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公开(公告)号:CN116609978A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202310306957.8
申请日:2023-03-21
Abstract: 本公开涉及光通信技术领域,尤其涉及一种紧凑型马赫泽德调制器芯片。其中,该芯片包括:光波导结构,光波导结构构成马赫泽德干涉仪,马赫泽德干涉仪包括两个调制臂,每个调制臂均包括波导布拉格光栅;两个集总式高频电极,集总式高频电极一一对应设置在波导布拉格光栅的上方,且集总式高频电极接触并覆盖波导布拉格光栅。采用本公开可以减小芯片尺寸,提高调制器芯片集成度,降低半波电压,提高调制效率,且降低光插入损耗和光传输损耗。
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公开(公告)号:CN116300153A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310202674.9
申请日:2023-02-24
Abstract: 本公开提出一种电光调制器和光收发模块,其中,电光调制器包括:基底;耦合单元,耦合单元设置在基底上,耦合单元用于将输入光分束成第一光信号和第二光信号,并使第一光信号和第二光信号沿相反方向传导后耦合成输出光;调制单元,调制单元设置在基底上,且调制单元位于第一光信号和第二光信号的传导路径上,调制单元用于根据输入的电信号调节第一光信号与第二光信号之间的相位差,以调制输出光的强度。在本公开的一种电光调制器和光收发模块中,使得电光调制长度能够设置较短,从而有效减小了电光调制器的集成尺寸,提高了电光调制器的集成度。
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公开(公告)号:CN115167012A
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN202210796108.0
申请日:2022-07-07
Abstract: 本发明公开了一种用于产生光学频率梳的电光调制系统,该系统包括:单片光子集成芯片、射频信号源、移相器和两个射频放大器,芯片包括:基于III‑V族化合物半导体材料的半导体激光器、强度调制器、相位调制器和III‑V族化合物基底。半导体激光器与强度调制器连接;射频信号源分别与第一射频放大器和移相器连接,用于产生两路射频调制信号;移相器通过第二射频放大器与相位调制器连接;强度调制器与相位调制器连接,用于对激光进行电光强度调制,产生光脉冲信号;相位调制器用于对光脉冲信号进行相位调制,产生光频梳信号;芯片中各半导体器件集成在III‑V族化合物基底上。该系统的集成度高,可以产生可重构且重复频率较高的光学频率梳。
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公开(公告)号:CN114421281A
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN202210030396.9
申请日:2022-01-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种窄线宽输出的片上集成式DBR激光器及其制备方法。包括光子集成芯片基底、分布布拉格反射激光器和半导体光放大器;分布布拉格反射激光器和半导体光放大器均集成于光子集成芯片基底上方;光子集成芯片基底一方面可以采用III‑V族化合物半导体材料,另一方面可以采用硅光半导体材料,硅光半导体材料的指定区域上方需要是III‑V族化合物半导体材料;分布布拉格反射激光器包括后反射区、增益区、相位区、光波导和前反射区,其用于产生窄线宽激光信号;半导体光放大器与前反射区连接,用于激光信号的放大与出射。本发明结构简单,可集成于光子芯片上,能大大减小现有技术中窄线宽激光器的体积,利于其小型集成化、批量化生产;同时该分布布拉格反射激光器输出激光线宽较窄、功率较高,可满足下一代高速光通信系统的需求。
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公开(公告)号:CN113381269A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202110631214.9
申请日:2021-06-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种连续调频太赫兹波雷达单片光子集成芯片及雷达系统。连续调频太赫兹波雷达单片光子集成芯片包括:第一可调谐激光器、第二可调谐激光器、耦合器和光电探测器。第一可调谐激光器用于产生具有第一频率的第一光信号;第二可调谐激光器用于产生具有第二频率的第二光信号;耦合器用于将第一光信号和第二光信号进行合波,并将合波光信号分解为功率相等的第一输出信号和第二输出信号输出;光电探测器用于将第一输出信号转化为太赫兹波信号并向外辐射;其中,第一可调谐激光器、第二可调谐激光器、耦合器和光电探测器均形成于同一基片上。本发明可以实现太赫兹波雷达的集成化和小型化,并提高系统的稳定性。
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公开(公告)号:CN112968340A
公开(公告)日:2021-06-15
申请号:CN202110162285.9
申请日:2021-02-05
Applicant: 浙江大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于并联式双可调谐激光器的太赫兹源单片光子集成芯片。包括III‑V族化合物半导体材料基底、两个可调谐激光器、光调制器和多模干涉耦合器;可调谐激光器、光调制器、多模干涉耦合器和光波导均集成于III‑V族化合物半导体材料基底上;两个可调谐激光器呈并联布置,其中一个可调谐激光器经光调制器连接至多模干涉耦合器输入端,另一个可调谐激光器直接连接至多模干涉耦合器的输入端;上述器件均通过光波导连接。相比于传统的太赫兹发射器,本发明结构简单,可集成于单片光子芯片上,能实现真正的片上系统SoC;同时其频率灵活连续可调且覆盖较长的传输频率窗口,从而大幅度降低了太赫兹通信系统的复杂度。
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公开(公告)号:CN112366522A
公开(公告)日:2021-02-12
申请号:CN202011166148.4
申请日:2020-10-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种高重频多波长超短脉冲的锁模光子集成芯片的设计方法及产品和应用,包括:半导体光放大器阵列,为N个波长的通道提供增益;相位延迟线阵列,包含不同长度的相位延迟线,分别补偿各波长通道的增益光由于色散效应带来的不同有效光程差;平坦化的阵列波导光栅,对经过有效光程差补偿的增益光进行多路复用,将N路光脉冲信号复用为1路光脉冲信号;饱和吸收体,并与阵列波导光栅形成N个独立而又同步的不同波长锁模光脉冲通道;半导体光放大器用于对所述饱和吸收体的输出脉冲进行增益并输出,具有体积小、质量轻、功耗低、稳定性高和耐电磁干扰的特点,能够输出高重频多波长超短脉冲,可以完美应用于高速光子模数转换器。
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公开(公告)号:CN107605874B
公开(公告)日:2019-11-15
申请号:CN201710675637.4
申请日:2017-08-09
Applicant: 浙江大学
IPC: F15D1/00
Abstract: 本发明公开了一种抗空蚀微结构表面层。所述表面层包括基底和设置在基底表面上用于抗空蚀的微凸起或者微凹槽的微结构,在微凸起之间形成的微凹槽中或者在微凹槽本身中含有空气而形成气膜,使得微结构在固液界面之间形成一层用于抗空蚀的气膜层;微凸起或者微凹槽是作为保护层,并且布置在基底上易空化表面。本发明大大降低了空化泡溃灭时微射流速度甚至改变微射流方向远离结构表面,从而有效抑制空化空蚀对材料表面的破坏。
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公开(公告)号:CN105381642B
公开(公告)日:2017-07-11
申请号:CN201510923473.3
申请日:2015-12-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于低粘度液体的快速过滤装置。包括管道以及分别在管道入口和出口布置的入口法兰盘、出口法兰盘,管道内沿液体流向一起设有过滤膜、超声波空化发生器、多孔过滤介质,超声波空化发生器设置在过滤膜和多孔过滤介质之间的管道内壁上,超声波空化发生器的频率可调。本发明通过在弹性过滤膜与刚性多孔过滤介质空间内产生的空化泡的低压、射流作用下提高过滤膜两侧的压差、加快过滤液体的流速、加速过滤渗透作用,提高渗透率过滤效率。
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公开(公告)号:CN105234019A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201510544756.7
申请日:2015-08-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种自适应水上水下空化射流喷嘴。高压水喷嘴装在低压水喷嘴内,紧靠在低压水喷嘴的淹没腔台肩上;在低压水喷嘴轴向空气腔室内装有阀芯,阀芯连杆的一端与靠近淹没腔一端的阀芯连接,另一端穿过圆盘套筒与弹性膜片连接,圆盘套筒和空气腔室为过盈配合,弹性膜片和圆盘套筒为密封连接,高压水喷嘴的进气口经气孔后,一路与空气腔室连通,另一路经高压喷嘴节流口、高压喷嘴出口与淹没腔连通,低压水喷嘴的低压水入口经阀芯中部缝隙、低压水管路与淹没腔连通。本发明利用水上环境和水下环境的差异性,根据外界工作环境的变化做出自适应调节,起到节能和提高工作效率的作用;该过程不需要人工调节,同时降低能耗,达到节能效果。
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