一种制导光纤
    51.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217506180U

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202220207478.1

    申请日:2022-01-25

    Abstract: 本申请涉及一种制导光纤,其包括芯层、内包层、下陷包层、外包层、内涂层和外涂层,所述内包层位于所述芯层外侧,所述下陷包层位于所述内包层外侧,所述外包层位于所述下陷包层外侧,所述内涂层位于所述外包层外侧,所述外涂层位于所述内涂层外侧,所述芯层为锗掺杂的二氧化硅,所述内包层为氟锗共掺的二氧化硅。本申请提供的制导光纤,由于在芯层周边设有掺锗/氟共掺的内包层,可以有效降低其粘度,降低由于界面应力过大所造成的衰减增大,使制导光纤具有良好的衰减特性。

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