公开(公告)号：CN100407296C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200480030112.6

申请日：2004-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁吾 ,  朴仁植 ,  李坰根 ,  金铉基 ,  金朱镐

IPC: G11B7/004

CPC classification number: G11B7/1263 ,  G11B7/005 ,  G11B7/00736 ,  G11B7/0938 ,  G11B7/24 ,  G11B7/24065 ,  G11B7/243 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/2432

Abstract: 一种从信息存储介质再现信号的方法以及设备，所述方法和设备能够在将记录在信息存储介质中的参考信号与再现信号相比较之后调节读出功率，从而减小散焦和倾斜的影响并增加了信号余量。所述方法包括：将具有预定读出功率的光束发射到所述信息存储介质上；接收从所述信息存储介质反射的光束，并检测该信息存储介质的再现信号和用于确定所述再现信号的电平是否高于或等于执行再现所需要的电平的参考信号；和确定检测的再现信号的电平是否高于或等于执行再现所需要的电平，并响应于再现信号的电平低于执行再现所需要的电平的情况来调节光源的读出功率。

公开(公告)号：CN101199012A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200680020986.2

申请日：2006-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉基 ,  金朱镐 ,  郑钟三 ,  李坰根 ,  朴昶敏

IPC: G11B20/10

Abstract: 一种信息记录介质，与将信息记录到该信息记录介质和从该信息记录介质再现信息的记录/再现设备一起使用，在所述信息记录介质上记录有用于产生具有周期性重复的nT脉冲和插入的mT脉冲的预定模式信号的预定模式，以允许当记录/再现设备从信息记录介质读取数据时检测RF信号的电平，其中，n表示自然数，T表示时钟周期，m表示与RF信号的各个电平相对应的值。

公开(公告)号：CN100351922C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200580000173.2

申请日：2005-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金朱镐 ,  黄仁吾 ,  金铉基 ,  尹斗燮

IPC: G11B7/005

CPC classification number: G11B7/1267

Abstract: 本发明提供了一种用于通过积极地检测根据超分辨率信息存储介质(SRISM)的反射率而变化的阈域，使用实际上适于再现的适当实际再现功率来再现记录在SRISM中的信息的方法和设备。从SRISM再现信息的方法包括：将光束发射到SRISM上，同时改变激光光束的再现功率，接收被SRISM反射的光束，并从接收的光束检测再现信号电平的变化；基于再现信号电平的变化，计算再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率；和基于参考再现功率设置实际再现功率。用于从SRISM再现信息的设备包括光学拾取单元和信号处理单元。该光学拾取单元包括光源和光电检测器，其中光源将具有一定范围的功率的光束发射到SRISM上，光电检测器接收从SRISM反射的光束，并从接收的光束检测再现信号；该信号处理单元根据被光源发射到SRISM上的光束的再现功率的变化来检测再现信号电平的变化，并基于再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率设置从光源发射的光束的实际再现功率。

公开(公告)号：CN1886789A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035523.4

申请日：2004-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉基 ,  金朱镐 ,  黄仁吾 ,  尹斗燮

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/24065 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24802

Abstract: 一种超分辨率信息存储介质，包括：基底；第一超分辨率层，形成在基底之上；第二超分辨率层，形成在第一超分辨率层之上；和插入层，设置在第一超分辨率层和第二超分辨率层之间。