D：计算平均聚类系数对并对两个概率分布矩阵进行优化；再基于D‑S证据理论并利用优化后的两个概率分布矩阵进行融合决策，得到最终分类结果。本发明能够有效提高单侧肢体运动信息任务的分类准确率，为脑机接口技术的发展提供数据基础。
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公开(公告)号：CN115784747A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211518539.7
申请日：2022-11-29
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本申请涉及聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法，包括：以聚碳硅烷为前驱体，经交联固化，高温裂解生成无机陶瓷，通常有残余的自由碳存在，高温裂解使自由碳石墨化程度提高；经球磨将高温裂解产物与微米级碳化硅粉体混合；结合放电等离子体烧结技术得到碳化硅陶瓷靶材。本申请实施例中得到的碳化硅陶瓷靶材致密度高，纯度高，电导率可调，在功率器件和微波射频器件领域具有广泛应用，此外方法操作简单，能耗低，适用范围广。
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公开(公告)号：CN115340361B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110533795.2
申请日：2021-05-14
Applicant: 郑州大学 , 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司
IPC: C04B35/04
Abstract: 本发明属于微波窑用材料技术领域，具体公开了一种微波窑用高熵陶瓷及其制备方法与应用。本发明通过无水乙醇溶解MgCl2·6H2O、CoCl2·6H2O、CuCl2·2H2O、NiCl2·6H2O和ZnCl2，干燥后，球磨，压制成型，在空气气氛下煅烧得到微波窑用高熵陶瓷。本发明公开的高熵陶瓷用于微波窑保温材料具有优异的透波、保温和高温稳定性能。
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公开(公告)号：CN115594513A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211271308.0
申请日：2022-10-18
Applicant: 郑州大学(CN)
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种原位生成碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，属于陶瓷微波烧结领域。所述的制备方法包括如下步骤：1)将SiC粉料、烧结助剂、粘结剂及催化剂进行球磨混合，得到混合料；2)将混合料压制成型，得到生胚；3)将生胚进行分段烧结，制备得到碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料。使用本发明的制备方法得到的碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料体积密度大，抗折强度高，制备周期短，烧结温度低，而且碳纤维直径可控，从纳米级到微米级都可制备；制备工艺简单，不需要使用碳纤维制备预制体，一次烧结即可制备完成，适用性广，操作方便，适合工业化快速生产，具有广阔的应用前景。
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